一种赛隆陶瓷靶材的制作方法与流程

技术特征：
1.一种赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，包括：提供包括氮化硅、氧化铝、氮化铝、助烧剂以及导电剂的原料粉末；所述导电剂为氮化钛或氮化钽；所述氮化硅、氧化铝、氮化铝、助烧剂以及导电剂的重量含量为：45～60wt％、2～10wt％、2～5wt％、5～10wt％、30～45wt％；将所述原料粉末混合均匀后，进行热压烧结处理，形成赛隆陶瓷靶材。2.根据权利要求1所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述热压烧结处理工艺包括：以5～10℃/min的速率加热至1200℃；之后，以1.5～3℃/min的速率加热至1300～1400℃；之后，以4～6℃/min的速率加热至1450～1700℃；以0.3～0.5MPa/min速率持续加压，至预设压强，所述预设压强大于20MPa；并在温度为1450～1700℃，预设压强条件下保温保压加热4～7h。3.根据权利要求2所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述预设压强大于20MPa且小于或等于30MPa。4.根据权利要求1所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述热压烧结处理在保护气氛下进行。5.根据权利要求4述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述保护气氛包括Ar、He或是N2气氛。6.根据权利要求1所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，将原料粉末混合均匀的方法为球磨工艺。7.根据权利要求6所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述球磨工艺包括：将所述原料粉末置于球磨罐中，添入分散介质后，球磨16～24h。8.根据权利要求7所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述球磨工艺包括：以氧化锆或氧化铝作为球磨介质。9.根据权利要求7所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述分散 介质为无水乙醇和/或甘油。10.根据权利要求9所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，还包括：在所述球磨工艺后，对所述原料粉末进行干燥处理。11.根据权利要求10所述的赛隆陶瓷靶材的制作方法，其特征在于，所述干燥处理的温度小于分散介质的沸点。