专利名称：：基于环戊并菲的化合物和采用该化合物的有机电致发光器件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种基于环戊并菲(cyclopentaphenanthrene-based)的化合物和采用该化合物的有机电致发光器件。更具体地，本发明涉及一种基于环戊并菲的化合物和包括由该基于环戊并菲的化合物制成的有机层的有机电致发光器件。
背景技术：
：有机电致发光(EL)器件为有源发光显示器件，当电流施加到有机层时，和空穴的复合而发光。该有机EL器件具有优点诸如重量轻、筒单构成元件、容易的制造工艺、优良的图像质量、和宽视角。此外，该有机EL器件可完美地制造动态图像，获得高色纯度，且由于低功耗和低驱动电压具有适于便携式电子设备的电特性。EastmanKodakCo.开发了采用铝会啉醇络合物层和三苯胺衍生物层的多层结构的有机EL器件(美国专利4,885,211)，和包括由低分子量材料制成的有机发光层的有机EL器件，该低分子量材料能覆盖从UV到可见光的宽发光波长范围(美国专利5,151,629)。发光器件为自发光的器件，且具有宽视角、良好对比度、和迅速响应发光器件相比，该OLED显示出更好的亮度、驱动电压、和响应速度特性，且可获得多色变化，且因此对OLED进行了很多研究。通常，OLED具有阳极、有机发光层和阴极的堆叠结构。OLED也可有各种结构，诸如阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极或阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极。根据形成有机层的方法，用于OLED的材料可分为真空沉积材料和溶液涂布材料。该真空沉积材料在500。C或更低温度下必须具有10-6托或更高的蒸汽压力，且可为具有1200或更低的分子量的低分子量材料。该溶液涂布材料在溶剂中必须具有高溶解度以制备溶液，且主要包括芳族或杂环化合物。在采用真空沉积工艺制造OLED的情况中，由于使用真空体系，制造成本增加。在采用遮光板(shadowmask)形成用于天然色显示的像素的情况中，很难获得高分辨率像素。另一方面，在采用溶液涂布工艺诸如喷墨印刷、丝网印刷或旋涂制造OLED的情况中，制造容易，制造成本低，且与采用遮光板的情况相比较可获得相对好的分辨率。然而，可用于溶液涂布工艺的材料的发光分子的热稳定性、色纯度等比可用于真空沉积工艺的材料差。即使当可用于溶液》聚布工艺的材料的发光分子在热稳定性、色纯度等方面优异时，在它们制成有机层之后该材料也可结晶以生成对应于可见光波长范围的晶粒尺寸，由此散射可见光，导致混浊现象，且可形成针孔，由此导致器件恶化。曰本专利公开No.1999-003782公开了一种由两个萘基取代的蒽化合物，该化合物可用于发光层或空穴注入层。然而，该蒽化合物在溶剂中具有差的溶解度，且采用该化合物的OLED展示不令人满意的特性。因此，仍需要开发具有改进的驱动电压、亮度、效率和色纯度、和良好的热稳定性的有机EL器件。
发明内容本发明提供一种基于环戊并菲的化合物，该化合物可用于干法和湿法，且具有良好的热稳定性、发光特性和电荷传输，和提供采用该化合物的有机EL器件。根据本发明的一方面，提供由下式l表示的基于环戊并菲的化合物<式1><formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>其中Y和Q相同或不同且各自为取代或未取代的C2-C3o亚烷基、取代或未取代的CVC3o亚环烷基，取代或未取代的CVC3G亚芳基，取代或未取代的CVC3()杂亚芳基，或取代或未取代的C2-C3。亚烯基；M为0到5的整数；n为0到5的整数；当m和n各自为2或更大的整数时，各个Q和Y可不同；R4和R2相同或不同且各自为氢、卣素、氰基、羟基、取代或未取代的C广C2Q烷基、取代或未取代的C3-C2Q环烷基、取代或未取代的C5-C3。杂环烷基、取代或未取代的d-C2。烷氧基、取代或未取代的Q-C3()芳基、取代或未取代的CVC3o芳烷基、取代或未取代的C2-C3o杂芳基；R3、R4、R5、R6、R7和R8相同或不同且各自为氢、卣素、氰基、羟基、取代或未取代的C广C2。烷基、取代或未取代的CrC2o环烷基、取代或未取代的Cs-C30杂环烷基、取代或未取代的Q-C2o烷氧基、取代或未取代的C6-C3()芳基、取代或未取代的C6-C3Q芳烷基、取代或未取代的C2-C3。杂芳基、-N(G0(G2)、或-Si(G3)(G4)(G5)，其中G,、G2、G3、G4和Gs各自独立为氢、取代或未取代的d-C20烷基、取代或未取代的CVC3o芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的Cs-C20环烷基、或取代或未取代的C5-C30杂环烷基；Z,、Z2、Z3和Z4相同或不同，且各自为取代或未取代的d-C20烷基、取代或未取代的C3-C加环烷基、取代或未取代的Cs-C30杂环烷基、取代或未取代的C「C2Q烷氧基、取代或未取代的CVC3。芳基、取代或未取代的C2-C3o杂芳基、取代或未取代的Q-C30芳烷基、取代或未取代的C8-C3。烯丙基芳基、取代或未取代的d-C20亚烷基、取代或未取代的(VC3。亚芳基、或取代或未取代的C2-C3。杂亚芳基；X为单键、-CH=CH-、-0-、-S-、-Se-、或其中R'和R"与R3相同的-C(R'R")-、或其中p为1到10的整数的-(CH2)p-;和o为0或1;和当连接在一起时R！和R2形成取代或未取代的C3-C2。脂族环、取代或未取代的C5-C3。杂脂族环、取代或未取代的C6-C3。芳族环、或取代或未取代的C2-C3。杂芳族环。Rj和R2可连接在一起以形成由下式2-5表示的环之一<式2><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>其中R9，相同或不同且各自为氢、卣素、氰基、羟基、取代或未取代的CrC2()烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的CrC加烷氧基、取代或未取代的C6-c3q芳基、取代或未取代的C6-C3。芳烷基、取代或未取代的C2-C3q杂芳基、-T^GiXG^或-Si(G3)(G4)(G5),其中Gi、G2、G3、G4和Gs各自独立为氢、取代或未取代的d-C2。烷基、取代或未取代的CVC3o芳基、取代或未取代的C2-C3o杂芳基、取代或未取代的CrC2o环烷基、或取代或未取代的Cs-C3o杂环烷基；和A为单键、-O-、國S-、-(CH2)s-，其中s为l到5的整数。根据本发明的实施方案，式1的基于环戊并菲的化合物可选自由下式6-8表示的化合物<式6>其中，Y和Q相同或不同且各自为取代或未取代的CVC3o亚烷基、取代或未取代的CVC30亚环烷基、取代或未取代的CVC30亚芳基、取代或未取代的C2-C3。杂亚芳基、或取代或未取代的C2-C3Q亚烯基；m为0到5的整数；n为0到5的整数；当m和n各自为2或更大的整数时，各个Q和Y可不同；R/和R2相同或不同且各自为氢、卣素、氰基、羟基、取代或未取代的C厂C2o烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的Cs-C30杂环烷基、取代或未取代的C广C2o烷氧基、取代或未取代的C6-C3。芳基、取代或未取代的C6-C3o芳烷基、取代或未取代的CVC30杂芳基；Z2、Z3和Z4相同或不同且各自为取代或未取代的d-C20烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的Cs-C30杂环烷基、取代或未取代的d-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C3。芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的CVC30芳烷基、取代或未取代的Cs-C30烯丙基芳基、取代或未取代的CrC2。亚烷基、取代或未取代的Q-C3Q亚芳基、或取代或未取代的CVC3o杂亚芳基；X为单键、-CH=CH-、-O-、-S-、-Se-、或其中R'和R"与R3相同的-C(R'R")-、或其中p为1到10的整数的-(CH2)p-;o为0或1;和RV相同或不同且各自为氢、卤素、氰基、羟基、取代或未取代的C广C20烷基、取代或未取代的CVC2。环烷基、取代或未取代的Cs-C3Q杂环烷基、取代或未取代的CrC2o烷氧基、取代或未取代的C6-C3。芳基、取代或未取代的C6-C3Q芳烷基、取代或未取代的C2-C3Q杂芳基、-N(G,)(G2)、或-Si(G3)(G4)(G5),其中Gi、G2、G3、G4和Gs各自独立为氢、取代或未取代的C广C2o烷基、取代或未取代的Q-C3o芳基、取代或未取代的CVC3o杂芳基、取代或未取代的Cs-C20环烷基、或取代或未取代的Cs-C3()杂环烷基。根据本发明的另一方面，提供一种有机EL器件，其包括:第一电极；第二电极；和插入在第一电极和第二电极之间的至少一层有机层，该有机层包括上述有机发光化合物。通过参见附图详细描述其说明性实施方案，本发明上述和其它特征以及优点将变得更加明晰，其中图1A到1C为说明根据本发明实施方案的有机EL器件的示意图；和图2A和2B是说明根据本发明实施方案的有机EL器件的电压-效率特性的图。具体实施例方式现在参见附图将更全面地描述本发明，其中示出本发明的说明性实施方案。本发明提供由下式1表示的基于环戊并菲的化合物<式1><formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>其中，Y和Q相同或不同且各自为取代或未取代的C2-C3o亚烷基、取代或未取代的CVC3。亚环烷基、取代或未取代的C6-C3Q亚芳基、取代或未取代的CVC3。杂亚芳基、或取代或未取代的C2-C30亚烯基；m为0到5的整数，优选0到2的整数；n为0到5的整数，优选0到2的整数；当m和n各自为2或更大的整数时，各个Q和Y可不同；R^和R2相同或不同且各自为氢、卣素、氰基、羟基、取代或未取代的d-C加烷基、取代或未取代的C3-C2o环烷基、取代或未取代的CrC3Q杂环烷基、取代或未取代的d-C2。烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的Q-C3。芳烷基、取代或未取代的C2-C3o杂芳基；R3、R4、R5、R6、R7和Rs相同或不同且各自为氢、卤素、氰基、羟基、取代或未取代的d-C2。烷基、取代或未取代的C3-C2。环烷基、取代或未取代的Cs-C30杂环烷基、取代或未取代的d-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C3。芳烷基、取代或未取代的C2-C3Q杂芳基、扁N(G!)(G2)、或-Si(G3)(G4)(G5)，其中G"G2、G3、G4、和Gs各自独立地为氢、取代或未取代的d-C2。烷基、取代或未取代的Q-C3()芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的Cs-C20环烷基、或取代或未取代的C5-C3。杂环烷基；Zj、Z2、Z3和Z4相同或不同且各自为取代或未取代的d-C20烷基、取代或未取代的CrC2o环烷基、取代或未取代的Cs-C3o杂环烷基、取代或未取代的C广C2o烷氧基、取代或未取代的Q-C3o芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C6-C3。芳烷基、取代或未取代的Q-C3。烯丙基芳基、取代或未取代的d-C2o亚烷基、取代或未取代的CVC3o亚芳基、或取代或未取代的0<:30杂亚芳基；X为单键、-CH=CH-、-0-、-S-、-Se-、或其中R'和R"与R3相同的-C(R'R")-、或其中p为1到10的整数的-(CH2)p-;和o为0或1;禾口当连接在一起时R,和R2形成取代或未取代的CVC20脂族环、取代或未取代的CrC3。杂脂族环、取代或未取代的C6-C3o芳族环、或取代或未取代的CrC3。杂芳族环。Ri和R2可连接在一起以形成由下式2-5表示的环之一<式2>其中R9，相同或不同且各自为氢、卣素、氰基、羟基、取代或未取代的CVC20烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的CVC30杂环烷基、取代或未取代的CrC加烷氧基、取代或未取代的C6-C3。芳基、取代或19未取代的C6-C3。芳烷基、取代或未取代的C2-C3。杂芳基、-N^iXG^或-Si(G3)(G4)(G5),其中G2、G3、G4和Gs各自独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C3o芳基、取代或未取代的C2-C3()杂芳基、取代或未取代的CrC2o环烷基、或取代或未取代的Cs-C3o杂环烷基；和A为单键、-O-、-S-、或-(CH2)s-，其中s为l到5的整数。特別地，在式1-5的化合物中，通过增加化合物的溶解度和无定形性质，到R9用于增强薄膜加工性。根据本发明式1的化合物可选自下式6-8表示的化合物<式6><formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><式7〉<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><式8><formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>其中，Y和Q相同或不同且各自为取代或未取代的C2-C3C)亚烷基、取代或未取代的CVC30亚环烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、或取代或未取代的C2-C3。亚烯基；m为0到5的整数，优选0到2的整数；n为0到5的整数，优选0到2的整数；当m和n各自为2或更大的整数，各个Q和Y可不同；R1和R2相同或不同且各自为氢、卣素、氰基、羟基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C2Q环烷基、取代或未取代的CVC3()杂环烷基、取代或未取代的d-C2。烷氧基、取代或未取代的CVC3。芳基、取代或未取代的Q-C3o芳烷基、取代或未取代的C2-C3。杂芳基；Z1、Z2、23和Z4相同或不同且各自为取代或未取代的C厂C20烷基、取代或未取代的CrC2。环烷基、取代或未取代的Cs-C3。杂环烷基、取代或未取代的C广C20烷氧基、取代或未取代的C6-C3Q芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C6-C3o芳烷基、取代或未取代的CrC3o烯丙基芳基、取代或未取代的Q-C20亚烷基、取代或未取代的C6-C3Q亚芳基、或取代或未取代的CrC3o杂亚芳基；X为单键、-CH=CH-、-0-、-S-、-Se-、或其中R'和R"与R3相同的-C(R'R")-、或其中p为i到10的整数的-(CH2)p-;o为0或1;和Ru)，相同或不同且各自为氢、卣素、氰基、羟基、取代或未取代的C厂C20烷基、取代或未取代的CrC2。环烷基、取代或未取代的CrC3o杂环烷基、取代或未取代的C,-C2。烷氧基、取代或未取代的C6-C3o芳基、取代或未取代的C6-C3Q芳烷基、取代或未取代的C2-C3。杂芳基、-NCGiXG^或-Si(G3)(G4)(G5),其中GpG2、G3、G4、和Gs各自独立为氢、取代或未取代的d-C2。烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C5-C2o环烷基、或取代或未取代的CrC3o杂环烷基。在上式中，"芳基"指的是具有芳族环体系的一价基团且可含有两个或多个环体系。两个或多个环体系可彼此连接或可稠合。"杂芳基"指的是其中至少一个碳原子被选自N、O、S和P的至少一种取代的芳基。"环烷基"指的是具有环体系的烷基，且"杂环烷基"指的是其中至少一个碳原子被选自N、0、S和P的至少一种取代的环烷基。在上式中，烷基、烷氧基、芳基、杂芳基、环烷基和杂环烷基可以被选自以下的至少一种取代基取代-F;-C1;-Br;-CN;-N02;-OH;d-C^o烷基，其为未取代的或由-F、-Cl、-Br、-CN、-N02或-0H取代；C广C2。烷氧基，其为未取代的或由-F、-Cl、-Br、-CN、-N02或-OH取代；C6-C30芳基，其为未取代的或由d-C加烷基、d-C2o烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-N02或-OH取代；CVC3o杂芳基，其为未取代的或由Q-C2o烷基、CrC2o烷氧基、陽F、-Cl、-Br、-CN、->!02或-01€取代；(^5-(:20环烷基，其为未取代的或由C广C2o烷基、C广C2。烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-N02或-OH取代;C5-C30杂环烷基，其为未取代的或由C广C2o烷基、C广C2o烷氧基、-F、-Cl、-Br、-CN、-N02或-OH取代；和-N(G6)(G》。这时，。6和G7相同或不同且各自可以为氢；d-Cu)烷基；或由Crdo烷基取代的C6-C3o芳基。更具体地，Ri-R^相同或不同且各自可以选自氢、卣素、氰基、羟基、Q-do烷基、d-C.K)烷氧基和取代或未取代的如下基团苯基、联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、偶苯基(biphenylenyl)、蒽基、甘菊环基、庚搭烯基、荒烯基、非那烯基(phenalenylgroup)、芴基、曱基蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、窟基、乙基-茗基、茜基、二萘嵌苯基、氯代二萘嵌苯基、戊芬基、并五苯基、四亚苯基(tetraphenyleny)、己芬基、并六苯基、玉红省基、晕苯基、联三萘基、庚芬基、并七苯基、皮蒽基、卵苯基、咔唑基、噻吩基、。引哚基、噤呤基、苯并咪唑基、喹啉基、苯并噻吩基、对噻溱基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、咪唑啉基、p恶唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、^二唑基、吡啶基、哒溱基、嘧啶基、吡嗪基、噻蒽基、环戊基、环己基、oxyranylgroup、吡咯烷基、吡唑烷基、四氢咪峻基、哌咬基、哌嗪基、吗啉基、二(CVC3。芳基)氨基、三(C6-C3Q芳基)曱硅烷基、或其衍生物。在此使用的术语"衍生物，，指的是上迷基团，其中至少一个氢由上述的取代基取代。本发明的基于环戊并菲的化合物可选自由下式9-46表示的化合物，但不限于此<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><式9><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><式10><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><式43><formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>根据本发明式1的化合物可采用普通的合成方法合成。关于本发明的化合物的详细的合成方法，将参见下面合成实施例的反应图式。本发明还提供一种有机EL器件，其包括第一电极；第二电极；和插入在第一电极和第二电极之间的有机层，该有机层包括上述式1表示的至少一种化合物。上述式1的化合物适合于有机EL器件的有机层，特别是，发光层、空穴注入层或空穴传输层。根据本发明的有机EL器件包括具有良好溶解度和热稳定性且可形成稳定有机层的化合物，且由此，可提供良好的驱动电压和增强的发光特性(例如，色纯度)，不像当采用溶液涂布工艺制造时包括较不稳定的有机层的传统的有机EL器件。根据本发明的有机EL器件可具有各种结构。即，该有机EL器件在第一电极和第二电极之间还可包括选自空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层的至少一层。更具体地，图1A、1B和1C说明了根据本发明的有机EL器件的实施方案。参见图1A,有机EL器件具有第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极的堆叠结构。参见图1B，有机EL器件具有第一电极/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极的堆叠结构。参见图1C,有机EL器件具有第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/第二电极的堆叠结构。这时，发光层、空穴注入层和空穴传输层的至少一层可包括本发明式1的化合物。根据本发明的有机EL器件的发光层可包括红色、绿色、蓝色、或白色磷光或荧光掺杂剂。该磷光的掺杂剂可以为包括选自Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb和Tm的至少一种元素的有机金属化合物。下面，将参见图1C描述制造根据本发明的有机EL器件的方法。首先，采用沉积或溅射在基底上形成具有高功函的第一电极材料以形成第一电极。该第一电极可以为阳极。在此，该基底可以为通常用于有机EL器件的基底。优选，该基底可以为玻璃基底或透明塑料基底，其具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整度、处理性能和防水性。该第一电极材料可以为具有良好透明度和电导率的材料，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(Sn02)、或氧化锌(ZnO)。然后，可采用各种方法诸如真空沉积、旋涂、流延或朗缪尔-布洛杰特(Langmuir-Blodgett(LB))法在第一电极上形成空穴注入层(HIL)。在采用真空沉积工艺形成空穴注入层的情况中，沉积条件根据空穴注入层材料的类型、空穴注入层的结构和热特性等改变。然而，优选在io-8到10-3托的真空度下在100到500。C的温度下以0.01到100A/秒的沉积速率沉积空穴注入层到10A到51im的厚度。在采用旋涂工艺形成空穴注入层的情况中，涂布条件根据空穴注入层材料的类型、空穴注入层的结构和热特性等改变。然而，优选在约2000到5000rpm的旋涂速度下进行旋涂，且在44涂之后，为了去除溶剂在约80到200°C的温度下进行热处理。该空穴注入层材料可以为如上述式1的化合物。此外，该空穴注入层材料可以为已知的空穴注入材料，例如，美国专利No.4,356,429中公开的酞菁化合物(例如，铜酞菁)，A/va"cedMaten'a/,6，p.677(1994)中公开的星爆型胺书t生物(例如，TCTA、m-MTDATA或m-MTDAPB),或可溶导电聚合物，例如，Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PEDOT/PSS(聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)或PANI/PSS(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)。PEDOT/PSS该空穴注入层可形成至约ioo到io，oooA,优选ioo到i,oooA的厚度。如果空穴注入层的厚度小于iooA,那么空穴注入特性可降低。另一方面，如果空穴注入层的厚度超过io,oooA,那么驱动电压可增加。然后，可采用各种方法诸如真空沉积、旋涂、流延或LB法在空穴注入层上形成空穴传输层(HTL)。在采用真空沉积或旋涂形成空穴传输层的情况中，沉积或涂布条件根据所使用的化合物的类型改变，但是通常几乎与形成空穴注入层的条件相同。空穴传输层材料可以为如上述式1的化合物。此外，该空穴传输层材料可以为已知的空穴传输材料，例如，。卡唑衍生物如N-苯基。卡唑或聚乙烯基咔唑；具有芳族稠合环体系的胺衍生物如N,N'-双(3-曱基苯基)-N，N'-二苯基-[l，l—联苯基]-4,4'-二胺(TPD)或N,N'-二(萘-l-基)-N,N'-二苯基联苯胺(a-NPD)等。该空穴传输层可形成至约50到l,OOOA,优选100到600A的厚度。如果空穴传输层的厚度小于50A，那么空穴传输特性可降低。另一方面，如果空穴传输层的厚度超过i，oooA，那么驱动电压可增加。然后，采用真空沉积、旋涂、流延或LB法在空穴传输层上形成发光层(EML)。在采用真空沉积或旋涂形成发光层的情况中，该沉积或涂布条件根据所使用化合物的类型改变，但是通常几乎与形成空穴注入层的条件相同。该发光层可包括如上述式1的化合物。这时，也可使用适于式1的化合物的已知的荧光主体材料或已知的掺杂剂材料。该式1的化合物可单独用作磷光主体或与CBP(4,4'-N,N'-二。卡唑-联苯)、PVK(聚(n-乙烯基咔唑))等组合使用。也可使用红色磷光掺杂剂(例如，PtOEP、RD61(UDC))、绿色磷光掺杂剂(例如，Ir(PPy)3(PPy-2-苯基吡啶))或蓝色磷光掺杂剂(例如，F2Irpic)作为磷光掺杂剂。当使用式1的化合物用作掺杂剂时，不具体限制掺杂剂的掺杂浓度。通常，基于100重量份主体，掺杂剂的含量为0.01到15重量份。当式1的化合物用作单独的主体时，不具体限制掺杂剂的掺杂浓度。通常，基于100重量份主体，掺杂剂的含量为0.01到15重量份。当式1的化合物与其它主体组合用作主体时，基于(100重量份)主体的总重量，式l的化合物的含量为30-99重量份。该发光层可形成至约100到1,000A,优选200到600A的厚度。如果发光层的厚度小于iooA时，发光特性可降低。另一方面，如果发光层厚度超过i，oooA时，驱动电压可增加。在其中发光层包括磷光掺杂剂的情况中，为了防止三重态激子或空穴31扩散到电子传输层中，采用真空沉积、旋涂、流延或LB法在发光上可形成空穴阻挡层(HBL)。在釆用真空沉积或旋涂形成空穴阻挡层的情况中，该沉积或涂布条件根据所使用化合物的类型改变，但是通常与形成空穴注入层的条件几乎相同。可用的空穴阻挡材料可以为嚅二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉^f汙生物、BCP、铝络合物等。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>H3CCH3含有菲咯啉的有机化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>含咪唑的有机化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>含有三唑的有机化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>含有哺二唑的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>该空穴阻挡层可形成至约50到l，OOOA，优选100到300A的厚度。如果空穴阻挡层的厚度小于50A,空穴阻挡特性可降低。另一方面，如果空穴阻挡层的厚度超过i，oooA,驱动电压可增加。然后，可采用各种方法诸如真空沉积、旋涂或流延形成电子传输层(ETL)。在采用真空沉积或旋涂形成电子传输层的情况中，该沉积或涂布条件根据所使用化合物的类型改变，但是通常与形成空穴注入层的条件几乎相同。电子传输层材料用于稳定地传输来自电子给体电极(阴极)的电子，且可以是已知的材料，诸如基于嗜唑的化合物、基于异哺唑的化合物、基于三唑的化合物、基于异p塞唑的化合物、基于嚅二唑的化合物、基于噻二唑的化合物、基于二萘嵌苯的化合物、铝络合物(例如Alq3(三(8-喹啉合)-铝)BAlq、SAlq或Almq3)、镓络合物(例如Gaq'20Piv、Gaq'20Ac、2(Gaq'2))等。基于二萘嵌苯的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>2(Gaq'2)该电子传输层可形成至约100到1,000A,优选200到500A的厚度。如果电子传输层的厚度小于iooA,电子传输特性可降低。另一方面，如果电子传输层的厚度超过i，oooA，驱动电压可增加。为了促进电子从阴极注入到发光层，可在电子传输层上形成电子注入层(EIL)。不具体限制电子注入层材料。该电子注入层材料可任选地选自已知的材料，诸如LiF、NaCl、CsF、Li20或BaO。该电子注入层的沉积条件根据所使用化合物的类型改变，但是通常与形成空穴注入层的条件几乎相同。该电子注入层可形成至约1到IOOA,优选5到50A的厚度。如果电子注入层的厚度小于1A，电子注入特性可降低。另一方面，如果电子注入层的厚度超过100A，驱动电压可增加。最后，采用真空沉积或溅射在电子注入层上形成第二电极。该第二电极可用作阴极。形成第二电极的材料可以为具有低功函的金属或合金、导电化合物、或其混合物。例如，该第二电极形成材料可以为锂(Li)、镁(Mg)、铝(A1)、铝-锂(Al-Li)、钩(Ca)、镁陽铟(Mg陽In)、镁-银(Mg-Ag)等。该第二电极也可以为由ITO或IZO制成的透射阴极以提供前面发射型器件。下面，参见以下实施例将更具体地描述本发明。然而，下面实施例为说明目的且不意在限制本发明的范围。实施例<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>中间体C化合物6合成实施例11)8,9-二氢-4H-环戊并[def]菲的合成将4H-环戊并[de幻菲(4.75g,25mmol)放入到Par反应瓶中，且向其添加EtOH(200ml)。将5%Pd/C(3.99g)添加到反应溶液中，且在40磅/英寸2(psi)的氢压力下将得到的溶液培养24小时。在终止反应之后，过滤反应溶液，且在减压下浓缩该滤液以得到白色产物(4.32g，90%)。NMR(300MHz,CDC13,S):7.36(2H,d),7.21(2H,t),7.12(2H,d),3.90(2H,s),3.16(4H，s)2)2,6-二溴-8,9-二氢-4H-环戊并[def]菲的合成将8,9-二氢-4H-环戊并[def]菲(4.42g，23謹ol)放入到250ml圓底烧瓶(RBF)中，且向其中添加CCU(IOOml)。将反应混合物冷却到0°C,且向其滴力口Br2(7.72g,48mmol)。将反应溶液培养4小时，且向其添加10%的Na2S03溶液。将有机层分离，在减压下浓缩，且从正-己烷中重结晶以得到标题化合物(4.45g，55%)。!HNMR(300MHz,CDCl3,5):7.48(2H,s)，7.28(2H,s),3.85(2H,s)，3.10(4H,s)3)化合物1的合成将在250ml圆底烧瓶中的2，6-二溴-8,9-二氢-4H-环戊并[def]菲(4.45g，12.7mmol)用二甲苯溶解，且在室温下向其添加邻-氯醌(4.15g)。将反应混合物在油浴中加热且回流72小时。在终止反应之后，将反应溶液冷却且在减压下浓缩。通过硅胶柱色谱法(流动溶剂正-己烷)纯化该残留物以得到化合物1(3.6g,81%)。&NMR(300MHz,CDC13,S):7.98(2H,s),7.79(2H,s),7.73(2H，s)，4.28(2H,s)4)化合物2的合成用注射器将2，6-二溴-4H-环戊并[def]菲(2.6g,7.7mmol)、t-BuOK(20.8g,61.6mmol)、DMSO(20ml)和HMPA(20ml)置于50ml圓底烧瓶中。在室溫下将混合物搅拌50分钟且冷却到0°C。用注射器将CH31(3.75ml，61.6mmo1)滴加到混合物中且在0°C下将得到的溶液搅拌30分钟。然后，将水(50ml)和二氯曱烷(50ml)添加到该溶液中以分离有机层。通过硅胶柱色谱法纯化该有机层以获得化合物2(3.6g,80%)。NMR(300MHz,CDC13,S):7.98(2H,s)，7.79(2H，s),7.73(2H,s),1.93(m,6H)。5)材料l(式9)的合成将在50ml圆底烧瓶中的化合物2(0.65g,1.747mmo1)、双(4-联苯基)胺(TCICorp.)(1.40g，4,37廳ol)、叔丁醇钠(0.51g,0.5匪o1)、Pd(dba)必三(二亚千基丙酮)合二钯(0))](0.08g，0.087mmo1)和三(叔-丁基)膦(0.017g,0.087mmol)用曱苯(10mL)溶解，且将反应混合物回流12小时。在终止反应之后，将反应溶液冷却到室温且用蒸馏水(100ml)萃取。用MgS04干燥该组合有机层，浓缩，且通过硅胶柱色谱法纯化。将该洗出液浓缩且干燥以得出式9表示的材料l(l.lg,产率75%)。iHNMR(300MHz,CDCl3，5):7.卯(2H,s),7.75(2H,s),7,72(2H,s)，7.48-6.62(m,36H),1.92(m，6H).合成实施例21)化合物3的合成将在50ml圓底烧瓶中的2,6-二溴-4H-环戊并[def]菲(2.6g,7.7mmol)和辛基溴(3.6g,18.5mmol)用曱苯(10ml)溶解，且向其添加TBAB(溴化四丁基铵)(0.125g,0.385mmo1)。将NaOH(3.1g，77mmol)在水(50ml)中的溶液添加到反应混合物中，且将得到的溶液回流两天。在终止反应之后，用氯仿萃取反应溶液。用MgS04干燥该有机层，浓缩，且通过珪胶柱色谱法(洗提剂正-己烷)纯化。该洗出液在减压下蒸馏以去除未反应的辛基溴，由此得到化合物3(3.6g,80%)。iHNMR(300MHz,CDC13,5):7.98(2H,s),7.79(2H，s),7.73(2H，s)，1.93(m,4H),1.21(m,20H)，0.87(m,6H),0,65(宽s,4H)2)材料2(式IO)的合成将在50ml圓底烧瓶中的化合物2(lg,1.747mmol)、二苯基胺(0.88g,5.241mmol)、叔丁醇钠(0.51g，0.5mmo1)、Pd(dba)2[(三(二亚苄基丙酮)合二钯(0))](0.08g,0.087mmol)和三(叔-丁基)膦(0.017g,0.087mmol)用曱苯(10mL)溶解，且将反应混合物回流12小时。在终止反应之后，将反应溶液冷却到室温且用蒸馏水(100ml)萃取。用MgS04干燥该组合有机层，浓缩，通过硅胶柱色谱法纯化。浓缩该洗出液且干燥以得到式10表示的材料2(10.9g，产率70%)。&NMR(300MHz，CDC13，5):7.98-6.74(m，26H)，1.93(m,4H),1.21(m,20H)，0.87(m,6H),0.65(宽s,4H),合成实施例31)2，6-二溴-环戊并[def]菲-4-酉同的合成将苯(200ml)放入到250ml圆底烧瓶中，且向其添加化合物1(3.6g,10.4mmol)。将MnO2(150g)添加到反应混合物中，且将得到的混合物在油浴中加热且回流18小时。在终止反应之后，将反应溶液过滤以去除Mn02,且依次用CHC13、THF和MeOH充分清洗。在减压下浓缩该滤液，且将残留物从丙酮中重结晶以得到标题化合物(1.45g,39%)。'HNMR(300MHz,CDC13，S):8.08(2H,s),7.89(2H,s),7.74(2H,s)2)中间体A的合成将2-溴联苯(0.68g，2.95mmol)溶解在无水THF(IOml)中，且将反应混合物冷却到-78。C。然后，逐渐滴加t-BuLi(3.5ml)。将反应混合物搅拌一小时，且用30分钟向其滴加2，6-二溴-环戊并[def]菲-4-S同(1g,2.95mmol)在无水THF(5ml)中的溶液。在终止反应之后，在减压下将反应溶液浓缩且用乙酸乙酯和盐水萃取以分离有机层。浓缩该有机层且通过硅胶柱色谱法纯化残留物以得到中间体A(3.6g)。3)化合物4的合成将中间体A溶解在乙酸(30ml)中，且反应溶液冷却到0°C。然后，滴加浓硫酸(lml)且将反应混合物培养两小时。在终止反应之后，将反应溶液过滤且用乙酸和曱醇清洗以得到白色固体(2g,80%)。4)材料3(式13)的合成除了用化合物4代替化合物2且用9H-。卡唑代替双(4-联苯基)胺以外，以与合成实施例1的材料1合成相同的方式合成式13表示的材料3。'HNMR(300MHz,CDC13,S):8.10-6'82(m,30H)5)材料4(式14)的合成将在50ml圆底烧瓶中的化合物4(lg，1.747mmo1),二-萘-2-基-[4-(4,4,5,5-四甲基-[l,3，2]二氧杂环戊硼烷-2-基)-苯基]-胺(1.81g，3.843mmol)、K2C03(1.935g，0.014mmol)、四(三苯基膦)钯(0)(0.4g，0.35mmol)和四丁基溴化铵(1.13g,3.49mmol)用甲苯(IOml)和THF(IOml)溶解，且将反应混合物回流12小时。在终止反应之后，反应溶液冷却到室温且用蒸馏水(100ml)萃取以分离有机层。用MgS04干燥该组合有机层，浓缩，通过硅胶柱色谱法纯化。浓缩该洗出液且干燥以得到式14表示的材料4(0.8g,产率:45%)。iH画R(300MHz，CDC13,5):8.15-6.54(m,50H)合成实施例41)中间体B的合成2,6-二溴-环戊并[def]菲-4-酮(1.0g,2.76mmol)溶解在干醚(30ml)和THF(10ml)中，且向其中緩慢加入苯基澳化镁(醚中3.0M),然后将得到的混合物回流3小时。通过将水添加到混合物中，终止反应。将1N-HC1溶液添加到混合物中直到混合物的pH为3-4且将得到的产物用乙酸乙酯萃耳又。将有机层用无水硫酸钠干燥，过滤且在减压下浓缩。该得到的固体由硅胶柱色谱法纯化以得到所需化合物(0.79g,65%)。2)化合物5的合成将中间体B(0.79g,1.79mmol)溶解在干燥的苯(20ml)中并向其滴加三氟曱烷磺酸(0.48ml，5.38mmo1,3eq.)，然后在80。C下将该混合物搅拌2小时。用水稀释该生成物，用乙酸乙酯萃取。将该有机层用无水硫酸镁干燥，过滤和浓缩以获得固体。得到的固体通过硅胶柱色谱法纯化以得到所需化合物(0.65g,63%)。'HNMR(300MHz,CDC13,5):7.22-7.26(m,IOH)，7.70(s,2H),7.80(s,3H)，8.00(s,2H)3)材料5(式15)的合成除了用化合物5代替化合物2，且使用9H-呻唑代替双(4-联苯基)胺之外，以与合成实施例1的材料1合成相同的方式合成式15表示的材料5。'H鹿R(300MHz,CDC13,5):8.02-6.89(m，32H)。4)材料6(式27)的合成除了用化合物5代替化合物2之外，以与合成实施例1的材料1合成相同的方式合成式27表示的材料6。iH丽R(300MHz,CDC13，5):8.05画7.75(6H,m)，7.55画6.68(m，36H),5)材料7(式35)的合成将在500ml圓底烧瓶中的4-溴三苯胺7.6g(23.45mmo1)、苯胺21.85g(0.235mo1)、叔丁醇钠6.76g(70mmo1)、Pd(dba)2[(三(二亚千基丙酮)合二钯(0))]0.86g(0,938mmol)和三(叔-丁基)膦0,23g(1.173mmol)用200ml曱苯溶解，且回流12小时。在终止反应之后，将反应溶液冷却到室温，且向其添加200ml蒸馏水以萃取有机层。将有机层用MgS04干燥，浓缩，通过硅胶柱色镨法纯化。浓缩该洗出液且干燥以得到N,N,N，-三苯基-对-亚苯基二胺(6.71g,85%)。将在100ml圓底烧瓶中的得到的N,N，N，-三苯基-对-亚苯基二胺(3.36g,lO.Ommol)、化合物5(2.0g,4.0mmo1)、叔丁醇钠(U5g,12mmo1)、Pd(dba)2[(三(二亚千基丙酮)合二钯(0))](0.14g,0.16mmol)和三(叔-丁基)膦(0.04g,0.2mmol)用50ml曱苯溶解且回流12小时。在终止反应之后，将反应溶液冷却到室温且向其添加50ml蒸馏水以萃取有机层。将得到的有机层用MgS04干燥，浓缩，以硅胶柱色谱法纯化。浓缩该洗出液且干燥以得到式35表示的材料7(2.91g,产率72%)。iHNMR(300MHz,CDC13,S):7.86-7,71(6H,m),7.32誦6.64(m，48H).合成实施例5l)中间体C的合成将2，6-二溴-环戊并[de幻菲-4-酮(0.95g,2.62mmol)和苯酚(30ml)添加到250ml的3-颈圓底烧瓶中。将反应混合物加热且培养五小时，同时向混合物中通入HC1气。在终止反应之后，将反应溶液在减压下浓缩以去除未反应的苯酚。通过硅胶柱色谱法纯化残留物以得到中间体C(0.59g,42%)。2)化合物6的合成将中间体C(0.95g,2.62mmol)放入到100ml圆底烧瓶中，且向其添加DMF(5ml)和乙腈(20ml)。依次添加K2C03(1.52g)和辛基溴(2.11g),且将反应混合物加热且回流18小时。在终止反应之后，将有机层分离且通过硅胶柱色谱法纯化以得到化合物4(0.68g，82%)。&NMR(300MHz,CDC13,S):7.78(2H，d)7.79(2H,s)7.67(2H，d)7.11(4H,dd)3.89(4H,t)1.74(4H,q)1.28(20H,m)0.88(6H,m)4)材料8(式38)的合成除了用化合物6代替化合物2,且使用9H-p卡唑代替双(4-联苯基)胺之夕卜，以与合成实施例1的材料1合成相同的方式合成式38表示的材料8。丽R(300MHz，CDC13,5):7.85-6.92(30H,m)(4H,dd)3.89(4H,t)1.74(4H，q)1.28(20H，m)0.88(6H，m)5)材料9(式39)的合成除了用化合物6代替化合物4之外，以与合成实施例3的材料4合成相同的方式合成式39表示的材料9。&固R(300MHz,CDC13,S):7.95-6.75(50H,m)(4H,dd)3.89(4H,t)1.74(4H,q)1.28(20H,m)0.88(6H,m)评估实施例:材料1-5的光学特性的评估测量溶液相中和薄膜相中的材料的光致发光(PL)光谱以评估材料的发光特性。为了评估溶液相的光学特性，用曱苯将材料3、4、8和9的每一个稀释到10mM的浓度，且采用配有氙灯的ISCPC1焚光分光计测量稀释溶液的PL光谱。此外，为了评估薄膜相的光学特性，制备石英基底且用丙酮和纯水清洗。然后，将材料3、4、8和9旋涂到基底上，且在110。C下加热30分钟以形成具有l,OOO人厚度的薄膜。测量该薄膜的PL光谱。下面表1示出结果。如表1所示，可以看出根据本发明的材料具有适于有机EL器件的发光特性。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>实施例1<式47>采用材料1作为空穴传输层，式47的化合物作为空穴注入层，式48的化合物作为发光层的主体，和式49的化合物作为发光层的掺杂剂制备具有以下结构的有机EL器件ITO/式47(200A)/材料1(300A)/式48:式49(300A)/Alq3(40A)/LiF(10A)/A1(2000A)。将15Q/cm2(l，000A)ITO玻璃基底切成50mmx50mmx0.7mm尺寸的片，随后在丙酮、异丙醇和纯水中超声波清洗(各自15分钟)，然后UV/臭氧清洁(30分钟)以形成阳极。将式47的化合物(空穴注入层)和材料l(空穴传输层)真空沉积在阳极上。将式48的化合物和式49的化合物的混合物(重量比100:5)真空沉积以形成发光层。然后，在发光层上将Alq3化合物真空沉积至40人的厚度以形成电子传输层。依次将LiF(lO人，电子注入层)和Al(2000人，阴极)真空沉积在电子传输层上，由此完成图1A示出的有机EL器件。该有机EL器件展示6.0V电压下的14,000cd/n^的红光发射和5.45cd/A的效率。釆用材料3作为发光层的主体且式50的化合物作为发光层的掺杂剂制备具有以下结构的有机EL器件，ITO/式47(200A)/a-NPD(300A)/材料3:式50(300A)/Alq3(40A)/LiF(10A)/A1(2000A)。将15Q/cm2(l，000A)ITO玻璃基底切成50mmx50mmx0.7mm尺寸的片，随后在丙酮、异丙醇和纯水中超声波清洗(各自15分钟)，然后UV/臭氧清洁(30分钟)以形成阳极。将式47的化合物(空穴注入层)和a-NPD(空穴传输层)真空沉积到阳极上。将材料3和RD15(式50)的混合物(重量比100:10)真空沉积以形成发光层。然后，在发光层上将AIq3化合物真空沉积至40人的厚度以形成电子传输层。将LiF(10人，电子注入层)和Al(2000人，阴极)依次真空沉积到电子传输层上，由此完成图1A所示的的有机EL器件。该有机EL器件展示10V电压下1200cd/m2的红光和4.32cd/A的效率。图2A中说明该有机EL器件的电压-效率特性。除了使用a-NPD作为空穴传输层且材料4作为发光层的掺杂剂之外，以与实施例1相同的方式制备具有以下结构的有机EL器件ITO/式47(200A)/a-NPD(300A)/式48:材料4(300A)/Alq3(40A)/LiF(10A)/实施例2<式50>实施例3A1(2000A)。该有机EL器件展示8V电压下4600cd/m2的蓝光发射和5.4cd/A的效率。实施例4除了使用材料5作为发光层的主体之外，以与实施例2相同的方式制备具有以下结构的有机EL器件ITO/式47(200A)/a-NPD(300A)/材料5:式50(300A)/Alq3(40A)/LiF(10A)/A1(2000A)。该有机EL器件展示10V电压下6500cd/m2的蓝光发射和7.48cd/A的效率。实施例5除了使用材料6作为空穴传输层之外，以与实施例1相同的方式制备具有以下结构的有机EL器件ITO/式47(200A)/材料6(300A)/式48:式49(300A)/Alq3(40A)/LiF(10A)/A1(2000A)。该有机EL器件展示6.5V电压下15,800cd/m2的蓝光发射和7.66cd/A的效率。实施例6除了使用材料7作为空穴注入层和a-NPD作为空穴传输层之外，以与实施例1相同的方式制备具有以下结构的有机EL器件ITO/材料7(200A)/a-NPD(300A)/式48:式49(300A)/Alq3(40A)/LiF(10A)/A1(2000A)。该有机EL器件展示6.0V电压下15,000cd/n^的蓝光发射和6.48cd/A的效率。实施例7采用材料8作为发光层的主体和式50的化合物作为发光层的掺杂剂制备具有以下结构的有机EL器件ITO/PEDOT(400A)/材料8:式50(300A)/Alq3(40A)/LiF(10A)/A1(2000A)。将15D/cm2(l,000A)ITO玻璃基底切成50mmx50mmx0,7mm尺寸的片，随后在丙酮、异丙醇和纯水中超声波清洗(各自15分钟)，然后UV/臭氧清洁(30分钟)以形成阳极。将PEDOT-PSS(AI4083)(Bayer)涂布到阳极上，且在空气中110。C下加热5分钟，然后在200。C下氮气气氛中加热5分钟以形成具有400人厚度的空穴注入层。将作为主体的材料8(0.1g)和作为掺杂剂的式50的化合物(0.01g)(基于100重量份的材料8，10重量份式50的化合物)的混合物旋涂到空穴注入层上，且在IO(TC下加热30分钟以形成300A厚度的发光层。然后，在发光层上将Alq3化合物真空沉积至40人的厚度以形成电子传输层。依次将LiF(10人，电子注入层)和Al(2000人，阴极)真空沉积到电子传输层上，由此完成图IB示出的有机EL器件。该有机EL器件展示9V电压下1500cd/m2的红光发射和4.1cd/A的效率。图2B说明该有机EL器件的电压-效率特性。实施例8除了用式48的化合物作为发光层的主体，且材料9作为发光层的掺杂剂之外，以与实施例7相同的方式制备具有以下结构的有机EL器件:ITO/PEDOT(400A)/式48:材料9(300A)/Alq3(40A)/LiF(10A)/Al(2000A)。该有机EL器件展示6V电压下3700cd/m2的蓝光发射和4.2cd/A的效率。从上述实施例可看出，本发明的材料作为磷光和荧光材料具有良好的EL特性。根据本发明的式1的化合物可用于干法和湿法，且具有好的发光特性和热稳定性。因此，使用本发明的化合物能制造具有低驱动电压和良好的色纯度和效率的有机EL器件。权利要求1.一种由下式1表示的有机化合物<式1>其中，Y和Q相同或不同且各自为取代或未取代的C2-C30亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚环烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C2-C30杂亚芳基、或取代或未取代的C2-C30亚烯基；m为0到5的整数；n为0到5的整数；当m和n各自为2或更大的整数时，各个Q和Y可不同；R1和R2相同或不同且各自为氢、卤素、氰基、羟基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳基；R3、R4、R5、R6、R7和R8相同或不同且各自为氢、卤素、氰基、羟基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、-N(G1)(G2)、或-Si(G3)(G4)(G5)，其中G1、G2、G3、G4和G5各自独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C5-C20环烷基、或取代或未取代的C5-C30杂环烷基；Z1、Z2、Z3和Z4相同或不同且各自为取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C5-C30杂环烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的C6-C30芳烷基、取代或未取代的C8-C30烯丙基芳基、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、或取代或未取代的C2-C30杂亚芳基；X为单键、-CH＝CH-、-O-、-S-、-Se-、或其中R′和R″与R3相同的-C(R′R″)-、或其中p为1到10的整数的-(CH2)p-；和o为0或1；和当连接在一起时，R1和R2形成取代或未取代的C3-C20脂族环、取代或未取代的C5-C30杂脂族环、取代或未取代的C6-C30芳族环、或取代或未取代的C2-C30杂芳族环。2.权利要求l的有机化合物，其中，在式1中，当连接在一起时，Rj和R2形成由下式2-5表示的环之一:<式2〉<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula><式3><formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中R9，相同或不同且各自为氢、卣素、氰基、羟基、取代或未取代的C广C2Q烷基、取代或未取代的CVC2Q环烷基、取代或未取代的CrC3o杂环烷基、取代或未取代的d-C2o烷氧基、取代或未取代的CVC3。芳基、取代或未取代的C6-C3()芳烷基、取代或未取代的C2-C3()杂芳基、-N^iXG^或-Si(G3)(G4)(G5),其中G!、G2、G3、G4和G5各自独立地为氢、取代或未取代的C,-C2。烷基、取代或未取代的C6-C3o芳基、取代或未取代的CVC3o杂芳基、取代或未取代的CrC2。环烷基、或取代或未取代的CrQo杂环烷基;和A为单键、-O-、-S-、-(CH2)s-，其中s为1到5的整数。3.权利要求1的有机化合物，其选自下式6-8表示的化合物<式6><formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中Y和Q相同或不同且各自为取代或未取代的C2-C3o亚烷基、取代或未取代的C6-C3。亚环烷基、取代或未取代的Q-C3。亚芳基、取代或未取代的CVC3o杂亚芳基、或取代或未取代的C2-C3。亚烯基；m为0到5的整数；n为0到5的整数；当m和n各自为2或更大的整数时，各个Q和Y可不同；<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>R/和R2相同或不同且各自为氢、囟素、氰基、羟基、取代或未取代的CrC2。烷基、取代或未取代的C3-C2。环烷基、取代或未取代的C5-C3。杂环烷基、取代或未取代的CrC2。烷氧基、取代或未取代的C6-C3o芳基、取代或未取代的C6-Q。芳烷基、取代或未取代的C2-C3o杂芳基；Z,、Z2、Z3和Z4相同或不同且各自为取代或未取代的C厂C20烷基、取代或未取代的C3-C2。环烷基、取代或未取代的Cs-C30杂环烷基、取代或未取代的Q-C2o烷氧基、取代或未取代的CVC3o芳基、取代或未取代的CrC30杂芳基、取代或未取代的Q-C3。芳烷基、取代或未取代的Q-C3Q烯丙基芳基、取代或未取代的CVC2o亚烷基、取代或未取代的C6-C3。亚芳基、或取代或未取代的(:2-(23。杂亚芳基；X为单键、-CH=CH-、-0-、-S-、-Se-、或其中R'和R"与R3相同的-C(R'R")-、或其中p为1到10的整数的-(CH2)p-;o为0或1;和Ru)，相同或不同且各自为氢、卤素、氰基、羟基、取代或未取代的C,-C20烷基、取代或未取代的C3-C2。环烷基、取代或未取代的CrC3o杂环烷基、取代或未取代的d-C2。烷氧基、取代或未取代的CVC30芳基、取代或未取代的CVC30芳烷基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、-N^iXG^或-Si(G3)(G4)(G5),其中G、G2、G3、G4、和Gs各自独立地为氢、取代或未取代的CrC2。烷基、取代或未取代的C6-C3o芳基、取代或未取代的C2-C30杂芳基、取代或未取代的CrC2Q环烷基、或取代或未取代的Cs-C3o杂环烷基。4.权利要求1的有机化合物，其为下式9-46表示的化合物之一<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula><式19><式26><formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula><式32><formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula><式37><formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula><式38><formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula><式44><formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>5.—种有机电致发光(EL)器件，其包括第一电极；第二电极；和插入在第一电极和第二电极之间的至少一层有机层，该有机层包括权利要求1到4中任一项的化合物。6.权利要求5的有机EL器件，其中有机层为发光层、空穴注入层或空穴传输层'。7.权利要求5或6的有机EL器件，在第一电极和第二电极之间还包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的至少一层。全文摘要提供一种基于环戊并菲的化合物，和采用该化合物的有机EL器件。该基于环戊并菲的化合物容易制造且溶解度、色纯度和色彩稳定性优异。该基于环戊并菲的化合物作为用于形成有机EL器件中的有机层特别是发光层的材料是有用的，且作为有机染料或电子材料如非线性光学材料是有用的。文档编号C07D265/38GK101289403SQ20071009710公开日2008年10月22日申请日期2007年4月17日优先权日2006年6月15日发明者孙准模,朴商勋,朴钟辰,权五炫,梁贺晋,金有珍申请人:三星Sdi株式会社