1.一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，其特征在于该方法是按下述步骤进行的：
步骤一、将轻质氧化镁与还原剂混合，再加入氟化钙后充分研磨，然后将粉末压成片状，真空干燥，得到轻质氧化镁片；
步骤二、将轻质氧化镁片置于冶炼管式炉内，纯化硅藻土置于反应管式炉内，反应管式炉可旋转，冶炼管式炉和反应管式炉在保护气保护下反应，
冶炼管式炉内，以5～10℃/min升温速率将温度上升至500～700℃，保温0.5～3h，再以5～10℃/min升温速率将温度上升至700～900℃，保温0.1～2h，最后以3～8℃/min升温速率将温度上升至1200～1400℃，产生镁蒸汽，
同时反应管式炉升温至恒温500～900℃，并控制以10～20r/min的速度旋转，冶炼管式炉产生镁蒸汽在气力作用下通入反应管式炉内，恒温加热过程中硅藻土发生氧化还原反应，多余镁蒸汽吹出炉外冷凝为结晶镁，反应结束后，自然冷却至室温，取出反应管式炉产物；即得到多孔硅。
2.根据权利要求1所述的一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，其特征在于步骤二获得的反应管式炉产物放入酸性溶液中，磁力搅拌下恒温水浴加热后用去离子水洗涤1～5次，真空干燥；即得到多孔硅。
3.根据权利要求2所述的一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，其特征在于所述的酸性溶液为盐酸、硫酸、硝酸或磷酸溶液，酸性溶液浓度为1～10mol/L。
4.根据权利要求2所述的一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，其特征在于恒温水浴温度为50～100℃；磁力搅拌速度为150～300r/min，磁力时间为6～10h；真空干燥温度为70～120℃，真空干燥时间为6～8h。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，其特征在于步骤一所述轻质氧化镁的制备方法如下：白云石在900～1200℃煅烧、在恒温水浴条件下加水消化，消化时间为0.5～2h，得到消化乳液，转移到碳化塔内依次进行常压碳酸化和两段加压碳酸化，常压碳酸化温度为30～50℃，碳化时间为10～40min，两段加压碳酸化温度为30～50℃，碳化时间为10～40min，压力为0.2～0.5MPa，煅烧白云石时产生的二氧化碳作为常压碳酸化和两段碳酸化的原料，然后将碳化后的乳液进行过滤得重镁水，在重镁水中通入水蒸汽进行热解，得到轻质碳酸镁浆液并进行过滤，滤渣在温度为600～700℃条件下煅烧20～60min后，得到轻质氧化镁。
6.根据权利要求5所述的一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，其特征在于所述白云石消化时的液固比为30:1～50:1；所述碳化终态乳液pH为7.0～8.0。
7.根据权利要求1、2、3或4所述的一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，其特征在于步骤一所述的还原剂为焦煤、焦炭或硅铁，氧化镁与还原剂的摩尔比为(1～4):1，氟化钙占氧化镁与还原剂总质量的5％～25％。
8.根据权利要求1、2、3或4所述的一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，其特征在于步骤一中以9～18kgf/cm2压力压片。
9.根据权利要求1、2、3或4所述的一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，其特征在于步骤一在80～120℃条件下真空干燥3～6h。
10.根据权利要求1、2、3或4所述的一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，其特征在于步骤二所述保护气为氮气、氩气、氦气，气体流速为0.1～1L/min。