一种有机硅制造装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种生产装置，尤其涉及一种有机硅制造装置。
【背景技术】
[0002]有机硅是在生活各种行业中大量使用的一种有机材料，目前有机硅的生产工艺是通过氯气与甲烷得到一氯代甲烷，再由一氯代甲烷与硅合成有机硅，而在合成一氯待甲烷是在一个高压环境下合成，现有的技术是事先制作一个高压环境，使得甲烷与氯气合成一氯甲烷，但是这种方法成本高、并且无法使得甲烷与氯气完全反应，鉴于上述缺陷，实有必要设计一种有机硅制造装置。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题在于:提供一种有机硅制造装置，来解决现有甲烷与氯气合成一氯代甲烷成本高，并且不能完全合成一氯甲烷的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本发明的技术方案是:一种有机硅制造装置，包括支撑台，包括缸体、顶盖、液压缸、活塞、抽风机、软胶管、第一进气管、第二进气管、开关、电池铁、真空机、螺旋机，所述的缸体位于支撑台顶部中心处，二者螺纹相连，所述的顶盖位于缸体顶部中心处，二者螺纹相连，所述的液压缸位于顶盖顶部中心处，二者螺纹相连，所述的活塞位于液压缸底端中心处，二者螺纹相连，所述的抽风机位于顶盖顶部中心左侧，二者螺纹相连，所述的软胶管位于抽风机底部中心处，其与抽风机、活塞螺纹相连，所述的第一进气管位于缸体右端中心上侧，二者焊接相连，所述的第二进气管位于第一进气管中心下侧，其与缸体焊接相连，所述的开关数量有若干件，所述的开关位于第一进气管右端中心处，和第二进气管的右端中心处，其与缸体螺纹相连，所述的电磁铁数量有若干件，所述的位于第一进气管右端中心下端，和第二进气管的右端中心下端，其第一进气管和第二进气管体螺纹相连，所述的真空机位于缸体右侧中心处，其与支撑台螺纹相连，所述的螺旋机位于活塞底部中心处，二者螺纹相连。
[0005]进一步，所述的缸体底部中心处还设有支撑架，二者焊接相连。
[0006]进一步，所述的缸体内部中心处还设有滑套，二者螺纹相连。
[0007]进一步，所述的顶盖内部部中心还设有耐磨套，其与液压缸滑配相连，与顶盖螺纹相连。
[0008]进一步，所述的缸体内部底端还设有氯化锌。
[0009]进一步，所述的顶盖底部中心右端还设有压力表，二者螺纹相连。
[0010]进一步，所述的活塞中心左侧还设有通气孔，其形状位于圆形通孔，孔口直接为30_50mm.
[0011]进一步，所述的通气孔中心处还设有单向阀，其与活塞螺纹相连。
[0012]进一步，所述的通气孔底部中心处还设有过滤网，其与活塞螺纹相连。
[0013]与现有技术相比，真空机先将缸体中的空气全部抽出，再分别从第一进气管、第二进气管中按比例注入一定量的甲烷和氯气，液压缸推动活塞往下压，使得缸体内部的气压迅速升，氯气和甲烷在氯化锌的催化下完全合成一氯代甲烷，再与液压缸推动活塞往上运动，抽风机将一氯代甲烷排出到指定位置。该装置体积小，功能强大，降低了生产成本。
【附图说明】
[0014]图1是装置的剖视图
[0015]支撑台 I缸体2
[0016]顶盖3液压缸 4
[0017]活塞5抽风机 6
[0018]软胶管 7第一进气管8
[0019]第二进气管9开关10
[0020]电磁铁 11真空机 12
[0021]螺旋机 13支撑架 201
[0022]滑套202氯化锌 203
[0023]耐磨套 301气压表 302
[0024]通气孔 501单向阀 502
[0025]过滤网 503
[0026]如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明。
【具体实施方式】
[0027]在下文中，阐述了多种特定细节，以便提供对构成所描述实施例基础的概念的透彻理解。然而，对本领域的技术人员来说，很显然所描述的实施例可以在没有这些特定细节中的一些或者全部的情况下来实践。在其他情况下，没有具体描述众所周知的处理步骤。
[0028]如图1所示，包括支撑台1、缸体2、顶盖3、液压缸4、活塞5、抽风机6、软胶管7、第一进气管8、第二进气管9、开关10、电磁铁11、真空机12、螺旋机13，所述的缸体2位于支撑台I顶部中心处，二者螺纹相连，所述的顶盖3位于缸体2顶部中心处，二者螺纹相连，所述的液压缸4位于顶盖3顶部中心处，二者螺纹相连，所述的活塞5位于液压杆4底端中心处，二者螺纹相连，所述的抽风机6位于顶盖3顶部中心左侧，二者螺纹相连，所述的软胶管7位于抽风机6底部中心处，其与抽风机6、活塞5螺纹相连，所述的第一进气管8位于缸体2右端中心上侧，二者焊接相连，所述的第二进气管9位于第一进气管8中心下侧，其与缸体2焊接相连，所述的开关10数量有若干件，所述的开关10位于第一进气管8右端中心处，和第二进气管9的右端中心处，其与缸体2螺纹相连，所述的电磁铁11数量有若干件，所述的电磁铁11位于第一进气管8右端中心下端，和第二进气管9的右端中心下端，其第一进气管8和第二进气管9螺纹相连，所述的真空机12位于缸体2右侧中心处，其与支撑台I螺纹相连，所述的螺旋机13位于活塞5底部中心处，二者螺纹相连，所述的缸体2底部中心处还设有支撑架201，二者焊接相连，所述的缸体2内部中心处还设有滑套202，二者螺纹相连，所述的顶盖3内部部中心还设有耐磨套301，其与液压缸4滑配相连，与顶盖3螺纹相连，所述的顶盖3底部中心右端还设有压力表302，二者螺纹相连，所述的缸体2内部底端还设有氯化锌203，所述的活塞5中心左侧还设有通气孔501，其形状位于圆形通孔，孔口直接为30-50mm，所述的通气孔501中心处还设有单向502，其与活塞5螺纹相连，所述的通气孔501底部中心处还设有过滤网503，其与活塞5螺纹相连，其中支撑台I是该装置的支撑固定作用，螺旋机13将氯化锌203吹起，使得氯化锌弥漫在缸体2型腔中，从而增加与氯气、甲烷接触面达到催化作用，支撑架201是减小缸体2与支撑台I的接触面积，提高缸体2的稳定性，滑套202与活塞6配合，在活塞6下压时形成一个封闭空间，耐磨套301是减小液压缸4的摩擦力，在活塞6下压时单向开关9自动关闭，防止气体反流，通气孔501是将合成的一氯甲烷排出，单向阀502是在活塞5下压时自动关闭，在排气是自动打开，过滤网503是防止催化剂排出，在第一进气管8、第二进气管9进气时开关10处于打开状态，在液压缸4推动活塞5下压时，电磁铁11通电，将开关10关闭，防止气体倒流。该装置是真空机12先将缸体2中的空气全部抽出，再分别从第一进气管7、第二进气管8中按比例注入一定量的甲烷和氯气，液压缸4推动活塞5往下压，使得缸体2内部的气压迅速升，氯气和甲烷在氯化锌的催化下完全合成一氯代甲烷，再与液压缸4推动活塞5往上运动，抽风机6将一氯代甲烷排出到指定位置。该装置体积小，功能强大，降低了生产成本。
[0029]本发明不局限于上述具体的实施方式，本领域的普通技术人员从上述构思出发，不经过创造性的劳动，所做出的种种变换，均落在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种有机硅制造装置，包括支撑台，其特征在于包括缸体、顶盖、液压缸、活塞、抽风机、软胶管、第一进气管、第二进气管、开关、电池铁、真空机、螺旋机，所述的缸体位于支撑台顶部中心处，二者螺纹相连，所述的顶盖位于缸体顶部中心处，二者螺纹相连，所述的液压缸位于顶盖顶部中心处，二者螺纹相连，所述的活塞位于液压缸底端中心处，二者螺纹相连，所述的抽风机位于顶盖顶部中心左侧，二者螺纹相连，所述的软胶管位于抽风机底部中心处，其与抽风机、活塞螺纹相连，所述的第一进气管位于缸体右端中心上侧，二者焊接相连，所述的第二进气管位于第一进气管中心下侧，其与缸体焊接相连，所述的开关数量有若干件，所述的开关位于第一进气管右端中心处，和第二进气管的右端中心处，其与缸体螺纹相连，所述的电磁铁数量有若干件，所述的电磁铁位于第一进气管右端中心下端，和第二进气管的右端中心下端，其第一进气管和第二进气管体螺纹相连，所述的真空机位于缸体右侧中心处，其与支撑台螺纹相连，所述的螺旋机位于活塞底部中心处，二者螺纹相连。
2.如权利要求1所述的一种有机硅制造装置，其特征在于所述的缸体底部中心处还设有支撑架，二者焊接相连。
3.如权利要求2所述的一种有机硅制造装置，其特征在于所述的缸体内部中心处还设有滑套，二者螺纹相连。
4.如权利要求3所述的一种有机硅制造装置，其特征在于所述的顶盖内部部中心还设有耐磨套，其与液压缸滑配相连，与顶盖螺纹相连。
5.如权利要求4所述的一种有机硅制造装置，其特征在于所述的缸体内部底端还设有氯化锌。
6.如权利要求5所述的一种有机硅制造装置，其特征在于所述的顶盖底部中心右端还设有压力表，二者螺纹相连。
7.如权利要求6所述的一种有机硅制造装置，其特征在于所述的活塞中心左侧还设有通气孔，其形状位于圆形通孔，孔口直接为30-50mm。
8.如权利要求7所述的一种有机硅制造装置，其特征在于所述的通气孔中心处还设有单向阀，其与活塞螺纹相连。
9.如权利要求8所述的一种有机硅制造装置，其特征在于所述的通气孔底部中心处还设有过滤网，其与活塞螺纹相连。
【专利摘要】本发明公开了一种有机硅制造装置，包括支撑台，包括缸体、顶盖、液压缸、活塞、抽风机、软胶管、第一进气管、第二进气管、开关、电池铁、真空机、螺旋机，与现有技术相比，真空机先将缸体中的空气全部抽出，再分别从第一进气管、第二进气管中按比例注入一定量的甲烷和氯气，液压缸推动活塞往下压，使得缸体内部的气压迅速升，氯气和甲烷在氯化锌的催化下完全合成一氯代甲烷，再与液压缸推动活塞往上运动，抽风机将一氯代甲烷排出到指定位置。该装置体积小，功能强大，降低了生产成本。
【IPC分类】C07C19-03, C07C17-10, B01J3-04
【公开号】CN104624121
【申请号】CN201510080370
【发明人】陈建宇
【申请人】东至绿洲环保化工有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年2月12日