一种造渣熔炼后取渣设备及其使用方法

文档序号:3472269阅读:202来源:国知局
一种造渣熔炼后取渣设备及其使用方法
【专利摘要】本发明属于冶金造渣【技术领域】,特别涉及一种造渣熔炼后取渣设备及其使用方法,在原有造渣设备的基础之上增加了存渣器、石墨管和真空装置,首先将硅料和渣料加热至熔融态形成硅液和渣剂,停止加热,将石墨管伸入硅液底部,之后对硅液充气体;充气结束后,将石墨管移至渣剂表层,之后用真空罐对石墨管另一端抽真空,上层的渣剂在压力差作用下进入存渣器中,同时将石墨管向下伸入,保证石墨管底端浸入渣剂中,直至渣剂全部进入存渣器中,打开存渣器,将渣剂取出。本发明的优点在于设备改造安装方便,操作简单,石墨管能干净抽取渣剂,能有效取渣倾倒,使最终提纯的多晶硅品质提高,出成率提高,在生产中不产生灰尘等垃圾,适用于工业化大规模生产。
【专利说明】一种造渣熔炼后取渣设备及其使用方法

【技术领域】
[0001]本发明属于冶金造渣【技术领域】,特别涉及一种造渣熔炼后取渣设备及其使用方法。

【背景技术】
[0002]随着世界经济的发展和工业化进程的推进,人类对能源的需求与日剧增。在满足自身高速发展的同时,人类也面临着煤、石油、天然气等化石能源逐渐耗尽的危机,且无法回避环境污染严重的问题。与传统能源相比,太阳能发电具有清洁环保、安全便捷、资源充足等优点,是可再生的绿色能源,可以有效缓解能源短缺和环境污染的问题。因此,光伏能源被认为是21世纪最重要的新能源。
[0003]太阳能光伏产业的发展依赖于对硅原料的提纯,在多晶硅提纯的过程中包括造渣、定向凝固、电子束提纯和铸锭工艺。冶金法因具备工艺简单、成本较低的优点极具发展潜力。诸多方法中以造渣法要求设备最为简单,最容易工业化推广。因而造渣法最具现实的研究价值和应用前景。
[0004]在造渣工艺过程中,现有工艺要求向硅液内部吹气,使气体与渣料反应,同时还需要将熔融态造渣剂提取出来。在一般的工艺过程中,需要人工将坩埚翻转两次,一次是将渣剂排出,一次是将多晶硅熔液倒出。但是由于两种液态之间会有混合,导致最终倒出的多晶硅经常混有渣剂,不易分离。


【发明内容】

[0005]本发明目的是为克服以上不足,提供一种步骤少、节约成本,并且整个取渣过程减少污染的造渣熔炼后取渣设备及其使用方法。
[0006]本发明所述的一种造渣熔炼后取渣设备,包括悬臂吊,悬臂固定安装于悬臂吊之上,悬臂上固定安装有卷线机,卷线机悬挂连接有存渣器,其中存渣器的内壁与外壁之间为闭合空腔,该闭合空腔上连通有进水管和出水管,存渣器通过真空波纹管与真空罐相通连,还通过吹气管与气瓶相通连,其中真空罐通过连接管连接真空泵,存渣器的底部连通有石墨管,石墨管的出口端底部放置有石墨坩埚,石墨坩埚的外壁缠绕有感应线圈。
[0007]其中,存渣器外壁优选固定设置有把手,方便直接操作把手对存渣器进行晃动。
[0008]所述的真空波纹管上优选安装有真空阀门。
[0009]所述的吹气管上优选安装有气体阀门。
[0010]本发明所述的一种造渣熔炼后取渣设备的使用方法,首先将硅料和渣料加热至熔融态形成硅液和渣剂,停止加热,将石墨管伸入硅液底部,之后对硅液充气体;充气结束后,将石墨管移至渣剂表层,之后用真空罐对石墨管另一端抽真空,上层的渣剂在压力差作用下进入存渣器中,同时将石墨管向下伸入,保证石墨管底端浸入渣剂中,直至渣剂全部进入存渣器中,打开存渣器,将渣剂取出。
[0011]以上整个过程中进水管和出水管持续通水,进行循环水冷却。
[0012]其中,优选按照以下使用方法对造渣熔炼后取渣:
[0013]第一步前处理:将硅料和渣料放入石墨坩埚内,启动感应线圈的电源,将石墨坩埚中的硅料和渣料加热到1450?1650°C至完全熔化成熔融状态形成硅液和渣剂,并在此温度下保温30?60min ;
[0014]第二步充气:控制卷线机使存渣器下降,直至石墨管的底端下降到硅液的底部,此时打开气体阀门,将气体通入熔融娃液中,使气体与熔融娃液充分反应;
[0015]第三步取渣处理:充气工艺完毕,关闭气体阀门,控制卷线机使存渣器带动石墨管上升,脱离石墨坩埚;启动真空泵,将真空罐的真空度抽至1?lOOPa,存渣器内的真空腔室和石墨管形成压力差;控制卷线机使存渣器带动石墨管下降,将石墨管的底端放置到渣剂表面;打开真空阀门,在大气压作用下,将渣剂压入到存渣器内;边抽取边下降石墨管,保证石墨管底端浸入渣剂中,待到渣剂大部分被抽取完全后,降低石墨管到硅液液面,晃动存渣器(5),将残余在石墨坩埚的内壁上的渣剂和一部分硅液抽取到存渣器中;
[0016]第四步后处理:打开存渣器,将渣剂取出;将石墨坩埚倾倒,把提纯后的硅液倒出。
[0017]所述硅料优选为工业硅,其纯度为99.5%?99.9%。
[0018]所述气体优选为氩气和水蒸气的混合气,氩气作为保护气体。
[0019]本发明的优点:设备改造安装方便,操作简单,石墨管能干净抽取渣剂,能有效取渣倾倒,使最终提纯的多晶硅品质提高,出成率提高,而且此设备在生产中,在车间内不产生灰尘等垃圾,在硅渣分离的过程中,省略工人筛选工作,节约了生产周期和成本,适用于工业化大规模生产。通过真空抽取方式,利用压力差将熔融液态渣剂压入石墨管中,之后将其倒出,省掉了旧工艺的需要倾倒两次的弊端,同时悬臂吊的设计,可以实现半自动化生产,提高生产效率,减少工人操作危险,减少工艺环节,降低能耗。

【专利附图】

【附图说明】
[0020]图1为本发明的结构示意图;
[0021]图中:1、悬臂吊,2、悬臂,3、卷线机,4、把手,5、存渣器,6、石墨管,7、石墨坩埚,8、感应线圈,9、渣剂,10、硅液,11、出水管,12、进水管,13、真空泵,14、连接管,15、真空阀门,16、真空波纹管,17、真空罐,18、气体阀门,19、吹气管,20、气体,21、气瓶。

【具体实施方式】
[0022]下面结合具体实施例和附图详细说明本发明,但本发明并不局限于具体实施例。
[0023]实施例1
[0024]如图1所示的一种造渣熔炼后取渣设备,包括悬臂吊1,悬臂2固定安装于悬臂吊1之上,悬臂2上固定安装有卷线机3,卷线机3悬挂连接有存渣器5,其中存渣器5的内壁与外壁之间为闭合空腔,该闭合空腔上连通有进水12管和出水管11,存渣器5通过真空波纹管16与真空罐17相通连,还通过吹气管19与气瓶21相通连,其中真空罐17通过连接管14连接真空泵13,存渣器5的底部连通有石墨管6,石墨管6的出口端底部放置有石墨坩埚7,石墨坩埚7的外壁缠绕有感应线圈8。
[0025]其中,存渣器5外壁固定设置有把手4。
[0026]真空波纹管16上安装有真空阀门15。
[0027]吹气管19上安装有气体阀门18。
[0028]实施例2
[0029]使用实施例1所述的设备来取渣:
[0030]第一步前处理:将硅料和渣料放入石墨坩埚7内,启动感应线圈8的电源,将石墨坩埚7中的硅料和渣料加热到1500°C至完全熔化成熔融状态形成硅液10和渣剂9,并在此温度下保温30min ;
[0031]第二步充气:控制卷线机3使存渣器5下降,直至石墨管6的底端下降到硅液10的底部,此时打开气体阀门18,将气体20通入熔融硅液10中,使气体20与熔融硅液10充分反应;
[0032]第三步取渣处理:充气工艺完毕,关闭气体阀门18,控制卷线机3使存渣器5带动石墨管6上升,脱离石墨坩埚7 ;启动真空泵13,将真空罐17的真空度抽至10Pa,存渣器4内的真空腔室和石墨管6形成压力差;控制卷线机3使存渣器5带动石墨管6下降,将石墨管6的底端放置到渣剂9表面;打开真空阀门15,在大气压作用下,将渣剂9压入到存渣器5内;边抽取边下降石墨管6,保证石墨管6底端浸入渣剂9中,待到渣剂9大部分被抽取完全后,降低石墨管6到硅液10液面,晃动存渣器5,将残余在石墨坩埚7的内壁上的渣剂9和一部分硅液10抽取到存渣器5中;
[0033]第四步后处理:打开存渣器5,将渣剂9取出;将石墨坩埚7倾倒,把提纯后的硅液10倒出。
[0034]以上整个过程中进水管12和出水管11持续通水,进行循环水冷却。
[0035]硅料为工业硅,其纯度为99.5%。
[0036]气体20为氩气和水蒸气的混合气。
[0037]实施例3
[0038]使用实施例1所述的设备来取渣:
[0039]第一步前处理:将硅料和渣料放入石墨坩埚7内,启动感应线圈8的电源,将石墨坩埚7中的硅料和渣料加热到1500°C至完全熔化成熔融状态形成硅液10和渣剂9,并在此温度下保温50min ;
[0040]第二步充气:控制卷线机3使存渣器5下降,直至石墨管6的底端下降到硅液10的底部,此时打开气体阀门18,将气体20通入熔融硅液10中,使气体20与熔融硅液10充分反应;
[0041]第三步取渣处理:充气工艺完毕,关闭气体阀门18,控制卷线机3使存渣器5带动石墨管6上升,脱离石墨坩埚7 ;启动真空泵13,将真空罐17的真空度抽至50Pa,存渣器4内的真空腔室和石墨管6形成压力差;控制卷线机3使存渣器5带动石墨管6下降,将石墨管6的底端放置到渣剂9表面;打开真空阀门15,在大气压作用下,将渣剂9压入到存渣器5内;边抽取边下降石墨管6,保证石墨管6底端浸入渣剂9中,待到渣剂9大部分被抽取完全后,降低石墨管6到硅液10液面,晃动存渣器5,将残余在石墨坩埚7的内壁上的渣剂9和一部分硅液10抽取到存渣器5中;
[0042]第四步后处理:打开存渣器5,将渣剂9取出;将石墨坩埚7倾倒,把提纯后的硅液10倒出。
[0043]以上整个过程中进水管12和出水管11持续通水,进行循环水冷却。
[0044]硅料为工业硅,其纯度为99.9%。
[0045]气体20为氩气和水蒸气的混合气。
[0046]实施例4
[0047]使用实施例1所述的设备来取渣:
[0048]第一步前处理:将硅料和渣料放入石墨坩埚7内,启动感应线圈8的电源,将石墨坩埚7中的硅料和渣料加热到1500°C至完全熔化成熔融状态形成硅液10和渣剂9,并在此温度下保温60min ;
[0049]第二步充气:控制卷线机3使存渣器5下降,直至石墨管6的底端下降到硅液10的底部,此时打开气体阀门18,将气体20通入熔融硅液10中,使气体20与熔融硅液10充分反应;
[0050]第三步取渣处理:充气工艺完毕,关闭气体阀门18,控制卷线机3使存渣器5带动石墨管6上升,脱离石墨坩埚7 ;启动真空泵13,将真空罐17的真空度抽至50Pa,存渣器4内的真空腔室和石墨管6形成压力差;控制卷线机3使存渣器5带动石墨管6下降,将石墨管6的底端放置到渣剂9表面;打开真空阀门15,在大气压作用下,将渣剂9压入到存渣器5内;边抽取边下降石墨管6,保证石墨管6底端浸入渣剂9中,待到渣剂9大部分被抽取完全后,降低石墨管6到硅液10液面,晃动存渣器5,将残余在石墨坩埚7的内壁上的渣剂9和一部分硅液10抽取到存渣器5中;
[0051]第四步后处理:打开存渣器5,将渣剂9取出;将石墨坩埚7倾倒,把提纯后的硅液10倒出。
[0052]以上整个过程中进水管12和出水管11持续通水,进行循环水冷却。
[0053]硅料为工业硅,其纯度为99.7%。
[0054]气体20为氩气和水蒸气的混合气。
【权利要求】
1.一种造渣熔炼后取渣设备,包括悬臂吊(I),悬臂(2 )固定安装于悬臂吊(I)之上,悬臂(2)上固定安装有卷线机(3),其特征是:卷线机(3)悬挂连接有存渣器(5),其中存渣器(5)的内壁与外壁之间为闭合空腔,该闭合空腔上连通有进水管(12)和出水管(11),存渣器(5)通过真空波纹管(16)与真空罐(17)相通连,还通过吹气管(19)与气瓶(21)相通连,其中真空罐(17)通过连接管(14)连接真空泵(13),存渣器(5)的底部连通有石墨管(6),石墨管(6)的出口端底部放置有石墨坩埚(7),石墨坩埚(7)的外壁缠绕有感应线圈(8)。
2.根据权利要求1所述的一种造渣熔炼后取渣设备,其特征是:存渣器(5)外壁固定设置有把手(4)。
3.根据权利要求1所述的一种造渣熔炼后取渣设备,其特征是:所述的真空波纹管(16)上安装有真空阀门(15)。
4.根据权利要求1所述的一种造渣熔炼后取渣设备,其特征是:所述的吹气管(19)上安装有气体阀门(18)。
5.根据权利要求1所述的一种造渣熔炼后取渣设备的使用方法,其特征是:首先将硅料和渣料加热至熔融态形成硅液(10)和渣剂(9),停止加热,将石墨管(6)伸入硅液(10)底部,之后对硅液(10)充气体(20);充气结束后,将石墨管(6)移至渣剂(9)表层,之后用真空罐(17)对石墨管(6)另一端抽真空,上层的渣剂(9)在压力差作用下进入存渣器(5)中,同时将石墨管(6)向下伸入,保证石墨管(6)底端浸入渣剂(9)中,直至渣剂(9)全部进入存渣器(5)中,打开存渣器(5),将渣剂(9)取出。
6.根据权利要求5所述的一种造渣熔炼后取渣设备的使用方法,其特征是: 第一步前处理:将硅料和渣料放入石墨坩埚(7)内,启动感应线圈(8)的电源,将石墨坩埚(7)中的硅料和渣料加热到1450?1650°C至完全熔化成熔融状态形成硅液(10)和渣剂(9),并在此温度下保温30?60min ; 第二步充气:控制卷线机(3)使存渣器(5)下降,直至石墨管(6)的底端下降到硅液(10)的底部,此时打开气体阀门(18),将气体(20)通入熔融硅液(10)中,使气体(20)与熔融硅液(10)充分反应; 第三步取渣处理:充气工艺完毕,关闭气体阀门(18),控制卷线机(3)使存渣器(5)带动石墨管(6)上升,脱离石墨坩埚(7);启动真空泵(13),将真空罐(17)的真空度抽至I?lOOPa,存渣器(4)内的真空腔室和石墨管(6)形成压力差;控制卷线机(3)使存渣器(5)带动石墨管(6)下降,将石墨管(6)的底端放置到渣剂(9)表面;打开真空阀门(15),在大气压作用下,将渣剂(9)压入到存渣器(5)内;边抽取边下降石墨管(6),保证石墨管(6)底端浸入渣剂(9)中,待到渣剂(9)大部分被抽取完全后,降低石墨管(6)到硅液(10)液面,晃动存渣器(5),将残余在石墨坩埚(7)的内壁上的渣剂(9)和一部分硅液(10)抽取到存渣器(5)中; 第四步后处理:打开存渣器(5 ),将渣剂(9 )取出;将石墨坩埚(7 )倾倒,把提纯后的硅液(10)倒出。
7.根据权利要求5所述的一种造渣熔炼后取渣设备的使用方法,其特征是:所述硅料为工业硅,其纯度为99.5%?99.9%。
8.根据权利要求5所述的一种造渣熔炼后取渣设备的使用方法,其特征是:所述气体(20)为IS气和水蒸气的混合气。
【文档编号】C01B33/037GK104250008SQ201310167944
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2013年5月6日 优先权日:2013年5月6日
【发明者】顾正, 张磊 申请人:青岛隆盛晶硅科技有限公司
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