本实用新型涉及抛光技术领域，尤其是涉及抛光用压力缓冲垫及抛光装置。
背景技术：
化学机械抛光(CMP)技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一，在集成电路制造过程的各阶段表面平整化工艺和大尺寸裸晶圆的表面抛光工艺中得到广泛应用。化学机械抛光的过程，主要是通过抛光垫、抛光液和所选的化学试剂的作用从晶片基板去除材料的过程。
在这个过程中，抛光模板，压力盘，压力磨头，大盘等装置构成了抛光的主要场所，其中抛布贴在大盘上，抛光模板把晶圆压在抛布上面，随着抛头和大盘的旋转，晶圆表面在被抛光液作用后能够被抛布上的绒毛去除，最终实现抛光。但是在抛光一些特殊晶圆时，晶圆表面的厚度不是均匀分布的，有的是边缘厚，中间薄，有的则是相反，在这种情况下，纯平设计的模板和压力盘把晶圆压在大盘上后，晶圆的边缘和中间所受到的压力就会差异较大，导致晶圆中间和边缘的去除效果不一致，增大了抛光的时间，甚至导致抛光失败。
鉴于此，迫切需要一种能够提高抛光效率的结构。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现要素：
本实用新型的第一目的在于提供一种抛光用压力缓冲垫，可以贴在压力盘的背面，通过缓冲垫的厚度变化来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。
本实用新型提供的一种抛光用压力缓冲垫，包括压力缓冲垫，所述压力缓冲垫一面设置有胶层，所述压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；
所述压力缓冲垫通过所述胶层与抛光盘或抛光磨头固定。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力传导区域为凸起结构，所述凸起结构内设置有气垫、液压垫或压力传感器中的一个或多个。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫的厚度范围为100um～10mm。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫的中间位置厚度尺寸大于边缘位置厚度尺寸；
或者，所述压力缓冲垫的中间位置厚度尺寸小于边缘位置厚度尺寸；
或者，所述压力缓冲垫的一边厚度尺寸小于另一边厚度尺寸；
或者，所述压力缓冲垫的中间和边缘的厚度尺寸小于两者之间的过渡区域的厚度尺寸；
或者，所述压力缓冲垫的中间和边缘的厚度尺寸大于两者之间的过渡区域的厚度尺寸。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫为方形、圆形、椭圆形、环形或雪花状结构中的一个。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力传导区域为镂空或半镂空结构，将所述压力传导区域分割成多个独立的压力传导区域。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述胶层为热熔胶、压敏胶、UV胶中的一种。
本实用新型的第二目的在于提供一种抛光装置，设置有上述的抛光用压力缓冲垫，通过缓冲垫的厚度变化来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。
本实用新型提供的一种抛光装置，包括上述的抛光用压力缓冲垫，还包括抛光盘、待抛光晶圆、抛光磨头；
所述压力缓冲垫通过胶层粘贴在所述抛光盘上，或者，所述压力缓冲垫通过胶层粘贴在所述抛光磨头上；
所述压力缓冲垫设置在所述抛光盘与所述抛光磨头之间，用于两者之间的压力传导；
待抛光晶圆设置在抛光盘下方的模板里。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述抛光磨头将所述抛光盘压在大盘上面的抛布上。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述压力缓冲垫与所述抛光磨头接触，抛光压力通过所述压力缓冲垫施加到所述抛光盘下方的模板中。
本实用新型的有益效果如下：
采用本实用新型的抛光用压力缓冲垫，包括压力缓冲垫，所述压力缓冲垫一面设置有胶层，所述压力缓冲垫的另一面间隔设置有多个压力传导区域；所述压力缓冲垫通过所述胶层与抛光盘或抛光磨头固定。其中，抛光用压力缓冲垫的材质一般采用环氧树脂板、聚氨酯材料、PVC、PP等，使用时，压力缓冲垫与抛光盘或抛光磨头粘贴到一起，其主要作用是在抛光磨头给予压力的时候不变形或者微变形，能够保持压力缓冲垫本身的形状或者厚度分布，使压力能够被均匀分散或者按照压力缓冲垫本身的设计要求传导到下面的抛光盘上。
采用本实用新型的抛光装置，包括上述的抛光用压力缓冲垫，还包括抛光盘、待抛光晶圆、抛光磨头；所述压力缓冲垫通过胶层粘贴在所述抛光盘上，或者，所述压力缓冲垫通过胶层粘贴在所述抛光磨头上；所述压力缓冲垫设置在所述抛光盘与所述抛光磨头之间，用于两者之间的压力传导；待抛光晶圆设置在抛光盘下方的模板里。采用本实用新型的设置有抛光用压力缓冲垫，能够从根本上解决压力传导不均匀的问题，即，通过压力缓冲垫的厚度变化及其上设置的压力传导区域来分配上面承受的压力，使晶圆能够较为均匀的压在大盘上，从而使抛光顺利进行。
采用上述的抛光装置进行抛光时，与现有工艺相比较，增设了将抛光用压力缓冲垫粘贴到抛光盘或抛光磨头上的工序，在进行抛光时，对于不同厚度分布的晶圆，通过改变压力缓冲垫的形状和厚度就能够均匀的把压力传导到晶圆的表面，使晶圆能够被均匀的抛光，大大增加了设备的抛光能力。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例一提供的抛光用压力缓冲垫的主视结构示意图；
图2为本实用新型实施例一提供的抛光用压力缓冲垫沿其中截面的剖面结构示意图；
图3为本实用新型实施例一提供的抛光用压力缓冲垫的带有镂空结构的结构示意图一；
图4为本实用新型实施例一提供的抛光用压力缓冲垫的带有镂空结构的结构示意图二；
图5为本实用新型实施例一提供的抛光用压力缓冲垫的带有镂空结构的结构示意图三；
图6为本实用新型实施例一提供的抛光用压力缓冲垫的带有镂空结构的结构示意图四；
图7为本实用新型实施例二提供的抛光装置中抛光磨头与抛光盘的安装结构示意图；
图8为本实用新型实施例二提供的抛光装置中压力缓冲垫与抛光盘、晶圆之间的安装结构示意图；
图9为本实用新型实施例一、二提供的抛光磨头、抛布与大盘之间的结构示意图。
附图标记：
100－压力缓冲垫；200－抛光装置；
101－压力传导区域；102－凹槽；103－胶层；
201－抛布；202－大盘；203－抛光磨头；
301－抛光盘；302－晶圆。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
下面参考图1－图9详细描述本实施例1、2的抛光用压力缓冲垫及抛光装置的技术方案。
实施例一
本实施例的具体实施方式如下：
如图1－6所示，为本实施例提供的抛光用压力缓冲垫100，该抛光用压力缓冲垫100包括压力缓冲垫100，压力缓冲垫100一面设置有胶层103，压力缓冲垫100的另一面间隔设置有多个压力传导区域101；压力缓冲垫100通过胶层103与抛光盘301或抛光磨头203固定。
需要说明的是，本实施例的压力缓冲垫100采用环氧树脂板、聚氨酯材料、PVC、PP等中的一种或多种材料制成，其主要作用是在抛光磨头203给予压力的时候不变形或者微变形，能够保持压力缓冲垫100本身的形状或者厚度分布，使压力能够被均匀分散或者按照压力缓冲垫100本身的设计要求传导到下面的抛光盘301上；压力缓冲垫100厚度范围为100um到10mm；形状根据抛光盘301的形状变化，可以是方形，椭圆形或者环形等。
本技术方案的可选方案为，压力传导区域101为凸起结构，凸起结构内设置有气垫、液压垫或压力传感器中的一个或多个。
需要说明的是，本实施例的抛光用压力缓冲垫100上设置有多个压力传导区域101，该压力传导区域101通过凹槽102分割，形成多个凸起结构，便于该压力缓冲垫100在抛光过程中承载抛光盘301与抛光磨头203之间的压力，从而实现压力均布。
本技术方案的可选方案为，压力缓冲垫100的厚度范围为100um～10mm。
需要说明的是，采用本厚度范围能够便于抛光盘301与抛光磨头203之间的压力传导，同时又不影响晶圆302抛光的进行。
本技术方案的可选方案为，压力缓冲垫100的中间位置厚度尺寸大于边缘位置厚度尺寸；或者，压力缓冲垫100的中间位置厚度尺寸小于边缘位置厚度尺寸；或者，压力缓冲垫100的一边厚度尺寸小于另一边厚度尺寸；或者，压力缓冲垫100的中间和边缘的厚度尺寸小于两者之间的过渡区域的厚度尺寸；或者，压力缓冲垫100的中间和边缘的厚度尺寸大于两者之间的过渡区域的厚度尺寸。
需要说明的是，压力缓冲垫100的厚度分布按照抛光需求，可以是中间厚，边缘薄；按照抛光产品的需求，其厚度分布也可以是中间薄，边缘厚；或者一边薄一边厚；或者中间和边缘都薄，某个环形区域厚；或者中间和边缘都厚，某个环形区域薄；从而利于压力缓冲垫100在抛光过程中压力传导的使用。
本技术方案的可选方案为，压力缓冲垫100为方形、圆形、椭圆形、环形或雪花状结构中的一个。
需要说明的是，压力缓冲垫100的形状不仅限于规则的形状，还可以为其他无规则图形，例如图3的雪花形状，使抛光盘301边缘和中间接收缓冲垫的面积分布不同，达到压力分布的目的。
需要指出的是，当本实施例的压力缓冲垫100为圆形时，该压力缓冲垫100的直径设置在5mm到500mm之间，便于抛光工序的进行，实现压力传导的可行性。
本技术方案的可选方案为，压力传导区域101为镂空或半镂空结构，将压力传导区域101分割成多个独立的压力传导区域101。
需要说明的是，压力缓冲垫100内部可以有镂空或者半镂空图形，该图形把压力缓冲垫100表面分成不同的区域，每个区域都能够独立完成对压力的传导，例如图3－图6的结构。
本技术方案的可选方案为，胶层103为热熔胶、压敏胶、UV胶中的一种。
需要说明的是，压力缓冲垫100背面有胶层103，即胶膜，该胶膜能够使其黏贴在抛光盘301上方或抛光磨头203的下方，达到固定的目的；该胶膜可以是热熔胶，压敏胶，UV胶等，其目的是使缓冲垫能够固定在抛光盘301上并且能够被无残留的撕去。
采用本实施例的抛光用压力缓冲垫100，包括压力缓冲垫100，压力缓冲垫100一面设置有胶层103，压力缓冲垫100的另一面间隔设置有多个压力传导区域101；压力缓冲垫100通过胶层103与抛光盘301或抛光磨头203固定。其中，抛光用压力缓冲垫100的材质一般采用环氧树脂板、聚氨酯材料、PVC、PP等，使用时，压力缓冲垫100与抛光盘301或抛光磨头203粘贴到一起，其主要作用是在抛光磨头203给予压力的时候不变形或者微变形，能够保持压力缓冲垫100本身的形状或者厚度分布，使压力能够被均匀分散或者按照压力缓冲垫100本身的设计要求传导到下面的抛光盘301上。
实施例二
本实施例提供的一种抛光装置200，包括上述的抛光用压力缓冲垫100，还包括抛光盘301、待抛光晶圆302、抛光磨头203；压力缓冲垫100通过胶层103粘贴在抛光盘301上，或者，压力缓冲垫100通过胶层103粘贴在抛光磨头203上；压力缓冲垫100设置在抛光盘301与抛光磨头203之间，用于两者之间的压力传导；待抛光晶圆302设置在抛光盘301下方的模板里。采用本实用新型的设置有抛光用压力缓冲垫100，能够从根本上解决压力传导不均匀的问题，即，通过压力缓冲垫100的厚度变化及其上设置的压力传导区域101来分配上面承受的压力，使晶圆302能够较为均匀的压在大盘202上，从而使抛光顺利进行。
本实施例的可选方案为，抛光磨头203将抛光盘301压在大盘202上面的抛布201上。
本实施例的可选方案为，压力缓冲垫100与抛光磨头203接触，抛光压力通过压力缓冲垫100施加到抛光盘301下方的模板中。
采用本实施例的抛光装置时，进行的抛光工艺如下：
步骤A，设计一种实施例一的抛光用压力缓冲垫100；
步骤B，压力缓冲垫100上设置有胶层103的一面与抛光盘301上部粘合，或者，压力缓冲垫100上设置有胶层103的一面与抛光磨头203下部粘合，即，该压力缓冲垫100设置在抛光磨头203与抛光盘301之间，用于两者之间的压力传导；
步骤C，抛光时，将带有压力缓冲垫100的一面与抛光磨头203接触，使抛光压力通过压力缓冲垫100施加到抛光盘301下方的模板中。
本技术方案的可选方案为，还包括步骤D，如图8所示，该模板中设置有待抛光晶圆302，抛光磨头203将抛光盘301压在大盘202上面的抛布201上。
需要说明的是，把压力缓冲垫100通过粘膜粘贴到抛光盘301的上方，待抛光晶圆302则在抛光盘301的下方的模板里面；该压力缓冲垫100也可以张贴在抛光磨头203的下方，其主要作用是介于抛光磨头203和抛光盘301之间，起到压力传导的作用；抛光时，把带有压力缓冲垫100的一面跟抛光磨头203接触，使抛光压力通过缓冲垫施加到模板上；抛光时抛光盘301带有压力缓冲垫100的一面跟抛光磨头203接触，形成以一个整体，同时待抛光晶圆302卡在抛光盘301下方的模板里面；如图9所示，抛光磨头203把抛光盘301压在大盘202上面的抛布201上进行抛光作业。
采用本实施例的抛光装置，与现有工艺相比较，增设了将抛光用压力缓冲垫100粘贴到抛光盘301或抛光磨头203上的工序，在进行抛光时，对于不同厚度分布的晶圆302，通过改变压力缓冲垫100的形状和厚度就能够均匀的把压力传导到晶圆302的表面，使晶圆302能够被均匀的抛光，大大增加了设备的抛光能力。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。