的情况进行详细说明。
[0320] 模具：
[0321] 作为第二实施方式中的模具，作为传递成形法中使用的模具可使用公知的模具。 例如可例举如图5所示的具有上模50和下模52的模具。上模50中，形成有与工序(β4)中形成 的树脂密封部14的形状对应的形状的内腔54、和向内腔54内导入固化性树脂40的凹状的树 脂导入部60。下模52中，形成有设置搭载半导体片12的基板10的基板设置部58、和配置固化 性树脂40的树脂配置部62。此外，树脂配置部62内，设置有将固化性树脂40向上模50的树脂 导入部60挤出的柱塞64。
[0322] 工序(β1):
[0323] 如图6所示，W覆盖上模50的内腔54的方式配置脱模膜30。脱模膜30优选W覆盖内 腔54、树脂导入部60的整体的方式进行配置。由于脱模膜30被卷出漉（图示略）W及卷取漉 (图示略)拉伸，因此在被拉伸的状态下W覆盖上模50的内腔54的方式被配置。
[0324] 工序他）：
[0325] 如图7所示，通过形成于上模50的内腔54的外部的沟（图示略)进行真空抽吸，对脱 模膜30和内腔面56之间的空间、W及脱模膜30和树脂导入部60的内壁之间的空间进行减 压，使脱模膜30拉伸变形，使其真空吸附在上模50的内腔面56上。
[0326] 另外，根据高溫环境下的脱模膜30的强度、厚度，W及内腔54的形状，脱模膜30不 限于与内腔面56密合。如图7所示，在工序(的）的真空吸附的阶段中，脱模膜30和内腔面56 之间留有少量空隙。
[0327] 工序(β3):
[0328] 如图8所示，安装有多个半导体片12的基板10设置在基板设置部58,上模50和下模 52合模，将多个半导体片12配置于内腔54内的规定位置。此外，预先在树脂配置部62的柱塞 64上配置固化性树脂40。
[0329] 作为固化性树脂40,可例举与方法(α)所举出的固化性树脂40相同的树脂。
[0330] 工序(Μ):
[0331] 如图9所示，将下模52的柱塞64向上推，通过树脂导入部60向内腔54内填充固化性 树脂40。接着，加热模具，使固化性树脂40固化，形成将多个半导体片12密封的树脂密封部 14。
[0332] 工序(Μ)中，通过在内腔54内填充固化性树脂40,利用树脂压力将脱模膜30进一 步压入内腔面56侧，使其拉伸，通过变形密合于内腔面56。因此，形成了与内腔54的形状对 应的形状的树脂密封部14。
[0333] 使固化性树脂40固化时的模具的加热溫度、即固化性树脂40的加热溫度优选设为 与方法(α)中的溫度范围相同的范围。
[0334] 固化性树脂40的填充时的树脂压力优选2~30MPa，特别优选3~lOMPa。如果树脂 压力在上述范围的下限值W上，则不易产生固化性树脂40的填充不足等缺点。如果树脂压 力在上述范围的上限值W下，则容易得到优良的品质的半导体封装体1。固化性树脂40的树 脂压力可利用柱塞64进行调整。
[0335] 工序(阳）：
[0336] 如图10所示，将一次性密封体1A从模具取出。此时，固化性树脂40在树脂导入部60 内固化后的固化物19在附着于一次性密封体1A的树脂密封部14的状态下与一次性密封体 1A-起从模具中被取出。因此，切除取出的一次性密封体1A上附着着的固化物19,得到一次 性密封体1A。
[0337] 工序(β6):
[0338] 将工序(化）中得到的一次性密封体1Α的基板low及树脂密封部14切断W使半导 体片12分离(单片化），得到具有基板10和至少1个半导体片12和密封半导体片12的树脂密 封部的单片化密封体。
[0339] 工序(β6)可与上述工序(α6)同样地进行。
[0340] 工序（的）：
[0341] 为了显示任意信息，在得到的单片化密封体的树脂密封部14的上表面(与脱模膜 30的第1面接触的面)14a上涂布墨水，形成墨水层16,得到半导体封装体1。
[0342] 工序(的)可与上述工序(α7)同样地进行。
[0343] 另外，在本实施方式中，示出了在工序(化)之后，依次实施工序(β6)、工序(的）的 例子，但工序(06)、工序(的)也可W相反的顺序进行。即，也可W在从模具中取出的一次性 密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上使用墨水形成墨水层，之后切断一次性密 封体的上述基板W及上述树脂密封部。
[0344] W上，对本发明的半导体封装体的制造方法示出第一~第二实施方式来进行说 明，但本发明不受上述实施方式所限。上述实施方式中的各结构及其组合等为一例，在不脱 离本发明的技术思想的范围内，可进行结构的附加、省略、置换W及其它变更。
[0345] 例如，制造的半导体封装体不限于半导体封装体1。例如半导体片或其他部件可从 密封部露出而直接与脱模膜接触。或者，密封部可W不是平坦的，存在阶差。
[0346] 将树脂密封部从脱模膜剥离的时机不限于将树脂密封部从模具取出时，也可W将 脱模膜与树脂密封部一起从模具取出，之后将脱模膜从树脂密封部剥离。
[0347] 各个一次性密封的多个半导体片12之间的距离可W是均匀的，也可W不均匀。从 使密封均质化、对多个半导体片12分别施加均匀的负荷（即负荷变得最小）的方面考虑，优 选将多个半导体片12彼此之间的距离设为均匀。
[0348] 此外，通过本发明的半导体封装体的制造方法制造的半导体封装体不限于半导体 封装体1。例如半导体片或其他部件可从密封部露出而直接与脱模膜接触。或者，密封部可 W不是平坦的，存在阶差。
[0349] 根据制造的半导体封装体，可W不进行第一实施方式中的工序(α6)~(α7)、第二 实施方式中的工序(06)~(的）。
[0350] 例如不限于树脂密封部的形状为如图1所示的截面大致矩形的封装体。被树脂密 封部所密封的半导体元件可W是1个也可W是多个。墨水层不是必需的。
[0351] 作为半导体封装体，在制造发光二极管的情况下，由于树脂密封部还作为透镜部 起作用，因此通常在树脂密封部的表面不形成墨水层。在作为透镜部的情况下，树脂密封部 的形状可采用大致半球形、炮弹形、菲涅耳透镜形、半圆柱体形、大致半球菲涅耳透镜形等 各种的透镜形状。
[0巧2]实施例
[0353] 下面，示出实施例来对本发明进行详细说明。但是，本发明并不受到下述记载的限 定。
[0354] 在后述的例1~29中，例1~9 W及例18~23为实施例，例10~15、17 W及例24~29 为比较例。例16为参考例。
[0355] 各例所使用的材料W及评价方法如下所示。
[0巧6]〔使用材料）
[0巧7] ETFE(l):后述的制造例1所得的四氣乙締/乙締/PF肥= 52.7/45.9/1.4(摩尔比） 的ETFE(MFR:12.0g/10分钟，烙点：262°C)。
[0巧引 ETFE(2):后述的制造例2所得的四氣乙締/乙締/PF肥= 52.7/46.5/0.8(摩尔比） 的ET阳(MFR10. lg/10分钟，烙点：268°C)。
[0巧9] ETFE(3):后述的制造例3所得的四氣乙締/乙締/PF肥= 52.7/45.8/1.5(摩尔比） 的ET阳(MFR: 5.4g/10分钟，烙点：26rC)。
[0360] 另夕h ET阳（1)~（3)的MFR均为根据ASTM D3159，在荷重49N、测定溫度297 °C下测 定的值。
[0361] <制造例1:ETFE(1)的制造〉
[0362] 对内容积为1.化的带揽拌机的聚合槽进行脱气，投入881.9g的1-氨十Ξ氣己烧、 335.5g的1，3-二氯-1，1，2，2，3-五氣丙烷(商品名"AK225cb"旭硝子株式会社制，W下称为 AK225cbD)、7.0g 的 C 此= CHCF2CF2CF2CF3(PF邸），压入 165.2g 的 TFE、9.8g 的乙締（W下称为 E。），将聚合槽内升溫至66°C，作为聚合引发剂溶液加入7.7mL的过氧化新戊酸叔下醋下 称为PBPV。）的1质量％的41(225(^溶液，使聚合开始。
[0363] W使聚合中压力达到一定的条件连续地投入TFE/E = 54/46的摩尔比的单体混合 气体。此外，与单体混合气体的投入一起，连续投入相对于TFE和E的总摩尔数，相当于1.4摩 尔％的量的PFBE。聚合开始2.9小时后，在投入lOOg单体混合气体的时刻，将聚合槽内溫降 至室溫的同时将聚合槽的压力排气至常压。
[0364] 用玻璃滤器对浆料进行抽滤，回收固体成分，通过在150°C下干燥15小时得到107g 的ET阳（1)。
[03化] < 制造例2:ETFE(2)的制造〉
[0366] 除了在使聚合开始前分别将投入的PFBE的量由7 . Og变更为3.9g，将PBPV的1质 量％的41(225诚溶液的量由7.7血变更为5.8血，在聚合中将连续投入的PF邸的量相对于TFE 和E的总摩尔数由1.4摩尔％变更为0.8摩尔％ W外，W与制造例1相同的方式得到105g的 ET 阳(2)。
[0367] <制造例3:ETFE(3)的制造〉
[0368] 除了在使聚合开始前分别将投入的1-氨十Ξ氣己烧的量由881.9g变更为954.9g， 将AK225cb的量由335.5g变更为267.8g，将PFBE的量由7.0g变更为7.1g，将TFE的量由 165.地变更为158.5g，将E的量由9.8g变更为9.4g，在聚合中将连续投入的PFBE的量相对于 TFE和E的总摩尔数由1.4摩尔％变更为1.5摩尔％ W外，W与制造例1相同的方式得到102g 的ET阳（3)。
[0369] <按压漉〉
[0370] 按压漉使用模漉。
[0371 ]均使用肖氏D硬度50、含有二氧化娃的有机娃橡胶包覆漉。
[0372] 模漉1~8的组成、Ra、R化示于表1。
[0373] [表 1]
[0374]
[0375] <冷却漉〉
[0376] 使用了模漉1~8的任一种或金属镜面漉(材质：SUS304Ra: 0.25，RPc: 55)。
[0377] [例1]
[0378] 通过调整了前缘的挤出机W使厚度达到50皿的方式将ETFE(l)从模中挤出，调整 溫度W使临被漉拉取前的树脂溫度达到300°C，进行烙融挤出，拉取至模漉和金属镜面的冷 却漉之间。如下调整参数，得到单面的Ra为1.7皿、RPc为100的脱模膜化TFE膜）。通过冷却漉 形成的面的Ra为0.2皿、R化为50。
[0379] 制造条件
[0380] 漉:模漉1/金属镜面漉
[0381] 漉间加压力：5〇N/cm
[0382] 30(TC下的烙融粘度aOOOPa · S
[0383] 300°C下的烙融粘度/漉间加压力：20
[0384] 〔例2~29)
[0385] 除了作为ETFE使用表2~5中示出的材料，调整模漉、制膜速度、漉间加压力，W使 厚度、单面的Ra、Wc达到表2~5中示出的值W外，W与例1相同的方式得到脱模膜化TFE 膜）。另外，Ra为0.2皿、R化为50的面是通过冷却漉形成的面。
[03化]〔评价方法）
[0387] (MFR)
[0388] 根据ASTM D3159,在荷重49N、297°C下测定。
[0389] (烙点）
[0390] 使用扫描型差示热分析计（SII纳米技术公司（SIIナ7テ夕7 口公一乂社）制， DSC220CU)，根据将ET阳在空气气氛下W10°C/分钟加热至300°C时的吸热峰求得。
[0391] (树脂溫度）
[0392] 在从模中被挤出、临被拉取至2根漉前的位置设置树脂溫度感应器GRMT(丹尼斯克 公司（歹二乂 3社)制），使烙融树脂的溫度与溫度计直接接触进行测定。
[0393] (烙融粘度）
[0394] 使用化pi lograph 1D(东洋精机制作所株式会社(東洋精機社）制)进行测定。将 通过上述的方法测定的树脂溫度作为测定溫度，使用炉体径为9.55mm、毛细管为内径1mm、 长度10mm的设备。调整活塞速度W使剪切速度达到10/秒，求出此时的表观粘度。
[0W5](膜的厚度的测定）
[0396] 根据IS04591:1992(JIS K7130:1999的B1 法)测定。
[0397] (膜的拉伸模量的测定）
[039引根据基于JIS K7127:1999(IS0 527-3:1995)的方法测定18(TC下的拉伸模量。
[0399] (Ra)
[0400] Ra基于JIS 80601:2013(1504287:1997,4111(1.1:2009)测定。基准长度(边界值入。） 设为0.8mm。测定时，使用SURFC0M 480A(东京精密株式会社(東京精密社)制），求出与膜的 制造时的流动方向垂直的方向的3处、W及平行的方向的3处共计6处的Ra，将它们的平均值 作为该表面的Ra。
[0401] (RPc)
[0402] R化基于JIS B0601:2013(IS04287:1997，Amd.l :2009)测定。基准长度设为 10mm。 测定时，使用SURFCOM 480A(东京精密株式会社制），求出与膜的制造时的流动方向垂直的 方向的3处、W及平行的方向的3处共计6处的RPc，将它们的平均值作为该表面的RPc。
[0403] (针孔的开口难易度的评价）
[0404] 参照图11对本评价方法进行说明。
[0405] 本评价中使用的装置具备:在中央有llmmX 11mm的正方形的孔的不诱钢制的框材 (厚度3mm)70,和在内部具有能够收容框材70的空间S的夹具72,和配置于夹具72之上的破 码74，和配置于夹具72之下的加热板76。
[0406] 夹具72具备上部构件72A和下部构件72B。在上部构件72A和下部构件7?之间夹持 脱模膜30,通过载放破码74,在固定脱模膜30的同时形成气密的空间S。此时框材70在孔中 收容有不诱钢制的挡块（日文：3 7)(10.5mm X 10.5mm) 78 W及不诱钢制的网（10.5mm X 10.5mm)80的状态下，被收容于夹具72内的上部构件72A侧，与脱模膜30接触。
[0407] 上部构件72A的顶面形成有排气口 84，排气口 84的空间S侧的开口面上配置有不诱 钢制的网（10.5mm X 10.5mm)82。此外，破码74的与排气口 84对应的位置上形成有贯通孔86， 通过贯通孔86配管L1与排气口 84连接。配管L1与真空累（图示略)连接，通过使真空累动作 可对夹具72内的空间S进行减压。下部构件72B与配管L2连接，藉由配管L2可对