技术总结
本实用新型涉及碳化硅籽晶生长技术领域，具体为一种碳化硅的生长装置。该装置采用液压伸缩杆以及空心管状籽晶轴设计，通过加入第一伸缩杆的方式，能够自主调控籽晶与坩埚之间的距离，同时由于坩埚两侧对称设有第二液压伸缩杆且第二液压伸缩杆之间的中心轴线与籽晶托架中心轴线重合，保证了籽晶的中心与坩埚中心的快速对齐，节省操作时间，大大提高了工作效率；同时，籽晶轴采用空心管状结构，减少了形变，延长了使用寿命；通过使用籽晶托架，避免了晶体内局部应力大造成开裂、缺陷多等情况，可以生长出高质量的SiC晶体。
技术研发人员：于国建;宗艳民;宋生
受保护的技术使用者：山东天岳晶体材料有限公司
文档号码：201620598511
技术研发日：2016.06.17
技术公布日：2017.01.11