技术特征：
技术总结
本发明公开负载四氧化三钴的氧化铜纳米棒的合成方法，利用热生长法制备得到氧化铜纳米棒，并用水热化学法在氧化铜纳米棒上进行四氧化三钴的负载，氧化铜纳米棒的直径为150‑250nm，四氧化三钴为10‑15nm且均匀的包覆在氧化铜纳米棒的表面上。本发明实施费用低、操作简便，污染低，是一种高效经济的合成方法，同时本发明的材料结构稳定且具有阴极电催化性能。
技术研发人员：梁砚琴;陈瑞雪;崔振铎;杨贤金;朱胜利;李朝阳
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2015.04.08
技术公布日：2017.10.10