技术总结
本发明公开一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法。本方法使用双面抛光机,上盘和下盘为合成树脂锡盘,配上粒径为W0.5的金刚石抛光液,将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上,其中上盘设为螺旋凹槽条纹,两条凹槽间距为1.5mm,凹槽深度为15μm,下盘为同心圆槽条纹,两条凹槽间距为1mm,凹槽深度为20μm,压力为100‑500g/cm2,转速为10‑40r/min,金刚石抛光液的流量为5ml‑20ml/min。使用合成树脂锡盘,配上金刚石抛光液,大大缩短了加工时间,提高了加工效率,由于划痕深度小,为后面化学机械抛光工序奠定了基础。采用锡盘双面抛光,可以获得更高的去除速率和表面质量。
技术研发人员:李晖;徐世海;高飞;徐永宽;杨丹丹;冯玢;宋扬;张弛;王磊
受保护的技术使用者:中国电子科技集团公司第四十六研究所
文档号码:201610618673
技术研发日:2016.08.01
技术公布日:2016.12.07