技术特征：
技术总结
本发明公开了一种聚吡咯/纳米氧化锡锑/凹凸棒土导电复合材料的制备方法，其包括纳米氧化锡锑前驱体凝胶的制备，纳米氧化锡锑/凹凸棒土复合材料的制备，聚吡咯/纳米氧化锡锑/凹凸棒土导电复合材料的制备。本发明先以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料，采用溶胶‑凝胶法在凹凸棒土表面包覆了纳米氧化锡锑形成的内导电层，再以十二烷基磺酸钠为掺杂剂、过硫酸铵为氧化剂，在纳米氧化锡锑/凹凸棒土复合材料的悬浮体系中进行吡咯的化学氧化聚合，在纳米氧化锡锑/凹凸棒土复合材料表面包覆了聚吡咯形成的外导电层，使制得的导电复合材料不仅具有较高的电导率和机械强度，还具有优良的热稳定性、抗氧化性、耐候性、机械延展性和加工性。
技术研发人员：张志军
受保护的技术使用者：安徽博硕科技有限公司
技术研发日：2017.04.25
技术公布日：2017.09.12