式的结构，与实施方式I的结构大致相同，因此，对于同一要素标注同一标号，不对其进行重复说明。
[0134]例如在上述的各例中，为了抑制局部放电的发生，而将半导体芯片10的背面电极从卡盘台11引出。但是，在图19中，通过设置实施方式2所示的绝缘性基体21、屏蔽部22、流体吹出单元26以及定压阀33，从而可靠地抑制局部放电的发生，因此，能够从表面侧进行背面电极的引出。通过包括背面电极在内将全部电极从表面侧引出，从而能够使与各电极连接的配线的长度恒定，使电感以及电阻恒定，能够进行可靠性更高的测定。
[0135]此外，在本实施方式中，只要抑制局部放电的效果好，则例如框部13以及屏蔽部22也可以由导电性材料形成。
[0136](实施方式4)
[0137]首先，作为本实施方式的半导体评价装置的结构，使用图20，对测定装置的结构进行说明。
[0138]参照图20，本实施方式的测定装置200具有例如与实施方式I的测定装置100基本上相同的结构。但是，本实施方式的绝缘性基体21具有例如比实施方式I的绝缘性基体21大，并可与多个收容部17相对的大小。虽然未图示，但例如在俯视观察时，具有与半导体试验夹具12大致相同的大小，具有可与在半导体试验夹具12上形成的全部(例如图2中的16个)收容部17相对的大小。
[0139]在本实施方式的探针基体2的绝缘性基体21上，针对在测定时与各个收容部17 (半导体芯片10)相对的区域，形成有与实施方式I的探针基体2的接触式探针23的组合基本上相同的配置以及个数的接触式探针23，且形成有用于能够与各个框部13接近的屏蔽部22。绝缘性基体21与实施方式I相同地，能够配置为，在半导体试验夹具12(收容部17)的正上方与半导体试验夹具12的主表面相对。屏蔽部22形成为，与绝缘性基体21所延伸的水平方向上的一个以及另一个端部(包含该端部在内的绝缘性基体21的俯视观察时的外周附近)连接，且能够与各个框部13相对。即，在本实施方式的探针基体2的绝缘性基体21上，以与多个收容部17分别相对的方式形成有多组接触式探针23。S卩，在这里，以与分别载置于多个收容部17中的半导体芯片10同时连接的方式，分别设置有I组接触式探针23。
[0140]参照图21以及图22，通过在测定半导体芯片10时使对多个收容部17分别包围的框部13和屏蔽部22接近(例如利用密封部件31实现接触)，从而针对每个收容部17，在收容部17和与其相对的探针基体2之间形成空间32。即，具有下述结构，即通过使多个收容部17分别被框部13、绝缘性基体21以及屏蔽部22包围，从而能够针对每个收容部17分别形成空间32。由此，能够对在各收容部17中分别载置有I个的多个半导体芯片10各自的半导体元件同时进行测定。
[0141]再次参照图21，在本实施方式中，在半导体试验夹具12的各个收容部17中形成有至少I个排气孔30。该排气孔30形成为，从收容部17的载置半导体芯片10的表面向图21的上下方向贯穿基座120，并到达基座120的最下侧的面(与载置半导体试验夹具12的卡盘台11的上表面接触的面)。但是，优选排气孔30形成在收容部17的边缘附近，以使得在收容部17中载置有半导体芯片10时不会被半导体芯片10覆盖。如果这样，则能够抑制因排气孔30被半导体芯片10堵塞而引起的排气孔30的排气效果的降低。
[0142]在卡盘台11的上表面，以在俯视观察时与固定在卡盘台11上的半导体试验夹具12的收容部17的排气孔30分别重合的方式(以与排气孔30分别连通的方式)形成有流路36。该流路36与排气孔30相同地，用于将空间32内的流体向外部放出。从多个收容部17分别延伸的与排气孔30相连的流路36，通过在卡盘台的下方以成为干线状流路的方式彼此连结，从而在流路36的(放出流体时的)下游侧，形成为单一的流路36。另外，在流路36的(放出流体时的)最下游部，与实施方式2的排气孔30相同地，安装有定压阀33以及开闭单元34。
[0143]在本实施方式中，使用流体吹出单元26将流体向空间32内供给时的排气，是利用在半导体试验夹具12的收容部17中形成的排气孔30以及在卡盘台11上形成的流路36而进行的。利用排气孔30以及流路36将空间32内的流体排出、且利用定压阀33以及开闭单元34调整空间32内的压力的机构与实施方式2相同。因此，在本实施方式中，与实施方式2相同地，通过对空间32内压力的调整而起到抑制局部放电的发生的效果。
[0144]再次参照图22，在这里，具有基本上与图21相同的结构，但与实施方式3相同地，具有在框部13上形成开口部35，经由该开口部35将背面电极向表面侧引出的结构。
[0145]此外，除此之外的本实施方式的结构，与实施方式I的结构大致相同，因此，对于同一要素标注同一标号，不对其进行重复说明。
[0146]在本实施方式中，能够同时测定在多个收容部17中分别载置的半导体芯片10的元件，因此，与实施方式I相比能够以更短时间进行测定作业。因此，与实施方式I相比能够进一步提高测定作业的效率。
[0147]此外，为了同时评价多个半导体芯片10，测定装置200具有单一的探针基体2，该单一的探针基体2具有能够与多个半导体芯片10相对的大小。但是，并不限于此，例如通过使用具有多台与实施方式I相同的(具有可仅与I个半导体芯片10相对的大小的)探针基体2的测定装置，也能够与本实施方式相同地集中地对多个半导体芯片10进行评价。
[0148]上述各实施方式以及在各实施方式中记载的各例，能够适当组合。
[0149]针对本发明的实施方式进行了说明，但应当认为本次公开的实施方式的所有方式都是例示且并不是限制性的。本发明的范围由权利要求书表示，包含与权利要求书等同的含义以及范围内的全部变更。
【主权项】
1.一种半导体评价装置，其使用接触式探针，对分别在多个半导体装置上形成的元件的电气特性进行测定， 该半导体评价装置具有: 评价用夹具，其设置为可载置多个所述半导体装置；以及 探针基体，其设置为与所述评价用夹具相对，包含所述接触式探针、能够对经由所述接触式探针流向所述元件的电流引起的电场进行屏蔽的屏蔽部、以及对所述接触式探针进行保持的绝缘性基体， 所述评价用夹具包含利用框部划分的多个收容部，所述多个收容部能够分别载置多个所述半导体装置， 该半导体评价装置构成为，通过使所述框部和所述探针基体接近，从而在多个所述收容部和所述探针基体之间形成分别载置多个所述半导体装置的空间，在该状态下，能够使所述接触式探针与所述元件接触。
2.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中， 所述探针基体仅与多个所述收容部中的I个相对，能够在与所述收容部中的I个之间形成有所述空间的状态下，对所述元件进行测定， 半导体评价装置还具有移动部件，该移动部件能够使所述探针基体在与所述评价用夹具相对的区域内，相对于所述评价用夹具而相对地移动，以使所述探针基体能够配置在与多个所述收容部中的I个即第I收容部相对的位置处、以及与所述多个所述收容部中的不同于所述第I收容部的第2收容部相对的位置处。
3.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中， 所述探针基体以与多个所述收容部分别相对的方式形成有多组所述接触式探针。
4.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中， 在所述探针基体中，所述屏蔽部和所述绝缘性基体彼此独立。
5.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中， 在所述探针基体中，所述屏蔽部和所述绝缘性基体成为一体。
6.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中， 所述探针基体的形状包含沿所述收容部的主表面延伸的水平成分、以及在与所述收容部的主表面垂直的方向上延伸的第I垂直成分， 所述框部的形状包含在与所述收容部的主表面垂直的方向上延伸的第2垂直成分， 通过使所述探针基体的所述第I垂直成分和所述框部的所述第2垂直成分接近，从而在所述收容部和所述探针基体之间形成所述空间。
7.根据权利要求6所述的半导体评价装置，其中， 通过使所述探针基体的所述第I垂直成分和所述框部的所述第2垂直成分接触，从而形成所述空间， 通过在所述探针基体的所述第I垂直成分和所述框部的所述第2垂直成分之间夹持密封部件，从而形成所述空间。
8.根据权利要求6所述的半导体评价装置，其中， 在所述探针基体的所述水平成分上，安装有能够向所述空间供给流体的流体吹出单元，和/或在所述探针基体的所述第I垂直成分上，安装有能够向所述空间供给流体的流体吹出单元。
9.根据权利要求8所述的半导体评价装置，其中， 所述流体吹出单元包含有对从所述流体吹出单元放出的流体的温度进行调整的温度调节单元。
10.根据权利要求9所述的半导体评价装置，其中， 所述温度调节单元对从所述流体吹出单元放出的流体的温度进行调节，以使得从所述流体吹出单元放出的流体的温度和所述半导体装置的温度之差小于或等于3度。
11.根据权利要求3所述的半导体评价装置，其中， 还具有载置所述评价用夹具的卡盘台， 在所述评价用夹具的多个所述收容部中分别形成有至少I个排气孔， 在所述卡盘台中，形成有与所述排气孔分别连通的流路。
【专利摘要】半导体评价装置(100)具有评价用夹具(12)以及探针基体(2)。评价用夹具(12)设置为能够载置多个半导体装置(10)。探针基体(2)设置为与评价用夹具(12)相对，包含接触式探针(23)、能够屏蔽电场的屏蔽部(22)、以及保持接触式探针(23)的绝缘性基体(21)。评价用夹具(12)包含有利用框部(13)划分为能够分别载置多个所述半导体装置(10)的多个收容部(17)。构成为，通过使框部(13)和探针基体(2)接近，从而在多个收容部(17)和探针基体(2)之间形成有分别载置多个半导体装置(10)的空间的状态下，能够使接触式探针(23)与多个元件接触。
【IPC分类】G01R1-06, G01R31-26
【公开号】CN104597384
【申请号】CN201410475450
【发明人】冈田章, 野口贵也, 竹迫宪浩, 山下钦也, 秋山肇
【申请人】三菱电机株式会社
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年9月17日
【公告号】US20150115989