半导体的制造方法以及SiC基板与流程

技术总结
提供通过在外延生长之前处理SiC基板的表面，降低了堆垛层错等晶体缺陷的半导体器件。在一个实施方式中，在与SiC基板的<‑1100>方向垂直的方向上，形成周期性的纹理，在所述SiC基板的基底面和所形成的纹理的面所成的角比偏离角更小的所述SiC基板上，进行外延成膜。

技术研发人员：铃木克纪
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
文档号码：201680003021
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.05.31