微观装置的制造及其处理技术
  • 本发明公开了,制备步骤为(1)把CaCO3矿物粉体煅烧得到白色粉体,将白色粉体溶于水中并加入CO2,加热并恒温搅拌,形成A浆液;(2)量取钛酸丁脂溶于无水乙醇中,搅拌形成B溶胶溶液;(3)将A浆液放于超声波大功率工业级破碎分散乳化设备上进行超声分散,同时将B溶胶溶液倒入A浆液中并保持在温度内进行搅...
  • 本发明首先将亚铁无机盐、含磷酸根的无机盐和有机碳源按铁、磷、碳按一定的比例溶解在少量去离子水中,并同时在50-80℃下超声反应或搅拌后得到有效成分含量在80-90%的浆料,然后将浆料至于700℃的惰性气体气氛的管式炉中焙烧12小时,自然冷却得到纳米焦磷酸亚铁材料,再将得到的纳米焦磷酸亚铁材料与含锂...
  • 该发明设计了用于纳米结构材料宏量和可控制备装置。该装置包括两部分,第一部分为提供动力的装置,第二部分为带有注射针的导管。操作时只需要将合成原材料配制成溶液,利用该装置,调节液滴的注射速度,能可控制备出不同形貌的纳米结构材料,该设置简单、使用、易维护、节能和环保,具有推广和应用价值。专利说明纳米结构...
  • 本发明公开了。首先将六水合氯化镍溶解于有机溶剂中,然后将溶液转移到溶剂热装置进行溶剂热反应,再将所得物质进行离心,干燥,即得到碱式氯化镍花状微球。本发明方法制得的碱式氯化镍花状微球是由碱式氯化镍纳米片组成,这些纳米片是由纳米颗粒组成,纳米片中包含大量的孔道结构。本发明合成过程无需模版,无需后续处理...
  • ,属于碳相关纳米材料制备。其特征是以直流电弧氢等离子体作为热源,石墨为碳原料、镍为催化剂、硅作为形核物质合成金刚石纳米粒子的方法。高温氢等离子体用于蒸发块体复合靶材,形成原料组分的原子、离子状态,在冷凝过程中形成碳化硅团簇晶核并诱导碳原子形成金刚石相,过饱和镍-碳固溶体析出的碳原子成为金刚石相的生...
  • 本发明涉及,在水溶液中,通过种子生长法得到以金纳米颗粒为内核,氧化锌纳米棒呈发散状生长在金核周围的蒲公英状的高级结构Au@ZnO异质结材料。与现有技术相比,本发明通过异质结构种子诱导首次在温和的水溶液体系中得到了Au纳米颗粒在里面ZnO在外面的高级核壳Au@ZnO异质结催化剂,这种结构使该材料具有...
  • 本发明涉及,是将市售得到的鸡卵清蛋白用去离子水溶解配制成浓度为0.5-10mg/mL溶液,然后将其与氯金酸水溶液混合,得到一定摩尔比的鸡卵清蛋白与氯金酸混合溶液,然后调节混合溶液的pH至11.5-13,采用微波反应15s-120s,自然冷却至室温得到发红光的金纳米簇。该方法制备的金纳米簇可用应于生...
  • 本发明涉及。本发明提供一种分级结构,其中具有纳米尺度范围的特征长度的至少一个第四块体与第一结构的外部接合,在所述第一结构中,至少两个第三块体相互接合。根据本发明,在纳米尺度上产生的优异性质可被用于宏观尺度的结构中。此外,不同尺度的结构可相互连接,而无论其尺度差异。专利说明[0001]本申请是申请日...
  • 本发明提供的,其包括以下步骤掩膜制作步骤,在基片的层间介质表面上形成具有预定图形的掩膜;加热预处理步骤,加热基片,以使掩膜的沟槽侧壁倾斜;基片刻蚀步骤,向反应腔室内通入刻蚀气体,并开启激励电源和偏压电源,以在层间介质上刻蚀沟槽,从而将掩膜的图形复制到层间介质上。本发明提供的,其可以在获得理想的沟槽...
  • 本发明公开了一种纤维素基透明导电薄膜,所述导电薄膜中具有纳米纤维与银纳米线双重网络结构。本发明利用天然纤维素制备纳米纤维分散液、液相多元醇方法制备银纳米线,然后采用真空抽滤技术在滤膜表面分别沉积纤维素纳米纤维与银纳米线,从而制得纤维素纳米纤维与银纳米线(CNFs/AgNWs)复合薄膜。该薄膜为柔性...
  • 本发明公开了一种网状多孔富锂锰基锂离子电池正极材料的制备方法,包括将锂盐、镍盐、锰盐和钴盐按一定比例溶于去离子水中,形成透明的溶液。再根据加入的金属盐加入适量的蔗糖作为络合剂配成透明的溶液。将溶液加热蒸发除去水份得到溶胶最后至凝胶。将该凝胶在400~600℃煅烧1~6h,再在700~950℃煅烧1...
  • 本发明提供了一种用于测量微机电结构偏转角的双向指针结构。微机电双向偏转指针由四个部分组成一维双向移动测量游标尺;偏转指针;双向移动电热执行器;连接一维双向移动测量游标尺和双向移动电热执行器的水平直梁,以及连接偏转指针与双向移动电热执行器的水平直梁。该双向指针结构可以测量顺时针偏转角和逆时针偏转角,...
  • 本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置,包括加热室,具有一加热腔,所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔;位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜,所述的基板开设有第一通孔,所述的催化剂薄膜包括连通于所述第一通孔的第二通孔;加热装置,对所述的加热腔进行加热。由于多孔基板的多孔和位...
  • 本发明公开了,该正极材料由单质硫和三维分级多孔炭复合而成;制备方法是先通过溶剂热法制备三维分级多孔炭的前驱体复合物,碳化后得到三维分级多孔炭,再和硫复合,即得到锂硫电池正极材料,该制备方法简单、成本低,制备的锂硫电池正极材料具有高容纳硫的能力、较高离子传输能力和导电性能,能提高锂硫电池的高倍率性能...
  • 本发明提供电子装置,能够实现小型化。电子装置(100)包含层叠体(2),其由设置有半导体元件的多个半导体芯片(10、20、30)层叠而成;贯通电极(4、6、8),其贯通半导体芯片(10、20、30),将多个半导体芯片(10、20、30)的半导体元件之间电连接;以及设置有MEMS元件的MEMS芯片(...
  • 本发明公开了一种低应力MEMS传感器芯片的基板结构及制造方法,所述芯片通过粘结材料连接于基板上,所述基板包括阻焊层、BT树脂层、铜导电层和焊垫,所述BT树脂层上下两层均设置有铜导电层,所述BT树脂层与铜导电层通过层压连接,所述铜导电层外层均设置有阻焊层,所述下层阻焊层的底部设置有焊垫;本发明通过降...
  • 本发明涉及,属于光伏和半导体器件制造。首先将清洗好的带有纳米线的p型硅片放入稀释的氢氟酸溶液中去除表面的氧化层;然后,将样品放入热丝化学气相沉积腔体内,在设定温度下,预烘烤衬底,点亮热丝后,通入氢气稀释的磷烷气体,对样品进行低温浅结掺杂,在纳米线上形成径向p-n结;最后,沉积透明导电薄层,制备上下...
  • 本发明涉及金属性单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域,具体为一种氮在碳网格上的少量掺杂生长高质量、金属性单壁碳纳米管的方法。以有机气态烃为碳源气体,以氢气为载气,以二茂铁为催化剂前驱体,以硫粉为生长促进剂,以三聚氰胺或者尿素等含氮有机物为氮源;在一定温度下同时进行单壁碳纳米管的生长和氮元素的掺杂...
  • 本发明公开了一种基于SOI片衬底硅阳极键合的电容式温度、湿度、气压和加速度传感器集成制造方法,该方法利用分步深硅刻蚀技术和SOI片衬底硅与玻璃阳极键合技术相结合,同时制备了薄膜结构、高深宽比电容结构和密封腔体结构,通过深硅刻蚀、RIE刻蚀、干法刻蚀等腐蚀技术以及离子注入等手段得到电容式温度、湿度、...
  • 1)按照摩尔比LuYbErGd=6518215,称取Lu2O3、Yb2O3、Er2O3和Gd2O3于盐酸中,蒸干,自然冷却至室温,加入甲醇将得到的产物溶解,得到RECl3溶液;2)将油酸、十八烯和RECl3在氮气保护下加热并保持在150-160℃,之后自然冷却至室温;3)将4mmol?NH4F和2...
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