间苯二胺衍生物和含有间莱二胺衍生物的电光敏材料的制作方法

专利名称：间苯二胺衍生物和含有间莱二胺衍生物的电光敏材料的制作方法
技术领域：
本发明是关于新的间苯二胺衍生物，其在如同太阳能电池、电致发光器件、电光敏材料等的应用中适于用作电荷转移材料(特别是空穴转移材料)，和适于用作含有间苯二胺衍生物的电光敏材料。
关于上述应用中使用的电荷转移材料，已知许多有机化合物，例如咔唑化合物、噁二唑化合物、吡唑化合物、胺化合物、芪化合物、苯二胺化合物、联苯胺化合物，等等。
这些电荷转移材料通常在其被分散在合适的粘合树脂膜中的状态下使用。在电光敏材料的情况下，例如，通常使用所说的有机光电导体(OPC)，例如单层电光敏材料，包括单层电光敏层，其中上述电荷转移材料和由于光照射产生电荷的电荷产生材料分散在粘合树脂中，多层电光敏材料，包括含有上述电荷转移材料的电荷转移层和含有电荷产生材料的电荷产生层，等等。这样的有机光敏材料的优点是加工性能优越和容易生产，因此，为性能设计提供很大的自由度。
在这些化合物中，由通式(4)表示的间苯二胺衍生物 [式中Ra、Rb、Rc和Rd相同或不同，表示氢原子、甲基或乙基]，属于苯二胺化合物，广泛地用作电荷转移材料，特别是空穴转移材料(参见日本公开的专利申请142642/1991和261958/1991)。
但是，在上述的通用的间苯二胺衍生物中，由(4a)表示的化合物 其中式(4)中所有取代基Ra至Rd是甲基，即苯基的4-位被甲基取代，与粘合树脂可混性差，引起结晶等问题。
另外，由式(4b)表示的化合物 其中式(4)中所有取代基Ra至Rd是甲基，即苯基的3-位被甲基取代，和由式(4c)表示的化合物 其中式(4)中取代基Ra至Rb是甲基，即苯基的4-位被甲基取代，取代基Rc和Re是乙基，即苯基的4-位被乙基取代，不引起如同上述化合物的结晶，但是与粘合树脂的可混性仍然差。因此，使用这些化合物的电光敏材料的问题是不可能得到足够的空穴转移能力和即使用构成光敏层的高性能的其他材料也难于得到高的光敏性。
本发明的一个主要目的是提供新的间苯二胺衍生物，其可有助于得到电光敏材料的较高光敏性。
本发明的另一个目的是提供具有优良的光敏特性的光敏材料。
本发明的间苯二胺衍生物衍生物由通式(1)表示 [式中R1和R2相同或不同，表示氢原子或可含有取代基的烷基，R3和R4相同或不同，表示含有3至5个碳原子的直链或支链烷基；条件是R1、R2、R3和R4不同时是相同的烷基]或由通式(2)表示的间苯二胺衍生物 [式中R5和R6相同或不同，表示可含有取代基的烷基、可含有取代基的烷氧基或卤原子；R7是氢原子、可含有取代基的烷基、可含有取代基的烷氧基、可含有取代基的芳基、卤原子、氰基或硝基；a是1至4的整数]。
另外，本发明的电光敏材料包括在导电基底上的电光敏层，其含有由通式(1)或(2)表示的间苯二胺衍生物。
本发明的另一个电光敏材料包括在导电基底上的单层光敏层，其含有电荷产生材料和电荷转移材料由通式(3)表示的间苯二胺衍生物 [式中R8、R9、R10和R11相同或不同，表示氢原子、可含有取代基的烷基、可含有取代基的烷氧基或卤原子；R12是氢原子、可含有取代基的烷基、可含有取代基的烷氧基、可含有取代基的芳基、卤原子、氰基或硝基；b、c、d和e分别表示1至5的整数；f是1至4的整数]。
关于本发明的由通式(1)表示的间苯二胺衍生物，由于在间苯二胺骨架外面的4个苯基中的2个苯基分别被含有3至5个碳原子的直链或支链烷基取代，其和通用的间苯二胺衍生物相比与粘合树脂的相混性进一步改善。另外，间苯二胺衍生物(1)还与构成光敏层的其他材料特别是电荷产生材料配合良好，平稳地传布电荷转移材料中产生的空穴，不形成可引起光敏性降低的离子阱。
关于含有本发明的间苯二胺衍生物(1)的电光敏材料，光敏层的空穴转移能力改善了，可得到高的光敏性。
当通式(1)中的取代基R1、R2、R3和R4是相同的烷基时，分子的对称性极好，因此，与粘合树脂的相混性毕竟降低，光敏层的空穴转移能力不可能改善。上述情况不在本发明中。顺便说，例如，在R1、R2、R3和R4的3个取代基是正丙基而另一个取代基是异丙基时的情况可以包括在本发明的范围内。
另一方面，关于本发明的通式(2)表示的另一种间苯二胺衍生物，通过在间苯二胺内架外面的4个苯基中的2个苯基用4-联苯基取代，和另2个苯基的4-位用任何取代基取代，空穴的流动性被改善，同时，与粘合树脂的可混性由于4-联苯基未被取代而进一步改善。另外，由于间苯二胺衍生物(2)与通用的衍生物相比具有大的分子量，其稳定性优良。间苯二胺衍生物(2)还与构成光敏层的其他材料特别是电荷产生材料配合良好，平稳地传布电荷转移材料中产生的空穴，不形成可引起光敏性降低的离子阱，这与间苯二胺衍生物(1)相类似。
关于含有本发明的间苯二胺衍生物(2)电光敏材料，光敏层的空穴转移能力改善了，因此，可能得到高的光敏性。其稳定性优良。
另外，关于苯发明的通式(3)表示的间苯二胺衍生物，通过在间苯二胺骨架外面的4个苯基中至少1个苯基用4-联苯基取代，空穴的流动性被改善。由于间苯二胺衍生物(3)与通用的衍生物相比具有大的分子量，其稳定性优良。间苯二胺衍生物(3)与构成光敏层(特别是单层光敏层)的其他材料(特别是电荷产生材料)配合良好，平稳地传布电荷产生材料中产生的空穴，不形成可引起光敏性降低的离子阱，这与间苯二胺衍生物(1)和(2)相类似。
关于包括含有本发明的间苯二胺衍生物(3)的单层光敏层的电光敏材料，单层光敏层的空穴转移能力改善了，因此，可能得到高的光敏性。其稳定性优良。


图1是说明在合成实施例1中得到的间苯二胺衍生物的红外光谱分析结果的谱图。
图2是说明在合成实施例2中得到的间苯二胺衍生物的红外光谱分析结果的谱图。
图3是说明在合成实施例3中得到的间苯二胺衍生物的红外光谱分析结果的谱图。
图4是说明在参考实施例1中得到的间苯二胺衍生物的红外光谱分析结果的谱图。
在由本发明的通式(1)表示的间苯二胺衍生物中，式中的取代基R3和R4具体地限定为如同上述的含有3对5个碳原子的直链或支链烷基。当烷基的碳原子数小于3时，不可能得到与粘合树脂的良好可混性。另一方面，当烷基的碳原子数大于5时，空穴转移能力被阻止。
与通式(1)中R3和R4基相应的烷基的例子包括正丙基(n-Pr)、异丙基(i-Pr)、正丁基(n-Bu)、异丁基(i-Bu)、叔丁基(t-Bu)、正戊基(n-Pe)，等等。
另外，与R1和R2基相应的烷基的例子包括含有1至6个碳原子的低级烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基，等等。在这些基中，甲基和乙基适于使用。
如同上述，当R3和R4基是相同的烷基时，R1和R2基必须是其他烷基。例如，当R3和R4基同时是正丙基时，R1和R2基必须是氢原子或烷基(包括异丙基和含有取代基的正丙基)而不是正丙基。另外，当R3和R4其同时是异丙基时，R1和R2基必须是氢原子或烷基(包括正丙基和含有取代基的异丙基)而不是异丙基。
可以取代与R1和R2基相应的烷基的取代基的例子包括卤原子、氨基、氰基、硝基，等等。在烷基任何位置上的任何取代基均可以被取代。
本发明的间苯二胺衍生物的例子包括由下列式(1a)至(1c)表示的化合物。
本发明的间苯二胺衍生物可以用各种方法合成。例如，式(1a)的间苯二胺衍生物可以根据下面反应图解合成。
也就是说，首先，以摩尔比1∶2的由下面式(a)表示的N，N’-二乙酰基-1，3-苯二胺与由下面式(b)表示的4-甲基碘苯以及铜粉、氧化铜或卤化铜一起混合，混合物在碱性物质存在下反应，得到下面式(c)表示的N，N’-二乙酰基-N，N’-二(4-甲苯基)-1，3-苯二胺。
然后，式(c)的N，N’-二乙酰基-N，N’-二(4-甲苯基)-1，3-苯二胺进行脱乙酰化反应，得到由下面式(d)表示的N，N’-二(4-甲苯基)-1，3-苯二胺，根据与上述的相同的方法将以摩尔比1∶2的4，4’-二(4-甲苯基)-1，3-苯二胺与4-正丁基碘苯反应，合成式(1a)的间苯二胺衍生物。
除式(1a)的间苯二胺衍生物以外的间苯二胺衍生物也可以根据下面反应图解在相同的条件下合成。
如上所述，本发明的上述间苯二胺衍生物可以在如同太阳能电池、电致发光器件、电光敏材料等的应用中适于用作电荷转移材料，特别是空穴转移材料，其也可以用于其他各种领域中。
其次，在本发明的通式(2)表示的另一种间苯二胺衍生物中，与式中R5、R6和R7基团相应的烷基的例子包括与在通式(1)中对R1和R2基描述的相同的含有1至6个碳原子的低级烷基。
与R5、R6和R7基相应的烷氧基的例子包括含有1至6个碳原子的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、叔丁氧基、戊氧基、乙氧基，等等。卤原子的例子包括氯原子、溴原子、氟原子、碘原子，等等。
与R7基相应的芳基的例子包括苯基、甲苯基、二甲苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基，等等。
可以取代烷基、烷氧基和芳基的取代基的例子包括卤原子、氨基、氰基、硝基，等等。在烷基任何位置上的任何取代基均可以被取代。
本发明的间苯二胺衍生物的例子包括由下面式(2a)至(2i)表示的化合物。
本发明的间苯二胺衍生物(2)可以用各种方法合成，特别是可以根据与通式(1)的间苯二胺衍生物的相同的反应图解来合成。
例如，式(2)的间苯二胺衍生物可以通过将根据上述反应图解得到的由式(d)表示的N，N’-二(4-甲苯基)-1，3-苯二胺与由下面式(f)表示的4-苯基碘苯以摩尔比1∶2根据与上面描述的相同的方法进行反应来合成。
除了式(2a)的间苯二胺衍生物以外的间苯二胺衍生物也可以根据下面反应图解在相同的条件下完成。
本发明的上述间苯二胺衍生物也可以在如同太阳能电池、电致发光器件、电光敏材料等的应用中适于用作电荷转移材料，特别是空穴转移材料，其也可以用于其他各种领域中。
此外，在由通式(3)表示的间苯二胺衍生物中，与R8、R9、R10、R11和R12基相应的烷基、烷氧基、芳基和卤原子的例子以及可以取代烷基、烷氧基和芳基的取代基的例子包括与上面描述的相同的基团。
由通式(3)表示的间苯二胺衍生物的例子包括由下面式(3a)至(3g)表示的化合物。 本发明的电光敏材料包括在导电基底上的电光敏层，其含有一种或多种由式(1)至(3)中任一式表示的苯二胺衍生物。电光敏层分为两类，即单层光敏层和多层光敏层。当使用由本发明的式(1)或(2)表示的间苯二胺衍生物时可采用任何层结构。当使用由式(3)表示的间苯二胺衍生物时，间苯二胺衍生物的作用在如同上述的单层光敏层中显著地表现出来，因此，光敏层限制为单层类。
单层光敏层可通过用涂覆方法将涂覆溶液涂覆在导电基底上，接着干燥来制备，上述涂覆溶液通过将空穴转移材料由通式(1)至(3)中任一式表示的间苯二胺衍生物，电荷产生材料和粘合树脂溶解戒分散于合适的溶剂中来制备。
多层光敏层可以通过下述方法制备用沉积或涂覆方法在导电基底上形成含有电荷产生材料的电荷产生层，用涂覆方法将含有空穴转移材料由通式(1)或(2)表示的间苯二胺衍生物和粘合树脂的涂覆溶液涂覆在电荷产生层上，接着干燥，形成电荷转移层。相反，电荷转移层可以在导电基底上形成，然后，电荷产生层可以在其上形成。
电荷产生材料的例子包括粉状无机导电材料(例如硒、硒-碲、硒-砷、亚硝酸镉、α-硅，等等)、偶氮颜料、苝颜料、二苯并[cd，jk]芘-5，10-二酮颜料、酞菁颜料、靛兰颜料、三苯甲烷颜料、therene颜料、甲苯胺颜料、吡唑啉颜料、喹丫啶酮颜料、二硫代吡咯烷酮颜料，等等。在这些材料中，酞菁颜料优选用于适合用波长700nm或更长的光源的数字光学系统成像设备的电光敏材料，而苝颜料和偶氮颜料优选用于适合用可见光源的相似光学系统成像设备的电光敏材料。这些电荷产生材料根据电光敏材料光敏性的范围可以单独使用或结合使用。
酞菁颜料的例子包括由下面式(G1)和(G2)表示的化合物。
苝颜料的例子包括由下面式(G3)表示的化合物。 偶氮颜料的例子包括由下面式(G10)至(G10)表示的化合物。
作为空穴转移材料的由通式(1)至(3)中任一式表示的间苯二胺衍生物可以单独使用或与至今已知的其他电荷转移材料结合使用。
其他电荷转移材料的例子包括各种电子转移材料和空穴转移材料。
在电荷转移材料中电子转移材料的例子包括吸引电子材料，例如联苯醌化合物、苯醌化合物、萘醌化合物、丙二腈、噻喃化合物、四氰乙烯、四氰苯醌二甲烷、四氯苯醌、四溴苯醌、2，4，7-三硝基-9-芴酮、2，4，5，7-四硝基-9-芴酮、2，4，7-三硝基-9-二氰基亚甲基芴酮、2，4，5，7-四硝呫吨酮、2，4，8-三硝基呫吨酮、二硝基苯、二硝基蒽、二硝基丫啶、硝基蒽醌、二硝基蒽醌、琥珀酸酐、马来酸酐、二溴马来酸酐，等等，高分子吸引电子材料，等等。
空穴转移材料的例子包括供电子材料，例如二胺化合物，由通式(1)至(3)表示的间苯二胺衍生物除外；二唑化合物，例如2，5-二(4-甲基氨基苯基)-1，3，4-噁二唑；苯乙烯基化合物，例如9-(4-二甲基氨基苯乙烯基)蒽，等等；咔唑化合物，例如聚乙烯咔唑；吡唑啉化合物，例如1-苯基-3-(对-二甲基氨基苯基)吡唑啉；腙化合物；三苯基胺化合物；含氮环状化合物和相合多环化合物，包括吲哚化合物、噁唑化合物、异噁唑化合物、噻唑化合物、噻二唑化合物、咪唑化合物、吡唑化合物、三唑化合物，等等。
这些电荷转移材料也可以单独使用或结合使用。另外，当使用具有成膜性质的电荷转移材料如聚乙烯咔唑时，粘合树脂是不必要的。
粘合树脂的例子包括热塑性树脂，例如聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-马来酸共聚物、聚丙烯酸、苯乙烯-丙烯酸共聚物、聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯化聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酯、醇酸树脂、聚酰胺、聚氨酯、聚碳酸酯、聚芳基化合物、聚砜、邻苯二甲酸二烯丙基酯树脂、酮树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚醚树脂；交联热固性树脂，例如硅氧烷树脂、环氧树脂、酚树脂、脲素树脂、蜜胺树脂、光固化树脂，例如环氧-丙烯酸酯、尿烷-丙烯酸酯，等等。这些树脂可以单独使用或结合使用。
除了上述有关组分外，还可以向光敏层中加入添加剂，例如敏化剂、萤光化合物、抗氧化剂、紫外线吸收剂、增塑剂、表面活性剂、均化剂。为了改善光敏材料的光敏性，可以和电荷产生材料一起使用敏化剂，例如三联苯、卤代萘醌、苊。
在多层光敏材料中，构成电荷产生层的电荷产生材料和粘合树脂可以按不同比例使用。优选使用按100份(重量)粘合树脂计5-1000份(重量)，特别是30-500份(重量)电荷产生材料。
构成电荷转移层的空穴转移材料和粘合树脂可以按不同比例使用，以至在这一范围内不阻止电荷转移，而阻止电荷转移材料结晶。优选使用按100份粘合树脂计5-100份(重量)，特别是25-200份(重量)空穴转移材料；含有由能式(1)至(3)中任一式表示的间苯二胺衍生物的电荷转移材料，以至容易转移由于光照射在电荷产生材料中产生的电荷。
关于多层电光敏层的厚度，优选电荷产生层厚度约0.01-5μm，特别是约0.1-3μm，电荷转移层厚度约2-100μm，特别是约5-50μm。
在单层电光敏材料中，优选使用按100份(重量)粘合树脂计0.1-50份(重量)，特别是0.5-30份(重量)电荷产生材料，和10-500份(重量)，特别是25-200份(重量)含有由通式(1)至(3)中任一式表示的间苯二胺衍生物的空穴转移材料。当电子转移材料被结合使用时，优选使用按100份(重量)粘合树脂计5-100份(重量)，特别是10-80份电子转移材料。空穴转移材料和电子转移材料的总量按100份(重量)粘合树脂计是20-500份(重量)，特别是30-200份(重量)。
优选单层光敏层的膜厚度是5-100μ，特别是10-50μm。
在单层电光敏材料中在导电基底和电光敏层之间，或者在多层电光敏材料中在导电基底和电荷产生层之间，在导电基底和电荷转移层之间或在电荷产生层和电荷转移层之间，可以生成一定厚度的阻挡层以至不损害电光敏材料的特性。另外，可以在光敏材料的表面上形成保护层。
如同在其上面形成上述有关层的导电基底那样，具有导电性的各种材料均可使用，这些材料的例子包括金属，例如铝、铜、锡、铂、银、钒、钼、铬、镉、钛、镍、钯、铟、不锈钢、黄铜；同上述金属汽相沉积或包覆的塑料；用碘化铝、氧化锡、氧化铟等涂覆的玻璃材料。
导电基底可以制成片状或柱状。基底本身可有导电性或者仅基底表面可有导电性。优选导电基底在使用时有足够的机械强度。
应用涂覆方法形成上述有关层时，电荷产生材料，电荷转移材料，粘合树脂等可以用合适的溶剂用已知方法例办轧制机、球磨机、靡碎机、涂料摇动机、超声分散混合器等分散和混合，以制备涂覆溶液，用已知方法涂覆，接着干燥。
关于制备涂覆溶液的溶剂，可以使用各种有机溶剂，其例子包括醇，例如甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇；脂肪烃，例如正己烷、辛烷、环己烷；芳烃，例如苯、甲苯、二甲苯；卤代烃，例如二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳、氯苯；醚，例如二甲醚、二乙醚、四氢呋喃、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚；酮，例如丙酮、甲乙醇、环己酮；酯，例如乙酸乙酯、乙酸甲酯；二甲基甲醛、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜，等等。这些溶剂可以单独使用或结合使用。
为了改善电荷转移材料，电荷产生材料以及光敏层表面的平滑性，可以向涂覆溶液中加入表面活性剂、均化剂，等等。
如上所述，本发明的间苯二胺衍生物具有高的空穴转移能力和与粘合树脂优良的相混性。因此，在如同太阳能电池、电致发光器件，电光敏材料等的应用中本发明的间苯二胺衍生物适用于作为电荷转移材料，特别是空穴转移材料。
另外，本发明的电光敏材料包括含有作为空穴转移材料的上述间苯二胺衍生物的光敏层，因此，其具有高的光敏性，优良的耐久性和耐热性。
实施例下列合成实施例、实施例和比较实施例更详细地说明本发明。
<间苯二胺衍生物(1)>
合成实施例1将9.6g由式(a)表示的N，N’-二乙酰基-1，3-苯二胺，21.8g上式(b)的4-甲基碘苯，13.8g碳酸钾和1g铜粉加入150ml硝基苯中，在激烈搅拌下在氮气鼓入该反应系统的同时回流该混合物24小时。反应中产生的水通过用硝基苯共沸蒸馏从反应体系中除去。
在反应溶液冷却后过滤出无机物质。另外，硝基苯用水蒸汽蒸镏蒸出去，得到剩余物，将其与10％盐酸一起加入100ml四氢呋喃中。混合物用回流2小时脱乙酰化，得到由式(d)表示的N，N’-二(4-甲苯基)-1，3-苯二胺。
然后，将7.2g N，N’-二(4-甲苯基)-1，3-苯二胺(d)，13.0g式(E)的4-正丁基碘苯，13.8g碳酸钾和1g铜粉加入150ml硝基苯中，在激烈搅拌下在氮气鼓入该反应体系中的同时回流该混合物24小时。反应中产生的水通过与上述情况类似的用硝基苯共沸蒸镏从反应体系中除去。
在反应溶液冷却后过滤出无机物质。另外，硝基苯用水蒸汽蒸馏蒸出去，得到剩余物，将其溶于环己烷中。得到的溶液用硅胶柱色谱提纯，蒸出环己烷，得到白色沉淀物。然后，白色沉物用正己烷重结晶，得到目的产物式(1 a)的N，N’-二(4-甲苯基)-N，N’-二(4-正丁基苯基)-1，3-苯二胺(7.3g，收率27.3％，熔点93.3℃)。
N，N’-二(4-甲苯基)-N，N’-二(4-正丁基苯基)-1，3-苯二胺的红外光谱分析结果如图1所示。另外，元素分析如下所示。
元素分析(％)计算值C，86.89；H，8.04；N，5.07实验值C，86.84；H，8.01；N，5.08合成实施例2将7.2g根据与在合成实施例1中描述的相同的方法得到的由式(d)表示的N，N’-二(4-甲苯基)-1，3-苯二胺与12.3g由式(g)表示的4-异丙基碘苯反应， 反应产物进行分离、提纯和重结晶，得到由式(1b)表示的N，N’-二(4-甲苯基)-N，N’-二(4-异丙基苯基)-1，3-苯二胺(7.1g，收率29.1％，熔点120℃)。
N，N’-二(4-甲苯基)-N，N’-二(4-异丙基苯基)-1，3-苯二胺的红外光谱分析结果如图2所示。另外，元素分析结果如下所示。
元素分析(％)计算值C，86.96；H，7.70；N，5.34实验值C，86.95；H，7.67；N，5.33合成实施例3由式(1c)表示的苯二胺化合物由相应的起始化合物用与合成实施例1中的相同的方法得到。
mp139.4℃元素分析(％)计算值C，88.53；H，6.55；N，4.92实验值C，88.61；H，6.51；N，4.96
<电光敏材料>
实施例1-5和比较实施例1-4(数字光源的单层光敏材料)将5份(重量)电荷产生材料酞菁颜料，50份(重量)空穴转移材料属于由通式(1)表示的间苯二胺衍生物，30份(重量)电子转移材料由通式(Q)表示的3，5-二甲基-3’，5’-二叔丁基联苯醌， 和100份(重量)粘合树脂聚碳酸酯用800份(重量)溶剂四氢呋喃，用球磨机混合和分散50小时，制备单层光敏层的涂覆溶液。然后，该涂覆溶液用浸涂方法涂覆在导电基底铝管上，接着用热空气在100℃干燥60分钟，得到数字光源的单层光敏材料，其单层光敏层厚度15-20μ。
实施例6和7(数字光源的多层光敏材料)将2份(重量)电荷产生材料酞菁颜料，和1份粘合树脂聚乙烯醇缩丁醛用120份溶剂二氯甲烷，用球磨机混合和分散，制备电荷产生层的涂覆溶液。然后，该涂覆溶液用浸涂方法涂覆在导电基底铝管上，接着用热空气在100℃干燥60分钟，形成电荷产生材料，厚度0.5μm。
然后，将80份(重量)空穴转移材料属于由式(1)表示的间苯二胺衍生物的化合物，和100份(重量)粘合树脂聚碳酸酯，用800份(重量)溶剂苯，用球磨机混合和分散，制备电荷转移层的涂覆溶液。该涂覆溶液用浸涂方法涂覆在电荷产生层上，接着用热空气在100℃干燥60分钟，形成电荷转移层，厚度0.5μm。从而得到数字光源的多层光敏材料。
用于上述实施例和比较实施例中的电荷产生材料和空穴转移材料的有关化合物分别如表1和2中的一些化合物表示。另外，用于比较实施例4中的间苯二胺衍生物是下面的化合物。 下面进行关于上述实施例和比较实施例的光敏材料的初始电特性试验，并评价其特性。
<初始电特性试验(I)>
用GENTEC公司制造的鼓式光敏性试验器向各个实施例和比较实施例的光敏材料表面上施加电压，使在单层光敏材料和多层光敏材料的情况下表面负荷分别为+700V和-700V。然后，用从曝光光源卤灯的白色光通过光谱通带过滤器得到的波长780nm(半宽度20nm)和光强度16μW/cm2的单色光照射在光敏材料表面80msec.(照射时间)。接着测定从曝光开始经过330msec.时的表面电势作为曝光后的电势VL(V)。由于在光敏层形成时用式(4)化合物的比较实施例2的光敏材料结晶，故试验末进行。
单层光敏材料和多层光敏材料的试验结果分别如表1和表2所示。
表1电荷产生材料 空穴转移材料 电子转移材料 VL(V)实施例 1 G1 1aQ+218实施例 2 G1 1bQ+215实施例 3 G1 1cQ+220实施例 4 G2 1aQ+223实施例 5 G2 1bQ+220比较实施例 1 G1 4bQ+253比较实施例 2 G1 4aQ*比较实施例 3 G1 4cQ+271比较实施例 4 G1 4dQ+279*由于结晶未测定表2电荷产生材料空穴转移材料电子转移材料 VL(V)实施例 6 G1 1aQ-148实施例 7 G1 1bQ-143
从表1中的结果明显看出，实施例1-5的光敏材料的光敏特性优于用由式(4b)和(4c)表示的化合物的比较实施例1和3的通用的光敏材料和用由式(4d)(其中取代基R1-R4是通式(1)中的相同的异丙基)表示的化合物的比较实施例4的光敏材料的光敏特性，因为曝光后其电势VL(V)低。
从表2中的结果明显看出，实施例6和7的光敏材料的光敏特性优良，因为曝光后其电势VL(V)低。
实施例8-19和比较实施例5-16(模拟光源的单层光敏材料)将5份(重量)电荷产生材料偶氮颜料，50份(重量)空穴转移材料属于由通式(1)表示的间苯二胺衍生物的化合物，30份(重量)电子转移材料式(Q)的3，5-二甲基-3’，5’-二叔丁基联苯醌，和100份(重量)粘合树脂聚碳酸酯用800份(重量)溶剂四氢呋喃，用球磨机混合和分散50小时，制备单层光敏层的涂覆溶液。然后，该涂覆溶液用浸涂方法涂覆在导电基底铝管上，接着用热空气在100℃干燥60分钟，得到数字光源的单层光敏材料，其单层光敏层厚度15-20μm。
下面进行关于上述实施例和比较实施例的光敏材料的初始电特性试验，并评价其特性。
<初始电特性试验(II)>
同GENTEC.公司制造的光敏性试验器向各个实施例和比较实施例的电光敏材料表面施加电压表面负荷+700V。然后，用曝光光源卤灯的白色光(光强度147μW/cm2)照射在光敏材料表面50msec(照射时间)，测定上述表面电势减少至一半即+350V所必需的时间，由此计算半衰期曝光E1/2(μJ/cm2)。另外，测定从曝光开始经过330msec.时的表面电势作为曝光后的电势VL(V)。由于在光敏层形成时用式(4a)化合物的比较实施例5，9，12和15的光敏材料结晶，故试验末进行。
试验结果如表3和4所示。
表3电荷产生材料 空穴转移材料 电子转移材料 VL(V)实施例 8 G4 1a Q +205实施例 9 G4 1b Q +210实施例 10 G4 1c Q +216实施例 11 G5 1a Q +203实施例 12 G5 1b Q +206实施例 13 G5 1c Q +211实施例 14 G6 1a Q +213实施例 15 G6 1b Q +211实施例 16 G6 1c Q +220实施例 17 G7 1a Q +221实施例 18 G7 1b Q +224实施例 19 G7 1c Q +222
表4电荷产生材料空穴转移材料电子转移材料 VL(V)比较实施例 5 G4 4b Q+249比较实施例 6 G4 4a Q*比较实施例 7 G4 4c Q+257比较实施例 8 G5 4b Q+254比较实施例 9 G5 4a Q*比较实施例 10 G5 4c Q+244比较实施例 11 G6 4b Q+249比较实施例 12 G6 4a Q*比较实施例 13 G6 4c Q+259比较实施例 14 G7 4b Q+260比较实施例 15 G7 4a Q*比较实施例 16 G7 4c Q+254*由于结晶未测定从表3和4中的结果明显看出，实施8-19的光敏材料的光敏特性优于用由式(4b)和(4c)表示的化合物的各个比较实施例的通用的光敏材料的光敏特性，因为曝光后其电势VL(V)低。
合成实施例4根据与实施例1中描述的相同的方法，7.2g用与合成实施例1中描述的相同方法得到的由式(d)表示的(N，N’-二(4-甲苯基)-1，3-苯二胺与14.01g式(f)表示的4-苯基磺苯反应，反应产物进行分离、提纯、重结晶，得到由式(2a)表示的N，N’-二(4-甲苯基)-N，N’-二(4-联苯基)-1，3-苯二胺(3.59g，收率24.2％，mp148.4℃)。
N，N’-二(4-甲苯基)-N， N’-二(4-联苯基)-1，3-苯二胺的红外光谱分析结果如图3所示。另外，元素分析结果如下所示。
元素分析(％)计算值C，89.14；H，6.13；N，4.73实验值C，89.01；H，6.14；N，4.85上述化合物的空穴转移能力由下述TOF方法评价。
<TOF方法>
试样化合物和粘合树脂聚碳酸酯(重量比1∶1)溶于溶剂四氢呋喃中，制备涂覆溶液，将其涂覆铝片表面上，接着干燥，形成试样膜(厚度10μm)，其中试样化合物分散在粘合树脂中。然后，将金真空沉积其上，形成半透明的金电极层。
在将电场(电场强度30V/μm)施加于铝片和半透明金电极层之间时用波长337nm的N2激光脉冲通过半透明的金电极膜照射试样膜3ns，测定电荷流动性以评价空穴转移能力。
结果和由式(4b)表示的化合物的测试结果一起如表5所示。
表5试样化合物 电荷流动性(cm2/V·秒)(2a)5.21×10-5(4b)1.95×10-5从表5中的结果明显看出，属于由式(2)表示的间苯二胺衍生物的式(2a)化合物的空穴转移能力优于式(4a)表示的通用化合物的空穴转移能力。
合成实施例5-12由式(2b)至(2i)表示的苯二胺化合物从相应的起始化合物与合成实施例4中描述的相同的方法制备。
化合物(2b)mp146.3℃元素分析(％)计算值C，88.84；H，6.84；N，4.32实验值C，88.53；H，6.86；N，4.33化合物(2c)mp147.1℃元素分析(％)计算值C，84.57；H，5.81；N，4.49实验值C，84.61；H，5.79；N，4.51化合物(2d)mp159.2℃元素分析(％)计算值C，79.60；H，4.78；N，4.42实验值C，79.62；H，4.81；N，4.39化合物(2e)mp176.5℃元素分析(％)计算值C，89.06；H，6.32；N，4.62实验值C，89.12；H，6.28；N，4.61化合物(2f)mp120.5℃元素分析(％)计算值C，89.06；H，6.32；N，4.62实验值C，89.01；H，6.35；N，4.59化合物(2g)mp140.5℃元素分析(％)计算值C，84.24；H，5.63；N，4.47实验值C，84.41；H，5.59；N，4.49化合物(2h)mp192.0℃元素分析(％)计算值C，87.47；H，5.71；N，6.81实验值C，87.51；H，5.76；N，6.90化合物(2i)mp116.3℃
元素分析(％)计算值C，86.77；H，6.15；N，4.50实验值C，85.99；H，6.21；N，4.45<电光敏材料>
实施例20-29和比较实施例17和18(数字光源的单层光敏材料)将5份(重量)电荷产生材料酞菁颜料，100份(重量)空穴转移材料属于由通式(2)表示的间苯二胺衍生物的化合物，和100份(重量(粘合树脂聚碳酸酯用100份(重量)四氢呋喃用球磨机混合和分散50小时，制备单层光敏层的涂覆溶液。然后，该涂覆溶液用浸涂方法涂覆于导电基底铝管上，接着用热空气在110℃干燥30分钟，得到数字光源的单层光敏材料，其单层光敏层厚度25μm。
实施例30-39和比较实施例19和20(数字光源的多层光敏材料)将2.5份(重量)电荷产生材料酞菁颜料，和1份(重量)粘合树酯聚乙烯醇缩丁醛，用15份(重量)四氢呋喃用球磨机混合和分散，制备电荷产生层的涂覆溶液。然后，将该涂覆溶液用浸涂方法涂覆在导电基底铝管上，接着用热空气在110℃干燥30分钟，形成电荷产生层，膜厚度0.5m。
将1份(重量)电荷转移材料属于由通式(2)表示的间苯二胺衍生物的化合物，和1份(重量)粘合树脂聚碳酸酯，用10份(重量)四氢呋喃用球磨机混合和分散，制备电荷转移层的涂覆溶液。然后，将该涂覆溶液用浸涂方法涂覆于电荷产生层上，接着用热空气在110℃干燥30分钟，形成电荷转移层，厚度20μm。从而得到数字光源的多层光敏材料。
在上述实施例和比较实施例中使用的电荷产生材料和空穴转移材料的有关化合物如表6和7中的一些化合物表示。
下面进行关于上述实施例和比较实施例的有关光敏材料的试验，并评价其特性。
<初始电特性试验(III)>
用GENTEC公司制造的鼓式光敏性试验器向各个实施例和比较实施例的光敏材料表面上施加电压，使在单层光敏材料和多层光敏材料的情况下表面负荷分别为+700±20V和-700±20V。然后，测定加负荷时的表面电势作为初始表面电势Vo(V)。
然后，用从曝光光源卤灯的白色光通过光谱通带过滤器得到的波长780nm(半宽度20nm)和光强度10μJ/cm2的单色江照射光敏材料表面1.5sec(照射时间)，测定从曝光开始经过0.5sec时的表面电势作为剩余电势Vr(V)。另外，测定表面电势减少至初始表面电势Vo一半必需的曝光作为半衰期曝光E1/2(μJ/cm2)。
<老化后的电特性试验(I)>
在各个实施例和比较实施例的光敏材料中，单层光敏材料装入静电传真机(TC-650型，Mita Kogyo有限公司制造)中，而受层光敏材料装入静电激光印刷机(LP-2080型，Mita Kogyo有限公司制造)中。在形成图像10,000次后，根据与上述的相同的方法测定电特性，并从上述初始值分别算出初始表面电势Vo和剩余电势Vr的变化值ΔVo和ΔVr。
单层光敏材料和多层光敏材料的试验结果分别如表6和表7所示。
表6电荷产生材料 空穴转移材料 Vo(V) Vr(V) E1/2ΔVo(V) ΔVr(V)实施例 20 G1 2a701 25 0.68 -20 +5实施例 21 G1 2b703 24 0.65 -30 ±0实施例 22 G1 2c709 29 0.74 -25 +10实施例 23 G1 2d713 32 0.76 -20 +5实施例 24 G1 2e706 27 0.64 -20 ±0实施例 25 G1 2f698 19 0.67 -30 +5实施例 26 G1 2g706 28 0.76 -15 ±0实施例 27 G1 2h711 29 0.70 -20 +10实施例 28 G1 2i701 25 0.72 -10 +5实施例 29 G2 2a704 25 0.64 -15 +10比较实施例 17 G1 4b702 45 1.03 -85 +45比较实施例 18 G2 4b708 43 0.95 -80 +35.
从表6中的结果明显看出，实施例20-29的光敏材料的光敏特性优于用由式(4b)表示的化合物的比较实施例17和18的通用光敏材料的光敏性，因为其剩余电势Vr(V)低，半衰期曝光E1/2(μJ/cm2)小。另外，上述各个实施例的光敏材料的稳定性优于比较实施例17和18的光敏材料的稳定性，因为老化后初始表面电势Vo和剩余电势Vr的变化值ΔVo(V)和ΔVr(V)都小。
表7电荷产生材料空穴转移材料Vo(V) Vr(V)E1/2ΔVo(V) ΔVr(V)实施例 30G1 2a -707 -10 0.48-5±0实施例 31G1 2b -706 -11 0.45-10 ±0实施例 32G1 2c -712 -14 0.54-5+5实施例 33G1 2d -698 -16 0.56-20 ±0实施例 34G1 2e -705 -12 0.44-15 -5实施例 35G1 2f -711 -13 0.47-15 ±0实施例 36G1 2g -701 -15 0.56-5±0实施例 37G1 2h -704 -13 0.50-15 +10实施例 38G1 2i -706 -10 0.52-5+5实施例 39G2 2a -701 -10 0.44-10 +5比较实施例 19G1 4b -703 -20 0.83-55 +35比较实施例 20G2 4b -711 -18 0.75-50 +40
从表7中的结果明显看出，实施例30-39的光敏材料的光敏特性优于用由式(4b)表示的化合物的比较实施例19和20的通用光敏材料的光敏性，因为其剩余电势Vr(V)低，半衰期曝光E1/2(μJ/cm2)小。另外，上述各个实施例的光敏材料的稳定性优于比较实施例19和20的光敏材料的稳定性，因为老化后其初始表面电势Vo和剩余电势Vr的变化值ΔVo(V)和ΔVr(V)都小。
实施例40-54和比较实施例21-25(模拟光源的单层光敏材料)将5份(重量)电荷产生材料苝或偶氮颜料，100份(重量)空穴转移材料属于由通式(2)表示的间苯二胺衍生物的化合物，和100份(重量)粘合树脂聚碳酸酯，用800份(重量)溶剂四氢呋喃用球磨机混合和分散50小时，制备单层光敏层的涂覆溶液。然后，该涂覆溶液用浸涂方法涂覆在导电基底铝管上，接着闭热空气在110℃干燥30分钟，得到数字光源的单层光敏材料，其单层电光敏层厚度25μm。
实施例55-69和比较实施例26-30(模拟光源的多层光敏材料)将2.5份(重量)电荷产生材料苝或偶氮颜料，和1份(重量)粘合树脂聚乙烯醇缩丁醛，用15份(重量)溶剂四氢呋喃用球磨机混合和分散，制备电荷产生层的涂覆溶液。然后，该涂覆溶液用浸涂方法涂覆在导电基底铝管上，接着用热空气在110℃干燥30分钟，形成电荷产生层，厚度0.5μm。
将1份(重量)空穴转移材料属于由通式(2)表示间苯二胺衍生物的化合物，和1份(重量)粘合树脂聚碳酸酯，用10份(重量)四氢呋喃用球磨机混合和分散，制备电荷转移层的涂覆溶液。然后，该涂覆溶液用浸涂方法涂覆在电荷产生层上，接着用热空气在110℃干燥30分钟，形成电荷转移层，厚度20μm。从而得到模拟光源的多层光敏材料。
在上述实施例和比较实施例中使用的电荷产生材料和空穴转移材料的有关化合物如表8和9中的一些化合物所示。
下面进行关于上述实施例和比较实施例的有关光敏材料的试验，并评价其特性。
<初始电特性试验(IV)>
用GENTEC公司制造的鼓式光敏试验器向各个实施例和比较实施例的光敏材料表面上施加电压，使在单层光敏材料和多层光敏材料的情况下表面负荷分别为+700±20V和-700±20V。然后，测定负荷时的表面电势作为初始表面电势Vo(V)。
用曝光光源卤灯的白色光(光强度10lux)照射光敏材料表面1.5sec(照射时间)，测定从曝光开始经过0.5sec时的表面电势作为剩余电势Vr(V)。另外，测定表面电势减少至初始表面电势Vo一半必需的曝光作为半衰期曝光E1/2(lux sec)。
<老化后的电特性试验(II)>
在各个实施例和比较实施例的光敏材料中，单层光敏材料装入静电复印机(PC-2556型，Mita Kogyo有限公司制造)中，而多层光敏材料装入有负变化特性的静电复印机(DC-2556型，Mita Kogyo有限公司制造)中。在形成图像10,000次后根据与上述的相同的方法测定电特性，并从上述起始值分别算出起始表面电势Vo和剩余表面电势Vr的变化值ΔVo(V)和ΔVr。
单层光敏材料的试验结果和多层光敏材料的试验结果分别如表8和表9所示。
表8电荷产生材料 空穴转移材料 Vo(V) Vr(V) E1/2ΔVo(V) ΔVr(V)实施例 40G32a 698 40 1.96-10 +15实施例 41G82a 707 95 1.25-105 +5实施例 42G82e 705 97 1.23-90 +5实施例 43G82g 696 103 1.30-120 +10实施例 44G62a 713 95 1.10-55 +5实施例 45G62b 704 96 1.09-60 +5实施例 46G62e 706 98 1.21-40 ±0实施例 47G62h 703 95 1.18-85 -5实施例 48G92a 699 90 0.98-40 ±0实施例 49G92c 703 92 0.99-55 ±0实施例 50G92f 696 95 1.02-60 -5实施例 51G92g 714 98 1.11-50 +5实施例 52G92h 707 96 1.08-55 +5实施例 53G92i 701 95 1.06-60 ±0实施例 54G10 2a 706 123 1.41-150 +10比较实施例 21G34b 707 186 2.45-95 +60比较实施例 22G84b 704 121 1.60-215 +45比较实施例 23G64b 707 124 1.68-180 +50比较实施例 24G94b 696 110 1.47-160 +40比较实施例 25G10 4b 701 145 2.06-250 +55
从表8中的结果明显看出，实施例40-54的光敏材料的光敏特性优于用由式(4b)表示的化合物的比较实施例21-25的通用的光敏材料的光敏特性，因为其剩余电势Vr(V)低，半衰期曝光E1/2(lux sec)小。另外，上述各个实施例的光敏材料的稳定性优于比较实施例21-25的光敏材料的稳定性，因为老化后其初始表面电势Vo和剩余电势Vr的变化值ΔVo(V)和ΔVr(V)小。
表9电荷产生材料空穴转移材料 Vo(V) Vr(V) E1/2ΔVo(V) ΔVr(V)实施例 55G3 2a -711 -101 1.88-25+20实施例 56G8 2a -709 -561.24-65+15实施例 57G8 2e -699 -601.27-75+20实施例 58G8 2g -703 -581.31-70+20实施例 59G6 2a -699 -451.05-40±0实施例 60G6 2b -697 -501.18-25+5实施例 61G6 2e -705 -421.01-50+5实施例 62G6 2h -710 -461.10-55±0实施例 63G9 2a -706 -350.90-15±0实施例 64G9 2c -699 -400.95-20-5实施例 65G9 2f -698 -370.93-20±0实施例 66G9 2g -710 -420.98-15±0实施例 67G9 2h -711 -400.94-10+5实施例 68G9 2i -705 -380.95-25±0实施例 69G10 2a -700 -851.62-55+20比较实施例 26G3 4b -711 -156 2.56-40+65比较实施例 27G8 4b -706 -951.52-140 +45比较实施例 28G6 4b -696 -105 1.73-120 +40比较实施例 29G9 4b -712 -801.45-110 +35比较实施例 30G10 4b -705 -137 1.98-90+50
由表9中的结果明显看出，实施例55-69的光敏材料的光敏特性优于用式(4b)表示的化合物的比较实施例26-30的光敏材料的光敏特性，因为其剩余电势Vr(V)低，半衰期曝光E1/2(lux sec)小。另外，上述各个实施例的光敏材料的稳定性优于比较实施例26-30的光敏材料的稳定性，因为老化后起始表面电势Vo和剩余电势Vr的变化值ΔVo(V)和ΔVr(V)小。
<电光敏材料>
参考实施例1(间苯二胺衍生物(3)的合成)用与合成实施例1中描述的相同的方法，将7.2g用与合成实施例1中描述的相同的方法得到的N，N’-二(4-甲苯基)-1，3-苯二胺与15.4g由式(h)表示的4-(4-乙基苯基)磺苯反应， 反应产物进行分离、提纯和重量结晶，得到由式(3d)表示的N，N’-二(4-甲苯基)-N，N’-二[4-(4’-乙基)联苯基]-1，3-苯二胺(3.75g，收率23.1％)。
N，N’-二(4-甲苯基)-N，N’-二[4-(4’-乙基)联苯基]-1，3-苯二胺的红外光谱分析结果如图4所示。另外，元素分析结果如下所示。
元素分析(％)计算值C，88.84；H，6.84；N，4.32实验值C，88.63；H，6.94；N，4.33上述化合物的空穴转移能力由上述TOF方法评价。
试验结果与由式(4b)表示的化合物的测试结果如表10所示表10试样化合物 电荷流动性(cm2/V秒)(3d)3.39×10-5(4b)1.95×10-3从表10中的结果明显看出，属于由式(3)表示的间苯二胺衍生物的式(3d)化合物的空穴转移能力优于由式(4b)表示的通用化合物的空穴转移能力。
参考实施例2-7由式(3a)至(3c)和3(e)至(3g)表示的苯二胺化合物从相应的起始化合物用与参考实施例1中描述的相同的方法制备。
化合物(3a)mp145.1℃元素分析(％)计算值C，88.30；H，6.46；N，5.28实验值C，88.27；H，6.51；N，5.26化合物(3b)mp156.5℃元素分析(％)计算值C，88.19；H，6.67；N，5.15实验值C，88.23；H，6.64；N，5.12化合物(3c)mp148.7℃元素分析(％)计算值C，89.15；H，6.13；N，4.73实验值C，89.06；H，6.14；N，4.71
化合物(3e)mp133.6℃元素分析(％)计算值C，88.71；H，7.15；N，4.14实验值C，88.90；H，7.13；N，4.21化合物(3f)mp158.5℃元素分析(％)计算值C，88.77；H，6.99；N，4.23实验值C，88.66；H，6.96；N，4.26化合物(3g)mp201.2℃元素分析(％)计算值C，90.23；H，6.14；N，3.63实验值C，90.19；H，6.16；N，3.61实施例70-77(数字光源的单层光敏材料)将5份(重量)电荷产生材料酞菁颜料，100份(重量)空穴转移材料属于由通式(3)表示的间苯二胺衍生物的化合物，和100份(重量)粘合树脂聚碳酸酯，用800份(重量)四氢呋喃用球磨机混合和分散50小时，制备单层电光敏层的涂覆溶液。然后，该涂覆溶液用浸涂方法涂覆在导电基底铝管上，接着用热空气在110℃干燥30分钟，得到数字光源的单层光敏材料，其单层光敏层厚度25μm。
在上述实施例中使用的电荷产生材料和空穴转移材料的有关化合物如表11中的一些化合物所示。
在老化后进行关于上述实施例和比较实施例的有关光敏材料的初始电特性的上述试验(III)和电特性的上述试验(I)，并评价其特性。
试验结果与上述比较实施例17和18的试验结果如表11所示表11电荷产生材料 空穴转移材料 Vo(V) Vr(V) E1/2ΔVo(V) ΔVr(V)实施例 70 G13a 697 32 0.75 -30+15实施例 71 G13b 699 31 0.72 -35+20实施例 72 G13c 706 27 0.68 -20+5实施例 73 G13d 708 24 0.66 -15+5实施例 74 G13e 698 33 0.81 -30+10实施例 75 G13f 711 29 0.68 -20±0实施例 76 G13g 708 27 0.74 -10+5实施例 77 G23d 699 20 0.62 -20±0比较实施例 17 G14b 702 45 1.03 -85+45比较实施例 18 G24b 708 43 0.95 -80+35
从表11中的结果明显看出，实施例70-77的光敏材料的光敏特性优于用由式(4b)表示的化合物的比较实施例17和18的通用光敏材料的光敏特性，因为其剩余电势Vr(V)低，半衰期曝光E1/2(μ/cm2)小。另外，上述各个实施例的光敏材料的稳定性优于比较实施例17和18的光敏材料的稳定性，因为在老化后其初始表面电势Vo和剩余电势Vr的变化值ΔVo(V)和ΔVr(V)小。
实施例78-85(模拟光源的单层光敏材料)将5份(重量)电荷产生材料苝或偶氮颜料，100份(重量)空穴转移材料属于由通式(3)表示的间苯二胺衍生物的化合物，和100份(重量)粘合树脂聚碳酸酯，用800份(重量)溶剂四氢呋喃用球磨机混合和分散50小时，制备单层光敏层的涂覆溶液。然后，该溶液用浸涂方法涂覆在导电基底铝管上，接着用热空气在110℃干燥30分钟，得到数字光源的单层光敏材料，其单层光敏层厚度25μm。
在上述实施例中使用的电荷产生材料和空穴转移材料的有关化合物如表12中的一些化合物所示。
在老化后进行关于上述实施例和比较实施例的有关光敏材料的上述初始电特性试验(IV)和电特性试验(II)，并评价其特性。
试验结果与上述比较实施例21-25的试验结果由表12所示。
表12电荷产生材料 空穴转移材料Vo(V) Vr(V) E1/2ΔVo(V) ΔVr(V)实施例 78 G33d 712 138 1.94-20+10实施例 79 G83d 698 94 1.18-85+10实施例 80 G83f 701 105 1.22-80+5实施例 81 G63a 708 106 1.23-110 +10实施例 82 G63c 707 96 1.15-60+5实施例 83 G63e 705 102 1.26-55+5实施例 84 G63g 712 104 1.25-70±0实施例 85 G93d 705 92 0.98-55+5比较实施例 21 G34b 707 186 2.45-95+60比较实施例 22 G84b 704 121 1.60-215 +45比较实施例 23 G64b 707 124 1.68-180 +50比较实施例 24 G94b 696 110 1.47-160 +40比较实施例 25 G10 4b 701 145 2.06-250 +55
从表12中的结果明显看出，实施例78-85的光敏材料的光敏特性优于用由式(4b)表示的化合物的比较实施例21-25的通用光敏材料的光敏特性，因为其剩余电势Vr(V)低，半衰期曝光E1/2(lux sec)小。另外，上述有关实施例的光敏材料的稳定性优于比较实施例21-25的光敏材料的稳定性，因在老化后其初始表面电势Vo和剩余电势Vr的变化值ΔVo(V)和ΔVr(V)小。
权利要求
1.由通式(1)表示的间苯二胺衍生物 [式中R1和R2相同或不同，表示氢或可含有取代基的烷基；R3和R4相同或不同，表示含有3至5个碳原子的直链或支链的烷基；条件是R1、R2、R3和R4不同时是相同的烷基]。
2.电光敏材料，包括在导电基底上的光敏层，其含有由权利要求1中定义的通式(1)表示的间苯二胺衍生物。
3.根据权利要求2的电光敏材料，其中光敏层是单层光敏层，其含有电荷产生材料和电荷转移材料由通式(1)表示的间苯二胺。
4.根据权利要求2的电光敏材料，其中光敏层是多层光敏层，其包括含有电荷产生材料的电荷产生层和含有电荷转移材料由通式(1)表示的间苯二胺衍生物的电荷转移层，两层相互层压。
5.由通式(2)表示的间苯二胺衍生物 [式中R5和R6相同或不同，表示可含有取代基的烷基、可含有取代基的烷氧基或卤原子；R7是氢原子、可含有取代基的烷基、可含有取代基的烷氧基、可含有取代基的芳基、卤原子、氰基或硝基；a是1至4的整数]。
6.电光敏材料，包括在导电基底上的光敏层，其含有由在权利要求5中定义的通式(2)表示的间苯二胺衍生物。
7.根据权利要求6的电光敏材料，其中光敏层是单层可敏层，其含有电荷产生材料和电荷转移材料由通式(2)表示的间苯二胺衍生物。
8.根据权利要求6的电光敏材料，其中光敏层是多层光敏层，其包括含有电荷产生材料的电荷产生层和含有电荷转移材料由通式(2)表示的间苯二胺衍生物的电荷转移层，两层相互层压。
9.电光敏材料，包括在导电其底上的单层光敏层，其含有电荷产生材料和电荷转移材料由通式(3)表示的间苯二胺衍生物 [式中R8、R9、R10和R11相同或不同，表示氢原子、可含有取代基的烷基、可含有取代基的烷氧基、可含有取代基的芳基或卤原子；R12是氢原子、可含有取代基的烷基、可含有取代基的烷氧基、可含有取代基的芳基、卤原子、氰基或硝基；b，c，d和e分别表示1至5的整数；f是1至4的整数]。
全文摘要
本发明提供作为电荷转移材料特别是空穴转移材料的新的间苯二胺衍生物和具有高光敏性的电光敏材料。上述衍生物包括由上述通式(1)表示的化合物。电光敏材料包括在导电基底上的含有作为空穴转移材料的间苯二胺衍生物的光敏层。(式中R
文档编号C07C217/00GK1122015SQ9510591
公开日1996年5月8日 申请日期1995年5月30日 优先权日1994年5月30日
发明者宫本荣一, 武藤成昭, 角井干男, 住田圭介, 深见季之, 山里一郎, 上垣内寿和, 田中裕二 申请人:三田工业株式会社