-苯基吡啶） 合铱（Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac))、双（4-苯基噻吩并 [3,2-(：]吡啶4,02)乙酰丙酮和铱（？0-01)、三（1-苯基-异喹啉）合铱（11'(?丨9)3)、（乙 酰丙酮)双（2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)合铱（Ir (MDQ) 2 (acac))。阴极可以采用金属及其 混合物结构，如Mg:Al、Li:Al，也可以是电子注入层/金属层结构，如LiF/Al、Liq/Al常见 阴极结构，其中电子注入层可以为碱金属、碱土金属、过渡金属的单质、化合物或混合物等。 在本发明中所选用的阴极材料是Liq/Al。
[0031] 实施例3 采用本发明的化合物SAFNDCZ作为OLED器件主体材料，FIrpic为蓝色磷光染料，器件 结构为： IT0/HAT-CN(10nm)/TAPC(45nm)/SAFDCZ:FIrpic (20nm, 15vol°/〇 doping)/ TmPyPB(40nm)/Liq(2nm)/Al(120nm)。
[0032] 器件制备过程如下：将ITO透明导电玻璃基片在商用清洗剂中超声处理，在去离 子水中冲洗，用去离子水、丙酮、乙醇反复清洗三次，在洁净的环境下烘烤至完全出去水分， 用紫外灯和臭氧处理ITO导电玻璃。把处理过的ITO导电玻璃置于真空腔内，抽真空至 3. 0 X 10_4-4. 0 X 10_4Pa，在ITO导电玻璃上真空蒸镀HAT-CN作为空穴注入层（HIL)，蒸镀速 率为0. 25A/s，镀膜厚度为IOnm ;在空穴注入层之上真空蒸镀TAPC作为空穴传输层（HTL) 和电子阻挡层（EBL)，蒸镀速率为2A/s，镀膜厚度为45nm ;然后采用双源蒸镀的工艺方法， 以本发明化合物BCzCN为主体材料，采用FIrpic作为染料的第一有机发光层（EML)，控制蒸 镀速率为2A/s，镀膜厚度为20nm，FIrpic的掺杂浓度为8%。在有机发光层之上真空蒸镀一 层TmPyPB作为器件的空穴阻挡层（HBL)和电子传输层（ETL)，蒸镀速率为2A/s，镀膜厚度 为40nm ;在电子传输层上真空蒸镀Liq和Al层作为器件阴极，厚度为120nm。
[0033] 实施例4 采用本发明的化合物SAFNDCZ作为OLED器件主体材料，FIrpic为蓝色磷光染料，器 件结构为：IT0/CBP:Mo03(35nm，6vol% doping)/CBP(15nm)/ SAFNDCZ:Ir(ppy)2(acac) (15nm，8vol%doping)/TmPyPB(65nm)/Liq(2nm)/Al(120nm)〇
[0034] 器件制备过程如下：将ITO透明导电玻璃基片在商用清洗剂中超声处理，在去离 子水中冲洗，用去离子水、丙酮、乙醇反复清洗三次，在洁净的环境下烘烤至完全出去水分， 用紫外灯和臭氧处理ITO导电玻璃。把处理过的ITO导电玻璃置于真空腔内，抽真空至 3. OX 10_4-4. OX 10_4Pa，以双源蒸镀的工艺方法在ITO导电玻璃上真空蒸镀CBP掺杂MoOJl 作为空穴注入层（HIL)和空穴传输层（HTL)，蒸镀速率为2A/s，镀膜厚度为35nm，MoO3的掺 杂浓度为15% ;在空穴传输层之上真空蒸镀CBP作为电子阻挡层（EBL)，蒸镀速率为2A/s， 镀膜厚度为15nm ;然后采用双源蒸镀的工艺方法，以本发明化合物SAFNDCZ为主体材料，采 用Ir (ppy) 2 (acac)作为染料的有机发光层（EML)，控制蒸镀速率为2A/s，镀膜厚度为15nm， Ir (ppy) 2 (acac)的掺杂浓度为8% ;在有机发光层之上真空蒸镀一层TmPyPB作为器件的空 穴阻挡层（HBL)和电子传输层（ETL)，蒸镀速率为2A/s，镀膜厚度为65nm ;在电子传输层 上真空蒸镀Liq和Al层作为器件阴极，厚度为120nm。
[0035] 比较例1 采用1，3-二咔唑基苯(mCP)作为OLED器件主体材料，FIrpic为蓝色磷光染料，器件 结构为：ITO/HAT_CN(IOnm) /TAPC (45nm) /mCP:FIrpic (20nm, 8vol%doping) /TmPyPB (40nm) / Liq(2nm)/Al(120nm)〇
[0036] 器件制备过程如下：将ITO透明导电玻璃基片在商用清洗剂中超声处理，在去离 子水中冲洗，用去离子水、丙酮、乙醇反复清洗三次，在洁净的环境下烘烤至完全出去水分， 用紫外灯和臭氧处理ITO导电玻璃。把处理过的ITO导电玻璃置于真空腔内，抽真空至 3. 0 X 10_4~4. 0 X 10_4Pa，在ITO导电玻璃上真空蒸镀HAT-CN作为空穴注入层（HIL)，蒸镀速 率为0. 25A/s，镀膜厚度为IOnm ;在空穴注入层之上真空蒸镀TAPC作为空穴传输层（HTL) 和电子阻挡层（EBL)，蒸镀速率为2A/s，镀膜厚度为45nm ;然后采用双源蒸镀的工艺方法， mCP为主体材料，采用FIrpic作为染料的有机发光层（EML)，控制蒸镀速率为2A/s，镀膜厚 度为20nm，FIrpic的掺杂浓度为8% ;在有机发光层之上真空蒸镀一层TmPyPB作为器件的 空穴阻挡层（HBL)和电子传输层（ETL)，蒸镀速率为2A/s，镀膜厚度为40nm ;在电子传输层 上真空蒸镀Liq和Al层作为器件阴极，厚度为120nm。
[0037] 实施例3-4及比较例1的器件结构见表1 : 表1
器件的电流-亮度-电压特性是由带有校正过的硅光电二极管的Keithley源测量系 统（Keithley 2400 Sourcemeter、Keithley 2000 Currentmeter)完成的，电致发光光谱是 由Photo research公司PR655光谱仪测量的，所有测量均在室温大气中完成。
[0038] 实施例3-4及比较例1的器件数据见表2 : 表2
由上述3-4器件效果，我们可以合理推断如下：由于在电致发光器件中，能量的传输是 从高能量传到较低能量，而在蓝，绿，红的器件中，发光客体的能量依次降低。因此，只要主 体的能量高于蓝光，并且可以使蓝光的发光效率达到很好，则绿色和红色的器件也会相应 得到很高的效率。因此，我们可以根据上述3-4器件，合理推断出绿色和红色的发光器件的 效果。
[0039] 由上表可以看出，采用本发明化合物的器件相对于业内普遍采用mCP、CBP主体材 料的磷光发光器件获得了较好的结果。器件二发射蓝光，最大电流效率高达35. 5坎特拉每 安培，最大功率效率达35. 8流明每瓦。且所有化合物的玻璃化温度均在180°C以上，远大于 mCP (69°C )和CBP (62°C )，除此之外，所有材料的开启电压都得到极大的改进，均低于4. O eV，其中器件二效果最好，开启电压低至3. O eV，更适合产业化，可广泛应用于对亮度要求 较高的OLED大屏显示及OLED白光照明。
[0040] 综上所述，本发明以芴螺三苯胺为结构单元，通过吖啶部分4, 4'位的连接和修饰 不同电子特性的基团，得到芴螺三苯胺衍生物，有效地缩小主体材料的共轭度，增加化合物 有效分子量，使材料的三重态能级，玻璃化转变温度和开启电压都得到了很大的提高。另外 芴螺三苯胺衍生物的极性可以通过推/拉电子基团加以调整，与常用的磷光主体材料相比 较，磷光OLED器件性能得到了有效的提高，可广泛应用于有机电致发光领域。
[0041] 对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在 不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论 从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权 利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有 变化囊括在本发明内。
[0042] 此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包 含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当 将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员 可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1. 芴螺三苯胺衍生物，其特征在于，具有式（I )所示的化学结构：(I) ； 其中，主体为未取代的芴螺三苯胺； A为咔唑、a-N杂咔唑、β-N杂咔唑、γ-N杂咔唑、吡啶、二苯胺、二甲氧基二苯胺、二 甲基二苯胺或3, 6-二叔丁基咔唑。2. 根据权利要求1所述的芴螺三苯胺衍生物，其特征在于，主体为未取代的芴螺三苯 胺，所述衍生物具有式（II)的结构：(II) 〇3. 根据权利要求1或2所述的芴螺三苯胺衍生物在有机电致磷光器件中的用途。4. 有机电致磷光器件，包括玻璃、附着在玻璃上的导电玻璃衬底层，与导电玻璃衬底层 贴合的空穴注入层，与空穴注入层贴合的空穴传输层，与空穴传输层贴合的发光层，与发光 层贴合的空穴阻挡层，与空穴阻挡层贴合的电子传输层，与电子传输层贴合的阴极层，其特 征在于：所述的发光层由主体材料和掺杂材料组成，所述的主体材料为权利要求1所述的 芴螺三苯胺衍生物，所述掺杂材料为具有环金属配体的铱配合物。5. 根据权利要求4所述的有机电致磷光器件，其特征在于：所述的铱配合物为发绿光 的三（2-苯基吡啶）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱或发蓝光的双（4, 6-二氟苯基 吡啶_N，C2'）吡啶甲酰合铱。6. 根据权利要求4所述的有机电致磷光器件，其特征在于：所述的三（2-苯基吡啶）合 铱的掺杂比例为9wt%。7. 根据权利要求4所述的有机电致磷光器件，其特征在于：所述的乙酰丙酮酸二 (2-苯基吡啶）铱的掺杂比例为8wt%。8. 根据权利要求4所述的有机电致磷光器件，其特征在于：所述的双（4, 6-二氟苯基 吡啶-N，C2'）吡啶甲酰合铱的掺杂比例为15wt%。
【专利摘要】本发明公开了芴螺三苯胺衍生物及其用途，所述的芴螺三苯胺衍生物化学结构如下：；其中，芴螺三苯胺为主体；A为咔唑、α-N杂咔唑、β-N杂咔唑、γ-N杂咔唑、吡啶、二苯胺、二甲氧基二苯胺、二甲基二苯胺或3,6-二叔丁基咔唑。本发明的芴螺三苯胺衍生物具有很好的热稳定性和空穴传导性，通过简单方法，有效地控制主体材料共轭度，增加化合物分子量，使材料的三重态能级和玻璃化转变温度得到了很大提高，并且显著降低了开启电压。极性可以通过推/拉电子基团调整，通过调节其推拉电子集团的强度使之双极性性能提高，与常用的磷光主体材料相比，器件性能得到了提高，可广泛应用于有机电致发光领域。
【IPC分类】C07D471/04, H01L51/54, C07D401/14, C07D221/20, C09K11/06
【公开号】CN104892578
【申请号】CN201510255055
【发明人】廖良生, 蒋佐权, 王亚坤
【申请人】苏州大学
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月19日