技术总结
本发明公开一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法。本方法使用双面抛光机，上盘和下盘为合成树脂锡盘，配上粒径为W0.5的金刚石抛光液，将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上，其中上盘设为螺旋凹槽条纹，两条凹槽间距为1.5mm，凹槽深度为15μm，下盘为同心圆槽条纹，两条凹槽间距为1mm，凹槽深度为20μm，压力为100‑500g/cm2，转速为10‑40r/min，金刚石抛光液的流量为5ml‑20ml/min。使用合成树脂锡盘，配上金刚石抛光液，大大缩短了加工时间，提高了加工效率，由于划痕深度小，为后面化学机械抛光工序奠定了基础。采用锡盘双面抛光，可以获得更高的去除速率和表面质量。
技术研发人员：李晖;徐世海;高飞;徐永宽;杨丹丹;冯玢;宋扬;张弛;王磊
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十六研究所
文档号码：201610618673
技术研发日：2016.08.01
技术公布日：2016.12.07