技术总结
本发明公开了一种原镁冶炼同时制备多孔硅的方法，属于金属冶炼及多孔硅制备技术领域。本发明在常压条件下还原轻质氧化镁制取单质镁的方法，同时以高温产生的镁蒸汽为还原剂与纯化硅藻土反应，将二氧化硅还原为多孔硅，该多孔硅可用于电池制备及光电子等领域。本发明常压条件下进行原镁冶炼，并将原镁冶炼与多孔硅制备工艺“合二为一”，极大的简化了操作工艺，整个过程在常压下进行，克服了传统炼镁工艺需真空条件的不足，简化了生产设备，保护气可循环利用，降低了生产成本，所制备的多孔硅保留了硅藻土原有的天然孔结构，剩余镁蒸汽回收，成为商品镁。本发明还能够制备高纯度多孔硅，具有较高的经济价值和应用前景。
技术研发人员：崔学军;王忠祥;张瑛琦;张瑛洁
受保护的技术使用者：吉林市润成膜科技有限公司
文档号码：201610547063
技术研发日：2016.07.12
技术公布日：2016.12.07