铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种铋纳米孔阵列薄膜的制备方法，包括真空蒸镀法，其特征在于主要步骤如下：步骤1，先将铝片置于3～7℃、0.2～0.4mol/L的草酸溶液中，于30～60V直流电压下阳极氧化至少10h后，将其置于58～62℃的磷铬酸溶液中浸泡至少24h，得到氧化铝片，再将氧化铝片再次置于同样的条件下阳极氧化至少10h后，用氯化锡溶液去除氧化铝片背面未氧化的铝，得到氧化铝模板；步骤2，先将氧化铝模板置于28～32℃的4～6wt％的磷酸溶液中去除障碍层后，将其再次置于同样的条件下扩孔58～62min，得到孔直径为30～100nm、孔中心距为80～150nm、孔壁厚≥10nm的通孔氧化铝模板，再将通孔氧化铝模板置于电子束蒸发设备真空室中铋靶的上方10cm处，于真空度≤6×10-4Pa下，以的蒸发速率蒸镀250～500s，得到其上附有铋纳米孔阵列薄膜的通孔氧化铝模板；步骤3，先将热释放胶带粘附于通孔氧化铝模板的铋纳米孔阵列薄膜上静置至少20h后，使用物理方法分离铋纳米孔阵列薄膜和通孔氧化铝模板，得到附于热释放胶带上的铋纳米孔阵列薄膜，再将附于热释放胶带上的铋纳米孔阵列薄膜置于≥80℃下至少2min，制得铋纳米孔阵列薄膜；所述铋纳米孔阵列薄膜的厚度为25～50nm，其上置有按六方有序排列的孔阵列，其中，组成孔阵列的孔的孔直径为30～100nm、孔中心距为80～150nm、孔壁厚≥10nm。2.根据权利要求1所述的铋纳米孔阵列薄膜的制备方法，其特征是对铝片进行阳极氧化之前，先将其依次置于丙酮和乙醇中超声清洗至少3min，再将其置于10-3Pa、500℃下退火5h。3.根据权利要求1所述的铋纳米孔阵列薄膜的制备方法，其特征是磷铬酸溶液为5～7wt％的磷酸溶液和1.6～2wt％的铬酸溶液的混和溶液。4.根据权利要求1所述的铋纳米孔阵列薄膜的制备方法，其特征是每次阳极氧化后，均将氧化铝片置于去离子水中浸泡24h后，对其进行冲洗并干燥。5.根据权利要求1所述的铋纳米孔阵列薄膜的制备方法，其特征是在对氧化铝模板去除障碍层前，先将其置于去离子水中浸泡12h，再将其干燥。6.根据权利要求1所述的铋纳米孔阵列薄膜的制备方法，其特征是物理方法分离为撕开，或剥离。