技术特征：
技术总结
本发明提供一种电子元件封装外壳及其制备方法，涉及电子元件领域。电子元件封装外壳的制备方法包括：按照硅原料和铝原料的总质量、含磷变质剂的质量和精炼剂的质量之比为100：1～5：1～5，将硅原料、铝原料、含磷变质剂和精炼剂混合均匀，得到混合物。在1000～1500℃的温度下，将混合物熔为熔体并充分变质后，沉积制成坯锭。将坯锭在800～1000℃的温度和120～140MPa的压力下热等静压处理1～2h后，压模制得。通过使用有机含磷化合物作为含磷变质剂，避免变质剂在促进硅原料变质过程中产生有害气体。
技术研发人员：吴忠政
受保护的技术使用者：黄平县阳光科技发展有限公司
技术研发日：2017.04.14
技术公布日：2017.07.14