化合物为目标产物，相对于分子量546.23，m/e = 546。
[0632] 实施例55
[0633] 将25mmX 75mmX 1 · 1mm厚的带有ΙΤ0透明电极（阳极）的玻璃基板（Geomatec公司 制)在异丙醇中超声波洗涤5分钟，然后进行UV臭氧洗涤30分钟。将洗涤后的带有ΙΤ0透明电 极线的玻璃基板载置于真空蒸镀装置的基板架，首先，以在形成了透明电极线的一侧的面 上覆盖所述透明电极的方式形成膜厚5nm的化合物HI-1膜。继该HI-1膜的成膜后，在该HI-1 膜上形成膜厚80nm的HT-1膜。继HT-1膜的成膜后，在该HT-1膜上形成膜厚15nm的HT-2膜。 [0634]将化合物1_1(发光层主体材料)和掺杂剂BD-1以19:1的膜厚比在HT-2膜上成膜， 形成膜厚25nm的发光层。
[0635]通过蒸镀在发光层上以20nm的膜厚形成ET-1作为电子传输层。继ET-1膜的成膜 后，在该ET-1膜上形成膜厚5nm的ET-2。然后，以lnm的膜厚形成LiF膜。在该LiF膜上蒸镀 80nm的金属A1，形成金属阴极，形成有机EL发光元件。
[0636] 对于通过上述方式制作的有机EL元件测定电压和外部量子效率(EQE)。具体地以 下述方式进行测定。结果如表1所示。
[0637] [驱动电压]
[0638] 以使电流密度达到10mA/cm2的方式在ΙΤ0透明电极与金属A1阴极之间进行通电， 测定此时的电压(单位:V)。
[0639] [外部量子效率EQE]
[0640]根据分光放射亮度谱图，假定进行了朗伯(Lambertian)辐射，算出外部量子效率 EQE(单位：％)。
[0641] 实施例56~58、比较例1~4
[0642] 发光层的成膜中，使用表1所示的化合物来代替化合物1-1，除此以外与实施例55 同样地形成有机EL发光元件，并进行评价。结果如表1所示。
[0643] 以下示出实施例55~58、比较例1~4中使用的化合物。
[0644] 【化150】
[0646] 【表1】
[0647]
[0648] 从表1可知，使用了本发明的化合物的有机电致发光元件可以由低电压驱动且显 示出高的发光效率。该低电压、高效率化的效果是通过对现有技术已知的芴的取代位置进 行变更、稠环化所无法实现的技术。本次明确了，通过对于稠合后的芴使在特定的取代位置 与含蒽结构进行键合，由此特异性地得到能够在保持高效率的同时实现低电压化的材料。
[0649] 实施例59
[0650] 将25mmX 75mmX 1 · 1mm厚的带有ΙΤ0透明电极（阳极）的玻璃基板(Geomatec公司 制)在异丙醇中超声波洗涤5分钟，然后进行UV臭氧洗涤30分钟。将洗涤后的带有ΙΤ0透明电 极线的玻璃基板载置于真空蒸镀装置的基板架，首先，以在形成了透明电极线的一侧的面 上覆盖所述透明电极的方式形成膜厚5nm的化合物HI-1膜。继HI-1膜的成膜后，在该HI-1膜 上形成膜厚80nm的HT-3膜。继HT-3膜的成膜后，在该HT-3膜上形成膜厚15nm的HT-4膜。 [0651]将化合物1_1(发光层主体材料)和掺杂剂BD-1以19:1的膜厚比在HT-4膜上成膜， 形成膜厚25nm的发光层。
[0652]在发光层上以1:1的膜厚比形成ET-3和ET-4,得到膜厚25nm的电子传输层。在该电 子传输层上蒸镀80nm的金属A1，形成金属阴极，形成有机EL发光元件。
[0653 ]对于通过上述方式制作的有机EL元件，与实施例5 5同样地测定电压和外部量子效 率(EQE)。具体地以下述方式进行测定。结果如表2所示。
[0654] 实施例60~85、比较例5~6
[0655] 发光层的成膜中，使用表2所示的化合物来代替化合物1-1，除此以外与实施例59 同样地形成有机EL发光元件，并进行评价。结果如表2所示。
[0656] 以下示出实施例59~85、比较例5~6中使用的化合物。
[0657] 【化151】
[0658]
[0659] 【化152】
[0660]
[0662]
[0663]上文中详细地说明了几个本发明的实施方式和/或实施例，对于本领域技术人员 而言，在不实质脱离本发明的新启示和效果的情况下，可以在这些例示的实施方式和/或实 施例中加入多种变更，这是容易想到的。因此，这些多种变更也包括在本发明的范围中。
[0664]作为本申请的巴黎公约优先权基础的日本申请说明书的全部内容并入本文中。
【主权项】
1.下述式(1)所示的蒽衍生物，式(1)中， Rn~R2Q中的任一者用于与L1的键合，用于与1^键合者是单键， Rn~R2Q中不用于与L1键合者各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、取代或未取代的碳数 1~20的烷基、取代或未取代的碳数2~20的烯基、取代或未取代的碳数2~20的炔基、取代 或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代的碳数1~20的烷硫基、取代或未取代的成 环碳数6~50的芳氧基、取代或未取代的成环碳数6~50的芳硫基、取代有取代或未取代的 碳数1~20的烷基的烷基甲硅烷基、取代有取代或未取代的成环碳数6~50的芳基的芳基甲 硅烷基、取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、取代或未取代的成环原子数5~50的杂环 基、或者取代或未取代的氨基， Rn~R2Q中相邻者之间可以相互键合而形成环， Li为单键、取代或未取代的成环碳数6~50的二价芳香族烃基、或者取代或未取代的成 环原子数5~50的二价杂环基， Z为下述式(2)所示的结构，式⑵中， Ri、R3及R4中的任一者用于与L1的键合，用于与1^键合者是单键， R1J3及R4中不用于与1^键合者、R2、以及R 5~R1Q各自独立地为氢原子、齒原子、氰基、取 代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未取代的碳数2~20的烯基、取代或未取代的碳数2 ~20的炔基、取代或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代的碳数1~20的烷硫基、取 代或未取代的成环碳数6~50的芳氧基、取代或未取代的成环碳数6~50的芳硫基、取代有 取代或未取代的碳数1~20的烷基的烷基甲硅烷基、取代有取代或未取代的成环碳数6~50 的芳基的芳基甲硅烷基、取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、取代或未取代的成环原子 数5~50的杂环基、或者取代或未取代的氨基， 其中，R5~R8中相邻的2个基团组成的组中至少1组相互键合而形成饱和或不饱和的烃 环， L1为单键的情况下，R1J3及R4中的任一者与Rn~R 2Q中的任一者直接键合。2. 如权利要求1所述的蒽衍生物，其中， R5~R8中相邻的2个基团组成的组中至少1组相互键合而形成下述式(3)所示的环结构，式(3)中，R21~R24各自独立地与所述式(2)中的R2及R5~RlQ含义相同， R21~R24中相邻者之间可以相互键合而形成环。3. 如权利要求1或2所述的蒽衍生物，其中， Z为下述式(4)~(7)中任一者所示的结构，式⑷~⑴中， Ri、R3及R4中的任一者用于与L1的键合，用于与1^键合者是单键， Rl、R3及R4中不用于与Ll键合者、R2、Rl01~Rl08、Rlll~Rll8、Rl21~Rl28以及Rm~Rwo各自独 立地与所述式(2)中的R2及R5~RiQ含义相同。4. 如权利要求1~3中任一项所述的蒽衍生物，其中， Rn~R2Q中不用于与1^键合的者中的至少一者为取代或未取代的成环碳数6~50的芳 基、或者取代或未取代的成环原子数5~50的杂环基。5. 如权利要求1~4中任一项所述的蒽衍生物，其中， R20为取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、或者取代或未取代的成环原子数5~50的 杂环基。6. 如权利要求1~3中任一项所述的蒽衍生物，其由下述式(8)~（11)中任一者表示，I 式(8)~（11)中， R201~R2Q9各自独立地与所述式⑴中不用于与Ll键合的Rll~R2Q含义相同， R210~R22Q、R221~R231、R232~R242及R243~R255各自独立地与所述式（1 )中的R2及R5~RlO含 义相同， L2与所述式（1)中的Li含义相同。7. 如权利要求6所述的蒽衍生物，其中， R205为取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、或者取代或未取代的成环原子数5~50 的杂环基。8. 如权利要求1~3中任一项所述的蒽衍生物，其由下述式(12)~（15)中任一者表示，式(12)~（15)中， R200、R2Q1及R2Q3~R2Q9各自独立地与所述式⑴中不用于与Ll键合的Rll~R2Q含义相同， R256~R266、R267~R277、R278~R288_S^289~尺301|自 cIzl ~Rl〇t 义相同， L2与所述式（1)中的Li含义相同。9. 如权利要求8所述的蒽衍生物，其中， 选自R2qq及R2Q5中的1个以上各自独立地为取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、或者 取代或未取代的成环原子数5~50的杂环基。10. -种有机电致发光元件用材料，其含有权利要求1~9中任一项所述的蒽衍生物。11. 一种有机电致发光元件，其中，在阴极与阳极之间夹有包含发光层的1层以上有机 薄膜层， 所述有机薄膜层中的至少一层仅含有或以混合物的成分的形式含有权利要求1~9中 任一项所述的蒽衍生物。12. 如权利要求11所述的有机电致发光元件，其中， 所述发光层含有所述蒽衍生物。13. 如权利要求12所述的有机电致发光元件，其中， 所述蒽衍生物为主体材料。14. 如权利要求12或13所述的有机电致发光元件，其中， 所述发光层还含有荧光性掺杂剂及磷光性掺杂剂中的至少一者。15. 如权利要求14所述的有机电致发光元件，其中， 所述荧光性掺杂剂为芳基胺化合物。16. 如权利要求15所述的有机电致发光元件，其中， 所述荧光性掺杂剂为下述式(16)所示的稠环胺衍生物，式(16)中，Re各自独立地为取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未取代的碳数2~ 50的烯基、取代或未取代的碳数2~50的炔基、取代或未取代的碳数7~50的芳烷基、取代或 未取代的成环碳数3~20的环烷基、取代或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代的 成环碳数6~20的芳氧基、取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、取代或未取代的成环原 子数5~50的杂环基、取代或未取代的碳数1~30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的成环碳 数6~50的芳基甲硅烷基、取代或未取代的碳数1~50的烷基锗基、或者取代或未取代的成 环碳数6~50的芳基锗基，R e可以取代于式（16)的四环稠合骨架上的任一取代位置， t为0~10的整数， t为2~10的情况下，多个Re可以相互相同也可以相互不同， An~Ar4各自独立地为取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、或者取代或未取代的成 环原子数5~50的杂环基。17. 如权利要求15所述的有机电致发光元件，其中， 所述荧光性掺杂剂为下述式(17)所示的稠环胺衍生物，式(17)中，Rf各自独立地为取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未取代的碳数2~ 50的烯基、取代或未取代的碳数2~50的炔基、取代或未取代的碳数7~50的芳烷基、取代或 未取代的成环碳数3~20的环烷基、取代或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代的 成环碳数6~20的芳氧基、取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、取代或未取代的成环原 子数5~50的杂环基、取代或未取代的碳数1~30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的成环碳 数6~50的芳基甲硅烷基、取代或未取代的碳数1~50的烷基锗基、或者取代或未取代的成 环碳数6~50的芳基锗基，R f可以取代于式（17)的四环稠合骨架上的任一取代位置， u为0~8的整数， u为2~8的情况下，多个Rf可以相互相同也可以相互不同， Ar5~Ar8各自独立地为取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、或者取代或未取代的成 环原子数5~50的杂环基。18.如权利要求15所述的有机电致发光元件，其中， 所述荧光性掺杂剂为下述式(18)所示的稠环胺衍生物，式(18)中， 心及此各自独立地为氢原子、取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未取代的碳数2 ~50的烯基、取代或未取代的碳数2~50的炔基、取代或未取代的碳数7~50的芳烷基、取代 或未取代的成环碳数3~20的环烷基、取代或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代 的成环碳数6~20的芳氧基、取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、取代或未取代的成环 原子数5~50的杂环基、取代或未取代的碳数1~30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的成环 碳数6~50的芳基甲硅烷基、取代或未取代的碳数1~50的烷基锗基、或者取代或未取代的 成环碳数6~50的芳基锗基， Ri为取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未取代的碳数2~50的烯基、取代或未取 代的碳数2~50的炔基、取代或未取代的碳数7~50的芳烷基、取代或未取代的成环碳数3~ 20的环烷基、取代或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代的成环碳数6~20的芳氧 基、取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、取代或未取代的成环原子数5~50的杂环基、取 代或未取代的碳数1~30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的成环碳数6~50的芳基甲硅烷 基、取代或未取代的碳数1~50的烷基锗基、或者取代或未取代的成环碳数6~50的芳基锗 基，R 1可以取代于式（18)的芴骨架上的任一取代位置， q为〇~7的整数， q为2~7的情况下，多个心可以相互相同也可以相互不同，相邻的心之间可以键合而形 成环， L1为单键或连接基团，1^键合于式(18)的芴骨架上的未键合有心的键合位置， An、Ar2各自独立地为取代或未取代的成环碳数6~50的芳基、或者取代或未取代的成 环原子数5~50的杂环基， P为1~4的整数。19. 一种电子设备，其包含权利要求11~18中任一项所述的有机电致发光元件。
【专利摘要】下述式(1)所示的蒽衍生物。式(1)中，R11～R20中的任一者用于与L1的键合，不用于与L1键合者各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、取代或未取代的碳数1～20的烷基等。L1为单键、取代或未取代的成环碳数6～50的二价芳香族烃基等。Z为下述式(2)所示的结构。式(2)中，R1、R3及R4中的任一者用于与L1的键合，不用于与L1键合者、R2、以及R5～R10各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、取代或未取代的碳数1～20的烷基等。其中，R5～R8中相邻的2个基团组成的组中至少1组相互键合而形成饱和或不饱和的烃环。
【IPC分类】C07C13/66, H01L51/50, C07D307/91, C09K11/06
【公开号】CN105492413
【申请号】CN201480043140
【发明人】河村昌宏, 水木由美子, 伊藤裕胜, 羽山友治, 羽毛田匡
【申请人】出光兴产株式会社
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年9月3日
【公告号】US20160181542, WO2015033559A1