本实用新型涉及一种带有托碗的坩埚,属于碳化硅生产设备技术领域。
背景技术:
现有的液相法生长碳化硅晶体技术,都是通过加热的方式将硅在高纯石墨坩埚中融化,形成碳在硅中的溶液,再将头部贴付有籽晶的石墨轴伸入到溶液中进行生长。
由于石墨坩埚为开放式设计,所以在高温状态下,硅会挥发形成硅蒸汽,在石墨坩埚顶部有保温材料,硅蒸汽会和多孔的石墨纤维保温材料反应,生成碳化硅晶须,晶须会逐渐长大,并会和籽晶轴碰撞、折断进入溶液,随着溶液的流动,在上保温生成的晶须可能会带入晶体生长前沿,形成杂晶,干扰正常的晶体生长进程,使晶体质量变差,甚至使整块晶体报废,所以必须防止生成的晶须回落到溶液中去。
技术实现要素:
针对液相法生长碳化硅晶体过程中晶须回落到溶液中的问题,本实用新型提出了一种带有托碗的坩埚设计方案。
为实现上述目的,本实用新型的具体技术方案是:
一种带有托碗的坩埚,包括坩埚体、坩埚盖和石墨托碗,其中坩埚盖厚6mm,在坩埚盖内壁上设置宽度为3mm,深度为3mm的环形凹槽,在环形凹槽外径设有螺纹,石墨托碗在碗壁外沿上端设置与环形凹槽相匹配的螺纹,石墨托碗开口向上,石墨托碗通过螺纹连接在坩埚盖 上,石墨托碗中心设置通孔,籽晶轴通过石墨托碗的通孔伸入坩埚中。
进一步地,石墨托碗的通孔直径比籽晶轴直径大4mm。
进一步地,石墨托碗为薄壁结构,碗壁厚度3mm,底部厚度为2mm。
石墨托碗强度相对脆弱,在晶体生长结束直径变大的情况下,可以通过破坏石墨托碗的形式将晶体提拉出坩埚,保证生长晶体正常的提出坩埚又不损坏晶体和长晶炉提拉装置。
由于石墨托碗的存在,硅蒸汽的挥发受到阻挡,可减少对上保温的侵蚀和晶须的生成,并且即使晶须长大后碰到石墨轴断裂,也会被托碗接住,防止晶须对溶液的污染,保证晶体生长质量。
附图说明
图1是本实用新型一种带有托碗的坩埚结构示意图;
图2是图1中A的局部放大图;
图3是石墨托碗剖视图;
图4是石墨托碗俯视图;
图中,1为籽晶轴,2为坩埚盖,3为石墨托碗,4为通孔。
具体实施方式
如图所示,一种带有托碗的坩埚,包括籽晶轴1,坩埚盖2,石墨托碗3,通孔4。
坩埚盖2厚6mm,在坩埚盖2内壁上设置宽度为3mm,深度为3mm的环形凹槽,在环形凹槽外径设有螺纹,石墨托碗3在碗壁外沿上端设置与环形凹槽相匹配的螺纹,石墨托碗3开口向上,石墨托碗3通过螺纹连接在坩埚盖2上,石墨托碗3中心设置通孔4,籽晶轴1通 过石墨托碗3的通孔4伸入坩埚中。
所述石墨托碗3的通孔4直径比籽晶轴直径1大4mm。
所述石墨托碗3为薄壁结构,碗壁厚度3mm,底部厚度为2mm。