1.一种集成芯片的制作方法，其特征在于，包括：
将目标器件分解成N个第一小器件，每个第一小器件与两个MOS管串联或并联，N为大于1的整数；
将目标器件与M个第二小器件串联或并联，每个第二小器件与两个MOS管串联或并联，M为大于1的整数；所述两个MOS管的通断用于控制是否接入对应小器件；
将译码器的输出端与所述两个MOS管中的第一栅极相连，所述两个MOS管中的第二栅极与控制端口相连，所述译码器的输出端的输出信号用于控制所述两个MOS管的通断；
通过对所述译码器的输入端口施加不同的电平控制所述译码器的输出端输出不同的电平信号，控制各所述第一小器件或各所述第二小器件的接入来调节所述目标器件的大小，并确定所述目标器件的最终大小；
芯片封装时，根据所述最终大小对应的所述译码器的输入端口和所述控制端口的电平高低对所述译码器的输入端口和所述控制端口进行固定电位。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一小器件或所述第二小器件包含：MOS管、电阻、电容或电感。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一小器件对应的控制端口的电平设置为高电平，当所述第一小器件对应的所述两个MOS管的第一栅极输入高电平时所述第一小器件短路，当所述第一小器件对应的所述两个MOS管的第二栅极输入低电平时所述第一小器件被接入。
4.如权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述第二小器件对应的控制端口的电平设置为高电平，当所述第二小器件对应的所述两个MOS管的第一栅极输入高电平时所述第二小器件短路，当所述第二小器件对应的所述两个MOS管的第二栅极输入低电平时所述第二小器件被接入。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述N个第一小器件中两个第一小器件的大小相等或不相等。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述M个第二小器件中两个第二小器件的大小相等或不相等。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述目标器件为电容C时，所述将目标器件分解成N个第一小器件，每个第一小器件与两个MOS管串联或并联，包括：
将所述目标器件分解成N个第一小器件：C1～Cn，C＝C1+C2+C3+…+Cn，所述N个第一小器件相互并联；
每个第一小器件与对应的两个MOS管并联，其中，第一小器件对应的两个MOS管相互串联、第一栅极与高电平的控制端口相连、第二栅极与所述译码器的输出端相连，通过控制译码器的输出端的电平能够减小所述目标器件。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将目标器件与M个第二小器件串联或并联，每个第二小器件与两个MOS管串联或并联，包括：
将所述目标器件与M个第二小器件并联，所述M个第二小器件为C1～Cm；
每个第二小器件与对应的两个MOS管并联，其中，第二小器件对应的两个MOS管相互串联、第一栅极与高电平的控制端口相连、第二栅极与所述译码器的输出端相连，通过控制译码器的输出端的电平能够增大所述目标器件。