一种锂电池正极材料及其制备方法

文档序号:8938309阅读:523来源:国知局
一种锂电池正极材料及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于电池电极材料的制备领域,具体设及一种裡电池正极材料及其制备方 法。
【背景技术】
[0002] 能源短缺已日益成为当今社会最为核屯、的问题之一,为此人们也在努力的探索发 现新型能源,用W替代不可再生的且日益枯竭的化石能源。到目前为止,已有多种绿色新能 源被运用于社会生活中,比如,裡离子电池、蓄电池、燃料电池化及太阳能电池等。其中,裡 离子电池在过去的几十年里已经取得了长足的进展,作为二次电池的裡电池已经在当今社 会生活中发挥了不可替代的作用。但是,作为新能源的重要组成部分,裡电池的发展境况在 面对当今社会对新能源的要求上表现得略显乏力。主要的原因就在于近年来裡离子电池正 极材料的研究进展有限,目前社会上运用的主要还是停留在由Co、Ni、MnW及化构成的富 裡金属氧化合物(而负极的研究在近年来相对已经取得了较大的进展),如钻酸裡、儘酸裡 W及憐酸铁裡等。
[0003] 因此,W-种全新的合成路径,获得新型结构的裡电池正极材料,寻求突破现有正 极材料合成方法的定性思维,已经成为业界普遍关注的问题之一。

【发明内容】

[0004] 本发明的目的在于针对现有技术不足,提供一种裡电池正极材料及其制备方法。 该裡电池正极材料的活性成分是八面体单晶化合物,具有优良的电化学性能,如较高的首 次充放电比容量,良好的离子电导率。
[0005] 为了达到本发明目的,本发明采用如下技术方案: 一种裡电池正极材料,其活性材料为八面体单晶化合物,其分子式为 (NH3CH2CH2NH3)2ILie[V12B1A4(OH)S]}。
[0006] 所述的活性材料的制备方法为: (1) 取偏饥酸锭,棚酸,氯化裡,乙酸钻,草酸,置于内衬为聚四氣乙締的高压反应蓋中, 加入蒸馈水,混合均匀,磁力揽拌30min; (2) 然后用乙二胺调节抑值至8. 00~8.50 ; (3) 最后将反应蓋置于160 °C下恒溫120小时后,使之自然冷却至室溫,抽滤得到栋色 的八面体单晶化合物。
[0007] 步骤(1)中偏饥酸锭、棚酸、氯化裡、乙酸钻、草酸的质量比为:2:7:8:1:3。
[000引所述的裡电池正极材料,由W下组分按照重量份制备而成:(畑3邸2邸2畑3)2|1王6 [Vi2Bis054(OH)J}活性材料80~85份,导电材料10~15份,粘接材料5~10份。
[0009] 所述的活性材料在使用前需进行预处理:将晶体材料研磨成粉末,并将粉末置于 120°C的真空干燥箱中干燥24小时。
[0010] 所述的裡电池正极材料的应用:W裡片为负极,WImol/L的LiPI^e为电解液,组装 成扣式电池。
[0011] 本发明的有益效果在于: 1) 本发明的活性材料制备方法简单,原料廉价易得,易于获得; 2) 本发明的活性材料为八面体单晶化合物,是一种全新的结构类型,作为裡电池正极 材料使用,能使裡离子正极材料具备优良的电化学性能,如较高的首次充放电比容量,良好 的离子电导率。
【附图说明】
[001引图1是化合物(NH3CH2CH2NH3)2ILie[VizBl诉54伽)S] }的晶体结构示意图; 图2是化合物(畑3邸2邸2畑3)2|116 [Vi2Bis054(0H)s]}的邸D粉末衍射图; 图3是化合物(畑3邸2邸2畑3)2|116 [Vi2Bis054(0H)s]}的红外谱图; 图4是化合物(NHsCHzCHzNHs)ZlLie[Vi2Bis054(OH)JI的紫外可见固体漫反射光谱图; 图5是化合物(畑3邸2邸2畑3)2{116 [Vi2Bis054(0H)s]}的热重分析谱图; 图6是电池的循环伏安曲线; 图7是电池的首次充放电曲线; 图8是电池的充放电曲线; 图9是电池的循环特性曲线; 图10是电池的交流阻抗曲线。
【具体实施方式】
[0013] 本发明用下列实施例来进一步说明本发明,但本发明的保护范围并不限于下列实 施例。
[0014] 实施例1 裡电池正极材料制备方法,包括如下步骤: (1)活性材料的合成:称取偏饥酸锭0. 2000g,棚酸0. 7000g,氯化裡0. 8000g,乙酸 钻0.1000g,草酸0.3000g,置于25. 00ml的内衬为聚四氣乙締的高压反应蓋中,加入蒸 馈水10. 00ml,混合均匀,磁力揽拌30min后用乙二胺调节抑值至8. 20。最后将反应蓋置 于160°C下恒溫120小时后,然后使之自然冷却至室溫。抽滤得到栋色的八面体单晶化合 物(按饥计算产率约为70%)。虽然乙酸钻的化学成分并没有在实验的最终结果上得W体 现,但是据多次的实验结果表明,缺乏乙酸钻便无法获得该化合物,乙酸钻在合成实验中可 能起着矿化剂的作用。
[0015] (2)活性材料的预处理:将晶体材料研磨成粉末,并将粉末置于120DC的真空干 燥箱中干燥24小时,W便最大程度的去除材料中的水分; (3)正极材料的制备:按照重量份计,由W下组分制备而成,活性材料80~85份,导电材 料10~15份,粘接材料5~10份,所述导电材料为乙烘黑。
[0016] 活性材料的单晶衍射解析 X-射线单晶衍射法是目前测定单晶结构最常用且有效的方法。图1是在福州大学物 理化学国家重点学科公共测试中屯、的化gakuR-Axis-ParidWeissenbergeIP衍射仪上, 于293(2)K溫度下,采用石墨单色化的Mo祀Ka射线(A=O. 71073A)W0-2 0扫描方 式在一定范围内进行晶体晶胞参数的测定和衍射强度数据的收集。选择I〉2O(I)的独立 衍射点,用于单晶结构解析。
[0017]表1化合物的晶体学数据
活性材料的表征 (I)XRD粉末衍射表征 X-射线粉末衍射数据是在福州大学化学学院实验教学中屯、的化gaku公Mini-FlexII台式粉末衍射仪上测定所得。衍射仪采用X'Celerator探测器,化祀Ka(A=I. 54178A) 福射,扫描范围2 0为沪~55%扫描步长为0.02'>'3 1,扫描速率为0.Isec'stepi。如图2 所示测试结果表明化合物的XRD衍射峰位与通过单晶数据模拟出来的峰位相一致,说明粉 末为纯相。
[0018] (2)红外光谱表征 红外光谱是室溫下使用我校物理化学重点学科的化rkin-ElmerSpectrum2000FT-IR光谱
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