蒸发源装置、成膜装置、成膜方法以及电子设备的制造方法与流程

本发明涉及蒸发源装置、成膜装置、成膜方法以及电子设备的制造方法。

背景技术：

有机el显示器等有机电子设备经由使有机材料或金属材料等蒸镀的蒸镀工序而被制造。在蒸镀工序中使用的蒸发源装置具有多个坩埚，通过加热收纳于坩埚内的蒸镀材料，使蒸镀材料的温度上升而使蒸镀材料蒸发并附着于基板的表面而进行成膜。

专利文献1公开了一种真空蒸镀装置，该真空蒸镀装置具有真空腔室、用于在基板上形成薄膜的多个蒸发源(坩埚)、以及用于开放或遮蔽从蒸发源蒸发的材料的蒸气的一个挡板。记载了通过在多个蒸发源内依次开放一个挡板而能够防止在多个蒸发源相互之间产生污染。

另外，专利文献2具备多个蒸发源、第一加热装置、第二加热装置、以及蒸镀遮蔽板。以往，具有多个蒸发源的蒸发源装置在对收纳于蒸发源的蒸镀材料进行加热以提高其温度的情况下，如果在蒸镀时(主加热)才开始加热蒸镀材料，则在加热方面耗费时间。因此，在用于蒸镀之前，进行提高蒸发源的温度至蒸镀材料成为蒸气的温度的预加热。即，多个蒸发源中包括正在进行预加热的蒸发源和维持所收纳的蒸镀材料成为蒸气的温度并用于对基板表面进行成膜的主加热的蒸发源。在专利文献2的结构中，蒸镀遮蔽板覆盖位于预加热位置的蒸发源。

在先技术文献

专利文献

【专利文献1】日本特开2007－332433号公报

【专利文献2】日本特开2006－249575号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

但是，由于蒸发源的加热温度高，因此即使在真空下，也会由于来自蒸发源的辐射热的影响而使所配置的基板、掩模产生热延(熱延び)等变形，从而产生成膜精度降低、成膜后膜的品质降低等课题。如上述以往示例那样，当在不进行蒸镀的蒸发源之上仅配置挡板或蒸镀遮蔽板时，难以充分降低蒸发源对基板的辐射热的影响。尤其是，来自正在进行预加热的蒸发源或刚结束蒸镀的蒸发源的辐射热的影响大。

本发明鉴于上述课题而作出。本发明的目的在于提供一种减小辐射热对基板的影响的蒸发源装置。

用于解决课题的方案

为了实现上述目的，本发明采用下述结构。即，

一种蒸发源装置，包括：

多个坩埚，所述多个坩埚包括第一坩埚和第二坩埚，收纳蒸镀材料；

防附着板，所述防附着板覆盖所述第一坩埚，并在所述第二坩埚之上具有开口；以及

可动式的蒸发源挡板，所述蒸发源挡板通过改变位置而将所述第二坩埚设为遮蔽状态或开放状态，

所述蒸发源装置的特征在于，

当所述蒸发源挡板将所述第二坩埚设为开放状态时，所述蒸发源挡板与所述防附着板以及被所述防附着板覆盖的第一坩埚重叠。

发明效果

根据本发明，能够提供一种减小辐射热对基板的影响的蒸发源装置。

附图说明

图1是示出有机电子设备的制造装置的结构的一部分的示意图；

图2是示出实施方式1的蒸发源装置的结构的(a)遮蔽状态以及(b)开放状态的示意图；

图3是示出实施方式2的蒸发源挡板的结构的示意图；

图4是示出实施方式3的蒸发源挡板的结构的示意图；

图5是示出实施方式4的蒸发源装置的结构的示意图；

图6是示出实施方式5的蒸发源装置的结构的示意图；

图7是示出实施方式5的蒸发源装置的蒸发源挡板的从横向观察到的形态的示意图；

图8是示出实施方式6的蒸发源装置的结构的示意图；

图9是示出有机el显示装置的构造的图。

附图标记说明

1：蒸发源装置

2：第二坩埚

3：第一坩埚

4：防附着板

5：蒸发源挡板

6：成膜装置

7、63：基板

8：基板支承架

9：掩模

10：掩模支承架

11：基板挡板

12：磁板

13：真空腔室

14：冷却机构

15：表面加工

16：反射板

17：移动支承体

18：旋转支承体

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的优选实施方式以及实施例。但是，以下的实施方式以及实施例仅是示例性示出本发明的优选结构，并未将本发明的范围限定于这些结构。另外，以下说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等在没有特别的特定记载的情况下，不意味将本发明的范围仅限定于上述装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等。

关于本发明的蒸发源装置及其控制方法，尤其适用于通过蒸镀在被蒸镀体上形成薄膜的蒸发源装置及其控制方法。并且，即使作为使计算机执行控制方法的程序、储存该程序的存储介质，本发明也包括在内。存储介质可以是能够通过计算机读取的永久存储介质。本发明例如优选适用于在作为被蒸镀体的基板的表面上通过真空蒸镀形成所期望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，可以选择玻璃、树脂、金属等任意材料。需要说明的是，成膜装置的被蒸镀体不限于平板状的基板。例如，也可以将具有凹凸或开口的机械零件作为被蒸镀体。另外，作为蒸镀材料，也可以选择有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等任意材料。另外，不仅能够对有机膜进行成膜，也可以对金属膜进行成膜。本发明的技术具体而言能够适用于有机电子设备(例如有机el显示装置、薄膜太阳能电池)、光学部件等的制造装置。

＜实施方式1＞

＜成膜装置的概略结构＞

图1是示意性示出蒸镀装置(成膜装置)的结构的剖视图。成膜装置6具有真空腔室13。真空腔室13的内部被维持为真空氛围或氮气等非活性气体氛围。

在真空腔室13的内部大致设置有：由基板支承架8保持的被蒸镀体即基板7、由掩模支承架10保持的掩模9、利用磁力将掩模9吸引到基板7的磁板12、以及蒸发源装置1。

基板支承架8通过用于支承基板7的承受爪(机械手)等支承件、用于按压保持基板的夹具(未图示)等按压件来保持基板。另外，基板7在由输送机器人(未图示)输送到真空腔室13内之后，由基板支承架8保持，并在成膜时固定成与水平面(xy平面)平行。掩模9是具有与在基板7上形成的规定图案的薄膜图案相对应的开口图案的掩模，例如是金属掩模。在成膜时将基板7载置于掩模9之上。

另外，在蒸发源装置1设有第一坩埚3、第二坩埚、具有开口的防附着板4、以及蒸发源挡板5。第一坩埚3被防附着板4覆盖，第二坩埚2配置在防附着板4的开口之下。第一坩埚3和第二坩埚2中分别收纳蒸镀材料，通过对该蒸镀材料进行加热而产生蒸气。进而，蒸发源挡板5是设置在防附着板4的开口的上部，使防附着板4的开口处于开放状态或遮蔽状态的可动式挡板。

另外，在真空腔室13内也可以具备用于控制来自蒸发源装置1的蒸气到达基板7的开闭式的基板挡板11。另外，在磁板12也可以具备抑制基板7的温度上升的冷却板(未图示)。进而，在真空腔室13之上也可以具备用于基板7和掩模9的对准的机构，例如x方向或y方向的致动器、用于保持基板的基板支承架用致动器等驱动机构、对基板7进行摄像的摄像头(均未图示)。

在蒸发源装置1设有包括第一坩埚3和第二坩埚2的多个坩埚。坩埚是蒸发源的一个示例。另外，在蒸发源装置1具备能够使第一坩埚3和第二坩埚2移动的移动支承体(未图示)。在本实施方式中，对多个坩埚中的一个进行用于蒸镀的主加热。另外，对多个坩埚中的一个进行用于准备蒸镀的预加热。

为了方便，将正在进行主加热的坩埚或配置在用于进行主加热的位置的坩埚记载为第二坩埚2。另外，为了方便，将正在进行预加热的坩埚或配置在进行预加热的位置的坩埚记载为第一坩埚3。即，第一坩埚3是进行预加热的坩埚，在预加热中，利用加热器等对收纳在坩埚内的蒸镀材料进行加热，使坩埚的温度上升至蒸镀材料成为蒸气的温度。另外，第二坩埚2是进行主加热的坩埚，在主加热中，利用加热器等继续进行加热，以便收纳在坩埚内的蒸镀材料维持成为蒸气的温度。

在预加热结束后，可以利用移动支承体(未图示)来移动第一坩埚3，使其改变到用于进行主加热的位置。用于进行主加热的位置是指防附着板4的开口之下的位置。由此，各个坩埚内的蒸镀材料通过预加热和主加热这两级加热而成为蒸气。

＜蒸发源装置的详细结构＞

图2示出蒸发源装置1的蒸发源挡板5的可动的形态。

图2(a)示出蒸发源挡板5的遮蔽状态的形态。此时，收纳于第二坩埚2内的蒸发源材料的蒸气被蒸发源挡板5遮蔽，第一坩埚3被防附着板4覆盖。该遮蔽状态只要是来自第二坩埚2的材料的蒸气的至少一部分因被蒸发源挡板5覆盖而不能直接到达基板的状态即可，不限于蒸发源挡板5覆盖第二坩埚2的整体的状态。另外，第二坩埚2与蒸发源挡板5之间也可以有间隙。优选的是，当从基板侧观察时，第二坩埚2的整体被蒸发源挡板5覆盖。

需要说明的是，第一坩埚3可以是被预加热的坩埚或移动至对蒸镀后坩埚进行冷却的位置的坩埚。

图2(b)示出蒸发源挡板5的开放状态的形态。此时，收纳于第二坩埚2内的蒸发源材料的蒸气的大部分到达基板7。

当蒸发源挡板5处于开放状态时，蒸发源挡板5移动至与防附着板4以及被防附着板4覆盖的第一坩埚3双方重叠的位置。从某观点看来，连结第一坩埚3和基板7的假想线穿过防附着板4以及蒸发源挡板5。另外，优选的是，当从基板侧观察时，防附着板4以及蒸发源挡板5与第一坩埚3的整体重叠。

从第一坩埚3观察时重叠顺序可以是，防附着板4、蒸发源挡板5，或者是蒸发源挡板5、防附着板4。另外，在重叠顺序为蒸发源挡板5、防附着板4的情况下，在第一坩埚3以及第二坩埚2与防附着板4之间设有蒸发源挡板5。

根据上述结构，从第一坩埚3到基板7之间夹设有防附着板4和蒸发源挡板5双方。因此，能够减小来自第一坩埚3的辐射热对基板7的影响。

在上述说明中，以设置一片具有开口的防附着板4的结构为例进行了说明，但防附着板4也可以是2片、3片重叠，在该情况下，通过采用上述那样的蒸发源挡板移动结构，也能够更有效地减小来自第一坩埚3的辐射热对基板7的影响。

＜实施方式2＞

参照附图说明本发明的实施方式2。对于与实施方式1相同的结构标注相同的附图标记并省略说明。

图3是示出本实施方式的蒸发源装置中的蒸发源挡板5的冷却机构的要素的、从上面观察的概略剖视图(图3(a)、图3(c))和从侧面观察的概略剖视图(图3(b)、图3(d))。

图3(a)以及图3(b)示意性示出在蒸发源挡板5中作为冷却机构而设置的冷却用水路14的配置。由此，即使蒸发源挡板5因来自第一坩埚3等的辐射热而带热，也可以通过在冷却用水路14中流通冷却介质而将热从蒸发源挡板5散出。

进而，图3(c)以及图3(d)所示的蒸发源挡板5具备冷却用水路14，并且对蒸发源挡板5的与第一坩埚3相向的面实施相比于与第一坩埚3相向的面的相反侧的面容易吸收热的表面加工15。具体的表面加工15是辐射率高的材料(黑色材料)的涂敷、或聚四氟乙烯(包含氟化氢的树脂)的覆膜等。

作为另一示例，蒸发源挡板5的与第一坩埚3相向的面的部件可以使用相比于与第一坩埚3相向的面的相反侧的面的部件导热率高的部件(未图示)。

通过上述表面加工15或使用导热率高的部件，容易将从第一坩埚3等受到的辐射热的热量传递给设于蒸发源挡板5的冷却机构14，从而能够减小辐射热对基板7的影响。

＜实施方式3＞

参照附图说明本发明的实施方式3。对于与实施方式1相同的结构标注相同的附图标记并省略说明。

图4是本实施方式的蒸发源装置中的蒸发源挡板5的从上面观察的概略剖视图(图4(a))和从侧面观察的概略剖视图(图4(b))。在图4(b)所示的蒸发源挡板5的与第一坩埚3相向的面上设置有反射板16。

具体的反射板16的结构是相比于与第一坩埚3相向的面的相反侧的面辐射率低的表面加工或涂敷辐射率低的材料。作为另一具体的反射板16的结构而具有下述构造，即在蒸发源挡板5的与第一坩埚3相向的面上与蒸发源挡板5的主体之间隔着空间地配置辐射率低的表面加工或配置由辐射率低的材料形成的另一板材。

作为具体的材质，可以考虑钼或钽。

另外，通过将材质设为不锈钢或铝并对这些材质进行研磨来进行镜面加工，从而能够形成辐射率低的表面。

借助如上所述地在蒸发源挡板5上设置反射板16而对来自第一坩埚3等的辐射热进行反射，由此能够减小辐射热对基板7的影响。

进而，通过使辐射热返回第一坩埚3，从而具有提高加热第一坩埚的热效率的效果。

需要说明的是，可以将实施方式2中记载的冷却机构组合于本实施方式的蒸发源挡板5。

＜实施方式4＞

参照附图说明本发明的实施方式4。对于与实施方式1相同的结构标注相同的附图标记并简化说明。

图5示出在能够移动的移动支承体17上设置有包含第一坩埚3和第二坩埚2在内的四个坩埚的蒸发源装置1的蒸发源挡板5的从上面观察到的形态。需要说明的是，图5示出蒸发源挡板5为开放状态的形态、且使防附着板4的开口处于开放状态时的蒸发源挡板5的位置。

包含第一坩埚3和第二坩埚2在内的四个坩埚分别设置于能够移动的移动支承体17。移动支承体17例如通过向图示的移动支承体的移动方向的箭头方向一起移动而使各坩埚的位置移动。需要说明的是，移动支承体17的移动方向也可以是与箭头相反的方向。

在图5的实施方式4中具有四个坩埚。该四个坩埚中的一个位于防附着板4的开口的下方，并处于用于进行主加热的位置。将该坩埚设为第二坩埚2。另外，上述第二坩埚以外的三个坩埚中的一个处于被防附着板4和蒸发源挡板5覆盖的位置，处于用于进行预加热的位置。将该另一坩埚设为第一坩埚3。

需要说明的是，蒸发源挡板5通过沿着图示的蒸发源挡板的开闭方向移动而能够处于遮蔽状态。

在本实施方式中，也能够与实施方式1～3同样地减小辐射热对基板7的影响。

＜实施方式5＞

参照附图说明本发明的实施方式5。对于与实施方式1相同的结构标注相同的附图标记并简化说明。

图6示出在能够旋转的旋转支承体18上设有包含第一坩埚3和第二坩埚2在内的七个坩埚的蒸发源装置1的蒸发源挡板5的从上面观察到的形态。需要说明的是，图6示出蒸发源挡板5为开放状态的形态、且使防附着板4的开口处于开放状态时的蒸发源挡板5的位置。图7示出蒸发源挡板5的从横向观察到的形态、(a)示出防附着板4的开口的开放状态，(b)示出防附着板4的开口的遮蔽状态。

包含第一坩埚3和第二坩埚2在内的七个坩埚沿着能够旋转的旋转支承体18的周向设置。旋转支承体18例如通过向图示的旋转支承体的旋转的箭头方向旋转而使沿着旋转支承体18的周向设置的各个坩埚的位置移动。需要说明的是，旋转支承体18的旋转方向也可以是与旋转支承体的旋转的箭头相反的方向。

在图6的实施方式5中具有七个坩埚。该七个坩埚中的一个位于防附着板4的开口的下方，并处于用于进行主加热的位置。将该坩埚设为第二坩埚2。另外，上述第二坩埚以外的六个坩埚中的一个处于被防附着板4和蒸发源挡板5覆盖的位置，处于用于进行预加热的位置。将该另一坩埚设为第一坩埚3。

另外，在本实施方式中，通过形成在第二坩埚2和第一坩埚3之间配置有其他坩埚的位置关系，从而配置成减少预加热和主加热分别加热时的热影响。

需要说明的是，蒸发源挡板5通过沿着图示的蒸发源挡板的开闭方向移动而能够处于遮蔽状态。

在本实施方式中，也能够与实施方式1～4同样地减小辐射热对基板7的影响。

＜实施方式6＞

参照附图说明本发明的实施方式6。对于与实施方式1相同的结构标注相同的附图标记并简化说明。

图8示出在能够旋转的旋转支承体18上设有包含第一坩埚3和第二坩埚2在内的七个坩埚的蒸发源装置1的蒸发源挡板5的从上面观察到的形态。需要说明的是，图6示出蒸发源挡板5为开放状态的形态、且使防附着板4的开口处于开放状态时的蒸发源挡板5的位置。

包含第一坩埚3和第二坩埚2在内的七个坩埚沿着能够旋转的旋转支承体18的周向设置。旋转支承体18例如通过向图示的旋转支承体的旋转的箭头方向旋转而使沿着旋转支承体18的周向设置的各个坩埚的位置移动。需要说明的是，旋转支承体18的旋转方向也可以是与旋转支承体的旋转的箭头相反的方向。

本实施方式6是降低来自刚结束蒸镀后的蒸发源的辐射热的影响的结构。在蒸镀位置进行主加热的坩埚在来自该坩埚的蒸镀结束时，利用上述旋转支承体18将其移动至对坩埚进行冷却的位置，将位于预加热位置的坩埚移动到蒸镀位置继续进行蒸镀，不过移动到冷却位置的蒸镀结束了的坩埚由于余热而仍处于热的状态。在本实施方式6中，能够减小该刚结束蒸镀后的坩埚对基板7的辐射热的影响。

即，在图8的实施方式6中具有七个坩埚。该七个坩埚中的一个位于防附着板4的开口的下方，且处于用于进行主加热的位置。将该坩埚设为第二坩埚2。另外，上述第二坩埚以外的六个坩埚中的一个是蒸镀结束并利用旋转支承体18的旋转移动到冷却位置的刚结束蒸镀后的坩埚，其处于被防附着板4和蒸发源挡板5覆盖的位置。在本实施方式中，将该坩埚设为第一坩埚3。

另外，在本实施方式中，通过形成在第二坩埚2和第一坩埚3之间配置有其他坩埚的位置关系，从而配置成减少预加热和主加热分别加热时的热影响。

需要说明的是，蒸发源挡板5通过沿着图示的蒸发源挡板的开闭方向移动而能够处于遮蔽状态。在本实施方式以及实施方式5中，用于使蒸发源挡板5在开闭方向上移动的旋转轴如图8所示可以位于蒸发源的外侧(在周向上设有坩埚的旋转支承体18的径向外部)，也可以如图6所示位于蒸发源的内侧(在周向上设有坩埚的旋转支承体18的径向内部)。

在本实施方式中，也能够与实施方式1～5同样地减小辐射热对基板7的影响，尤其是能够降低来自刚结束蒸镀后的蒸发源的辐射热的影响。

＜成膜装置的成膜方法的实施例＞

下面，参照图1和图2对使用了本实施方式的蒸发源装置或成膜装置的成膜方法的一例进行说明。

本实施例的成膜方法包括蒸发源装置1的第一坩埚3和第二坩埚2的加热工序。首先，作为预加热工序，有下述工序：对设置于预加热位置的第一坩埚3内所收纳的蒸镀材料进行加热，使坩埚的温度上升至蒸镀材料成为蒸气的温度的工序。另外，作为主加热工序，有下述工序：将在预加热工序中被加温的坩埚移动至主加热位置，设为第二坩埚2，维持该第二坩埚2内的温度，以便能够维持使收纳在该第二坩埚2内的蒸镀材料成为蒸气的温度的工序。

进而，本实施例的成膜方法包括在蒸发源装置1的防附着板4的开口设置的蒸发源挡板5的开闭工序。首先，作为蒸发源挡板5的遮蔽工序，有使第二坩埚2内的被加热的蒸镀材料的蒸气处于遮蔽状态的工序。另外，作为开放工序，有下述工序：蒸发源挡板5与被防附着板4覆盖的第一坩埚3重叠，由此使第二坩埚2内的被加热的蒸镀材料的蒸气处于开放状态，在被基板支承架8保持的基板7上进行成膜的工序。

由此，在进行成膜期间，蒸发源挡板5覆盖被防附着板4覆盖的第一坩埚3，从而能够提供一种可减小来自第一坩埚3的辐射热对基板7的影响的成膜方法。

其结果是，能够抑制成膜中的基板7因辐射热而热变形从而导致成膜精度降低的情形、以及被成膜的膜的品质因辐射热而降低的情形。

＜电子设备的制造方法的实施例＞

下面，对使用本实施方式的成膜方法的电子设备的制造方法的一例进行说明。以下，作为电子设备的示例，例示了有机el显示装置的结构以及制造方法。

首先，对要制造的有机el显示装置进行说明。图9(a)是有机el显示装置60的整体图，图9(b)表示1个像素的剖面构造。

如图9(a)所示，在有机el显示装置60的显示区域61呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。每一个发光元件都具有具备被一对电极夹持的有机层的构造，详情将在后面说明。需要说明的是，此处所说的像素指的是在显示区域61中能够显示所期望的颜色的最小单位。在本实施例的有机el显示装置的情况下，通过显示相互不同的发光的第一发光元件62r、第二发光元件62g、第3发光元件62b的组合而构成像素62。像素62多由红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件的组合而构成，但也可以是黄色发光元件、青色发光元件、白色发光元件的组合，只要是至少1种颜色以上即可，没有特别限定。

图9(b)是图9(a)的a－b线处的局部剖面示意图。像素62具有有机el元件，该有机el元件在基板63上具有第一电极(阳极)64、空穴输送层65、发光层66r、66g、66b的任一层、电子输送层67、以及第二电极(阴极)68。其中，空穴输送层65、发光层66r、66g、66b、电子输送层67相当于有机层。另外，在本实施方式中，发光层66r是发红色的有机el层，发光层66g是发绿色的有机el层，发光层66b是发蓝色的有机el层。发光层66r、66g、66b形成与分别发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也被记述为有机el元件)对应的图案。另外，第一电极64按照每一发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67以及第二电极68既可以与多个发光元件62r、62g、62b共同形成，也可以按照每一发光元件形成。需要说明的是，为了防止第一电极64和第二电极68因异物而短路，在第一电极64之间设有绝缘层69。另外，由于有机el层会因水分、氧而老化，因此设有用于保护有机el元件免受水分、氧侵蚀的保护层70。

为了将有机el层形成为发光元件单位，使用经由掩模进行成膜的方法。近年来，显示装置的高精细化不断发展，在形成有机el层时使用开口宽度为数十μm的掩模。在使用这样的掩模进行成膜的情况下，如果掩模在成膜过程中从蒸发源受热而发生热变形，则掩模与基板的位置会发生偏离，在基板上形成的薄膜的图案会从所期望的位置偏离形成。因此，在上述有机el层的成膜中优选使用本发明的成膜装置(真空蒸镀装置)。

下面，具体说明有机el显示装置的制造方法的示例。

首先，准备形成有用于驱动有机el显示装置的电路(未图示)以及第一电极64的基板63。

在形成有第一电极64的基板63上利用旋涂形成丙烯酸树脂，并利用光刻法，以在形成有第一电极64的部分形成开口的方式对丙烯酸树脂进行图案化而形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。

将绝缘层69被图案化了的基板63输入第一成膜装置，利用基板支承架保持基板，将空穴输送层65作为共同的层而在显示区域的第一电极64上进行成膜。空穴输送层65通过真空蒸镀进行成膜。由于实际上空穴输送层65形成为比显示区域61大的尺寸，因此不需要高精细的掩模。

接着，将形成至空穴输送层65的基板63输入第二成膜装置，利用基板支承架进行保持。进行基板和掩模的对准，将基板载置于掩模之上，在基板63的配置发红色的元件的部分成膜发红色的发光层66r。根据本例，能够使掩模和基板良好地重叠，能够进行高精度的成膜。

与发光层66r的成膜同样地，利用第三成膜装置成膜发绿色的发光层66g，进而利用第四成膜装置成膜发蓝色的发光层66b。在发光层66r、66g、66b的成膜结束之后，利用第五成膜装置在显示区域61的整体成膜电子输送层67。电子输送层67对于3色的发光层66r、66g、66b作为共同的层而形成。

将形成至电子输送层65的基板移动至喷溅装置，成膜第二电极68，之后移动至等离子cvd装置而成膜保护层70，完成有机el显示装置60。

从将绝缘层69被图案化了的基板63输入成膜装置之后至保护层70的成膜结束为止，如果暴露在包含水分、氧的氛围中，则由有机el材料构成的发光层有可能因水分、氧而老化。因而，在本例中，在真空氛围或非活性气体氛围下进行基板在成膜装置间的输入输出。

这样得到的有机el显示装置按照每一发光元件高精度地形成发光层。因而，如果使用上述制造方法，则能够抑制因发光层的位置偏离而导致有机el显示装置发生不良。

需要说明的是，上述实施例示出本发明的一例，本发明不限于上述实施例的结构，在其技术构思的范围内当然可以适当变形。例如，在上述实施例中，利用基板支承架使基板移动，但也可以使作为载置体的掩模、或基板与掩模双方移动。在该情况下，除了基板的移动机构外，设置载置体的移动机构即可。