1.一种碳化硅晶体生长设备，其特征在于，包括：
真空腔室，包括具有开口端部的真空腔体和密封安装于所述开口端部的密封法兰；
腔室加热装置，用于给所述真空腔室加热；
坩埚装置，设置于所述真空腔室内，包括具有顶端开口的坩埚本体和密封盖在所述顶端开口的坩埚盖，所述坩埚本体用于盛装碳化硅料，所述坩埚盖底部设有一籽晶，该籽晶能生长成一晶体；
坩埚盖加热装置，用于加热所述坩埚盖；
控制装置，包括：
温度采集器，用于采集所述坩埚盖底部的温度数据；
控制器，其内部存储有多条随着晶体生长厚度变化的晶体背面温度曲线，所述控制器用于接收所述温度采集器发送的所述坩埚盖底部温度数据，并依此控制所述坩埚盖加热装置，以使所述坩埚盖温度与所述晶体背面温度曲线保持一致。
2.如权利要求1的碳化硅晶体生长设备，其特征在于，所述坩埚盖呈筒形，具有筒底和筒体，所述坩埚盖加热装置设置于所述筒体内并邻近或接触所述筒底。
3.如权利要求2的碳化硅晶体生长设备，其特征在于，所述坩埚盖的筒底的厚度为3mm-5mm。
4.如权利要求2的碳化硅晶体生长设备，其特征在于，所述筒体的具有所述筒底的端部外周设有环形槽，该环形槽具有侧密封部和端密封部，所述坩埚本体的内侧面和顶端面分别对应配合于所述侧密封部和端密封部。
5.如权利要求1的碳化硅晶体生长设备，其特征在于，所述坩埚盖加热装置是涡旋感应加热线圈，所述坩埚盖加热装置与所述坩埚盖之间的间隙为8-15mm。
6.如权利要求5的碳化硅晶体生长设备，其特征在于，所述涡旋感应加热线圈上连接加热电极，并通过所述加热电极固定于所述密封法兰上。
7.如权利要求5的碳化硅晶体生长设备，其特征在于，所述涡旋感应加热线圈的横截面呈中空的矩形形状。
8.如权利要求7的碳化硅晶体生长设备，其特征在于，所述涡旋感应加热线圈的两端部分别连接一冷却水管。
9.如权利要求1的碳化硅晶体生长设备，其特征在于，所述温度采集器是红外测温仪，所述密封法兰上设有测温孔，所述坩埚盖加热装置在对应于所述测温孔位置设有通孔。
10.如权利要求1的碳化硅晶体生长设备，其特征在于，还包括：
保温装置，设置于所述真空腔室内，并包围所述坩埚本体以及部分所述坩埚盖。