1.一种微纳米阵列结构，其特征在于，所述结构包括碳化硅基底、在所述碳化硅基底上的微米柱体以及在所述碳化硅基底和所述微米柱体上表面的纳米结构。
2.根据权利要求1所述的微纳米阵列结构，其特征在于，所述碳化硅基底为存在表面极化激元的碳化硅；
优选地，所述的微米柱体为圆柱、四方柱或多边形柱状结构中的任意一种；
优选地，所述纳米结构为纳米颗粒、纳米针尖或纳米锥中的任意一种；
优选地，所述纳米结构与基底为同种材料。
3.根据权利要求1或2所述的微纳米阵列结构，其特征在于，所述微米柱体为周期阵列，周期为2-20μm，优选为5-15μm；
优选地，所述微米柱体的横截面积为3-30μm2；
优选地，所述微米柱体的高度为0-30μm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的微纳米阵列结构，其特征在于，所述纳米结构的底面横截面积为0.01-4μm2；
优选地，所述纳米结构的高度为1-10μm。
5.一种制备如权利要求1-4中任一项所述的微纳米阵列结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在碳化硅基底上旋涂紫外光刻胶，旋涂后烘烤，再使用紫外光刻机曝光后，在显影液中显影；
(2)用电子束蒸发镀膜仪镀铜后去胶，优选在丙酮中去胶；
(3)用反应离子刻蚀，将柱状阵列结构转移到碳化硅基底上；
(4)用电子束蒸发镀膜仪镀铜，再用反应离子刻蚀，得到碳化硅微纳米阵 列结构。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述的碳化硅基底的厚度为100-400μm，优选为200-350μm；
优选地，步骤(1)所述的紫外光刻胶厚度为0.2-5μm，优选为2μm；
优选地，步骤(1)所述烘烤的时间为1-8min；
优选地，步骤(1)所述的曝光时间为20-50s，优选为30-45s；
优选地，步骤(1)所述的显影时间为20-50s，优选为30-45s。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述的镀铜厚度为330-480nm。
8.根据权利要求5-7中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(4)所述的镀铜厚度为220-400nm；
优选地，步骤(4)所述的刻蚀时间为20-50min，优选为30-45min。
9.一种如权利要求1-4中任一项所述的微纳米阵列结构的应用，其特征在于，采用红外入射光照射碳化硅微纳米阵列结构表面，实现红外宽光谱的吸收。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述红外入射光覆盖碳化硅基底存在光学声子的波段；
优选地，所述红外入射光的照射角度为0-90°。