技术总结
本发明公开了一种铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法。薄膜的厚度为25～50nm，其上置有按六方有序排列的孔阵列，组成孔阵列的孔的孔直径为30～100nm、孔中心距为80～150nm、孔壁厚≥10nm。方法为先对铝片依次使用二次阳极氧化法，去背面未氧化的铝、去除障碍层和扩孔，得到通孔氧化铝模板，再将通孔氧化铝模板置于电子束蒸发设备中蒸镀铋膜，得到其上附有铋纳米孔阵列薄膜的通孔氧化铝模板，之后，先将热释放胶带粘附于通孔氧化铝模板的铋纳米孔阵列薄膜上后，使用物理方法分离铋纳米孔阵列薄膜和通孔氧化铝模板，再将附于热释放胶带上的铋纳米孔阵列薄膜置于≥80℃下至少2min，制得目的产物。它可进一步地拓展在红外探测、热电效应以及霍尔器件领域的优化应用。
技术研发人员：宋豪杰;张俊喜;费广涛;张立德
受保护的技术使用者：中国科学院合肥物质科学研究院
文档号码：201510446814
技术研发日：2015.07.24
技术公布日：2017.07.28