真空镀膜设备的制作方法

本实用新型属于镀膜设备领域，涉及真空镀膜设备。

背景技术：

真空镀膜法是一种在触控面板、太阳能电池等等的光电产业、半导体产业常见的镀膜技术，已知真空镀膜法包含物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)等方式。以薄膜太阳能电池制程为例，需要利用真空镀膜方式于一基板镀上透明导电薄膜电极、光电转换层等膜层，又或者，例如铜铟镓薄膜太阳能电池制作时，则需要先于基板镀上铜薄膜、铟薄膜后再进行硒化处理。因此，现有的一种真空镀膜设备，是在一腔体内设有数个腔室，每个腔室可进行不同材料薄膜的镀膜制程，且相邻腔室间设有阀门，通过阀门启闭来控制腔室间的连通与否。故进行太阳能电池的镀膜制程时，主要是先使基板于第一个腔室内镀上第一种材料的薄膜，接着打开第一个腔室与第二个腔室间的阀门，使该基板输送到第二个腔室镀上第二种材料的薄膜，后续依此类推，打开下一阀门，并将基板输送到下一腔室镀膜。

在下次镀膜的时候，在向真空的腔室中充入新的工作气体，从而进行下次的镀膜，但是由于每次都需要充入新的工作气体，这样每次也都需要新的工作气体的成本投入，镀膜的成本较高。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供真空镀膜设备，旨在解决镀膜的成本高的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种真空镀膜设备，包括腔体，所述腔体包括有第一中转腔室、第二中转腔室以及若干个首尾相连的镀膜腔室，相邻所述镀膜腔室之间设置有传板阀，每个所述镀膜腔室中均设置有靶材、敲击探头、基板、第一抽真空组件以及第二抽真空组件，任意两个相邻的镀膜腔室均通过所述第一抽真空组件以及第二抽真空组件分别与第一中转腔室和第二中转腔室中的一个连接，所述第一抽真空组件用于将镀膜腔室中的气体泵入到第一中转腔室或第二中转腔室中，所述第二抽真空组件用于将第一中转腔室或第二中转腔室中的气体泵入到镀膜腔室中，所述第一中转腔室中设置有第三抽真空组件，用于对第一中转腔室进行抽真空，所述第二中转腔室中设置有第四抽真空组件，用于对第二中转腔室进行抽真空。

本实用新型进一步设置为，所述第一中转腔室以及第二中转腔室均为圆柱形，且所述第一中转腔室连接于第二中转腔室的上方，若干个所述镀膜腔室分布于第一中转腔室以及第二中转腔室的周缘。

本实用新型进一步设置为，每个所述镀膜腔室上均设置有出板阀，所述出板阀用于导出加工完成的基片。

本实用新型进一步设置为，所述腔体还包括有准备腔室，所述准备腔室位于一镀膜腔室的侧部，用于对送入到镀膜腔室中的基片进行准备。

本实用新型进一步设置为，所述准备腔室与所述第一中转腔室连接，所述第一中转腔室侧壁上设置有准备阀，并通过所述准备阀可与准备腔室连通或隔断。

本实用新型进一步设置为，所述准备腔室中设置有加热组件，用于对基片进行加热。

本实用新型进一步设置为，所述靶材为长条形，且所述靶材的长度方向与敲击探头往复运动的方向平行。

本实用新型进一步设置为，所述靶材为圆柱形，且所述敲击探头作用于靶材截面的圆心上。

本实用新型进一步设置为，还包括有驱动电缸，所述驱动电缸连接于靶材远离敲击探头的端部，用于驱动靶材向敲击探头活动。

本实用新型进一步设置为，还包括有位移传感器以及控制器，所述位移传感器用于感应敲击探头的位置，所述位移传感器和驱动电缸均与控制器连接，所述控制器用于接受位移传感器发出的信号，并向驱动电缸发出指令。

与现有技术相比，本实用新型提供了真空镀膜设备，在进行镀膜的时候，首先是通过第一抽真空组件、第三抽真空组件以及第四抽真空组件使得整个腔体中都为真空状态，然后当基片进入到第一个镀膜腔室中进行镀膜，在该镀膜腔室中镀膜完成之后，位于该镀膜腔室处的第一抽真空组件运行并将该镀膜腔室中的工作气体抽入到第一中转腔室中，抽到第一个镀膜腔室中真空度达到一定值之后第一抽真空组件关闭，同时位于第一个镀膜腔室侧壁上的传板阀打开，基片被转入到第二个镀膜腔室中，基片转过去之后打开的传板阀关闭，同时第一个镀膜腔室中的第二抽真空组件运行并将第一中转腔室中的工作气体泵回到第一个镀膜腔室中；同样当第二个镀膜腔室中的基片转入到第三个镀膜腔室中的时候，通过第二中转腔室的中转作用能够对第二个镀膜腔室中的工作气体进行回用，杜绝了工作气体的浪费，减少了成本的投入；其中当工作气体泵回到镀膜腔室中之后，第一中转腔室以及第二中转腔室都处于一定的真空状态，当每个镀膜腔室中都具有各自的工作气体之后，由于两个相邻的镀膜腔室是分别与第一中转腔室以及第二中转腔室中的一个连接的，这样在将基片从一个镀膜腔室传导到另一个腔室之前，通过两个镀膜腔室中的第一抽真空组件将工作气体分别泵入到第一中转腔室以及第二中转腔室中，当基片转移完成之后，位于两个镀膜腔室之间的传板阀关闭，两个第二抽真空组件分别将工作气体泵回到镀膜腔室中，如此就防止了工作气体之间相互的影响，镀膜工作能够正常的进行。

附图说明

图1是本实用新型一种真空镀膜设备一实施例的俯视图；

图2是本实用新型一种真空镀膜设备一实施例的侧视图；

图3是本实用新型一实施例的靶材、敲击探头、基板以及驱动电缸的结构示意图。

其中，1、腔体；2、第一中转腔室；3、第二中转腔室；4、镀膜腔室；5、传板阀；6、靶材；7、敲击探头；8、基板；9、第一抽真空组件；10、第二抽真空组件；11、第三抽真空组件；12、出板阀；13、准备腔室；14、准备阀；15、驱动电缸。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的真空镀膜设备作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。

一种真空镀膜设备，如图1至图3所示，包括腔体1，所述腔体1包括有第一中转腔室2、第二中转腔室3以及若干个首尾相连的镀膜腔室4，相邻所述镀膜腔室4之间设置有传板阀5，每个所述镀膜腔室4中均设置有靶材6、敲击探头7、基板8、第一抽真空组件9以及第二抽真空组件10，任意两个相邻的镀膜腔室4均通过所述第一抽真空组件9以及第二抽真空组件10分别与第一中转腔室2和第二中转腔室3中的一个连接，本实施例中从第一个镀膜腔室4到最后一个镀膜腔室4，位列奇数位的镀膜腔室4与第一中转腔室2连接，位列偶数位的镀膜腔室4与第二中转腔室3连接，即第一三五位置的镀膜腔室4与第一中转腔室2连接，第二四六位置的镀膜腔室4与第二中转腔室3连接；所述第一抽真空组件9用于将镀膜腔室4中的气体泵入到第一中转腔室2或第二中转腔室3中，所述第二抽真空组件10用于将第一中转腔室2或第二中转腔室3中的气体泵入到镀膜腔室4中，所述第一中转腔室2中设置有第三抽真空组件11，用于对第一中转腔室2进行抽真空，所述第二中转腔室3中设置有第四抽真空组件(图中未标出)，用于对第二中转腔室3进行抽真空。

所述第一中转腔室2以及第二中转腔室3均为圆柱形，且所述第一中转腔室2连接于第二中转腔室3的上方，若干个所述镀膜腔室4分布于第一中转腔室2以及第二中转腔室3的周缘。

每个所述镀膜腔室4上均设置有出板阀12，所述出板阀12用于导出加工完成的基片。所述腔体1还包括有准备腔室13，所述准备腔室13位于一镀膜腔室4的侧部，用于对送入到镀膜腔室4中的基片进行准备。所述准备腔室13与所述第一中转腔室2连接，所述第一中转腔室2侧壁上设置有准备阀14，并通过所述准备阀14可与准备腔室13连通或隔断。所述准备腔室13中设置有加热组件，用于对基片进行加热。

所述靶材6为长条形，且所述靶材6的长度方向与敲击探头7往复运动的方向平行。所述靶材6为圆柱形，且所述敲击探头7作用于靶材6截面的圆心上。

还包括有驱动电缸15、位移传感器以及控制器，所述驱动电缸15连接于靶材6远离敲击探头7的端部，用于驱动靶材6向敲击探头7活动，所述位移传感器用于感应敲击探头7的位置，所述位移传感器和驱动电缸15均与控制器连接，所述控制器用于接受位移传感器发出的信号，并向驱动电缸15发出指令。

综上所述，本实用新型提供的真空镀膜设备，在镀膜之前，首先第一抽真空组件9、第三抽真空组件11以及第四抽真空组件活动，并将腔体1中的所有腔室抽至一定的真空度，然后关闭第一抽真空组件9、第三抽真空组件11以及第四抽真空组件并将基片导入到第一个镀膜腔室4中，充入第一个镀膜腔室4中的工作气体，在第一个镀膜腔室4中完成第一层镀膜之后，第一个镀膜腔室4中的第一抽真空组件9运行并将第一个镀膜腔室4中的工作气体泵入到第一中转腔室2中，直到第一镀膜腔室4中达到一定真空度之后，第一镀膜腔室4上的传板阀5打开并将基片转入到第二个镀膜腔室4中，基片转移完成之后传板阀5关闭，同时第一个镀膜腔室4中的第二抽真空组件10运行并将第一中转腔室2中的工作气体泵回到第一个镀膜腔室4中，同样以此方法第二个镀膜腔室4在第二中转腔室3的中转作用下也可以将第二个镀膜腔室4中的工作气体泵回到第二个镀膜腔室4中，如此就减少了工作气体的投入成本，镀膜成本低。

当一个加工完成之后再每个镀膜腔室4中都具有各自的工作气体，同时第一中转腔室2和第二中转腔室3都处于真空状态，此时当将基片从第一个镀膜腔室4转移到第二个镀膜腔室4中的时候，第一个镀膜腔室4和第二个镀膜腔室4中的第一抽真空组件9分别将第一个镀膜腔室4和第二个镀膜腔室4中的工作气体泵入到第一中转腔室2和第二中转腔室3中，如此即使两个镀膜腔室4之间的传板阀5打开之后，也不会发生工作气体的相互混合，基片传导完成之后传板阀5关闭，第二抽真空组件10运行将工作气体泵回到镀膜腔室4中，在整个镀膜腔室4过程中都能够减小工作气体的浪费，成本进一步的降低。

其中，由于镀膜腔室4是具有若干个的，同时在每一个镀膜腔室4上都具有出板阀12，如此就能够对不同要求的镀膜工艺进行使用，比如需要镀三层膜的基片可以选用三个镀膜腔室4进行镀膜，当三层膜镀完之后可以通过第三个镀膜腔室4上的出板阀12将基片转移出来，再比如需要镀五层膜的基片可以选用五个镀膜腔室4进行镀膜，当五层膜镀完之后可以通过第五个镀膜腔室4上的出板阀12将基片转移出来，适用范围广。

在新的基片在送入到第一个镀膜腔室4中之前，首先送入到准备腔室13中进行准备，起准备方式为：准备阀14打开，同时第三抽真空组件11运行，如此经将准备腔室13中的空气抽出到外部，从而减小了粘附与基片上的气体量；不仅如此，同时加热组件对基片进行加热，从而进一步的减少了粘附与基片上的空气总量，使得后续基片的镀膜质量能够更高，当基片准备完成之后第三抽真空组件11关闭，同时准备阀14关闭；当基片从准备腔室13转移到第一个镀膜腔室4中时只需第一个镀膜腔室4上的传板阀5打开即可，简单方便。

在进行镀膜的时候，敲击探头7往复运动并敲击于靶材6长度方向的端部，其中由于靶材6是圆柱形的，且敲击探头7持续作用于靶材6的轴心上，如此靶材6的消耗程度也能够较为均匀；当靶材6消耗较多之后，敲击探头7的运动范围也就更广，此时由于位移传感器能够持续的对敲击探头7的位置进行感应，当敲击探头7活动达到设定值时，表示靶材6消耗的较多，并且需要向敲击探头7提供可继续使用的靶材6；此时位移传感器向控制器发出信号，控制器接受信号之后，向驱动电缸15发出指令，驱动电缸15收到指令之后驱动靶材6向着敲击探头7方向活动设定的距离，如此就使得敲击探头7能够正常的作用到靶材6上，镀膜过程能够稳定正常的进行，而不需要人工更换靶材6，实用性强。

需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。