半导体器件的制作方法

文档序号:15327644发布日期:2018-09-04 19:16阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体器件,包括:

位线感测放大器,所述位线感测放大器被配置成将存储器单元的数据放大;

列开关,所述列开关被配置成响应于列选择信号而将放大的数据传送到第一数据I/O线;以及

感测放大器单元,所述感测放大器单元被配置成响应于使能信号通过将传送的数据放大而产生输出信号,并将所述输出信号输出到第二数据I/O线,

其中,所述感测放大器单元包括:使能信号发生单元,所述使能信号发生单元被配置成感测所述传送的数据的电压电平变化,并且根据感测的结果从感测控制信号产生使能信号;吸收单元,所述吸收单元被配置成响应于所述使能信号而供应感测电压;感测单元,所述感测单元被配置成响应于所述感测电压而通过放大所述传送的数据来产生所述输出信号;以及切断单元,所述切断单元被配置成当感测控制信号被使能时防止感测电压被供应到感测单元。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中:

所述列选择信号和所述感测控制信号从同一命令信号产生,以及

所述列选择信号被使能的时间点与所述感测控制信号被使能的时间点大体相同。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述感测放大器单元在所述传送的数据的电压电平从第一电平变换成第二电平时被使能。

4.如权利要求3所述的半导体器件,其中,所述第一数据I/O线被预充电到所述第一电平。

5.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述感测放大器单元被配置成仅当所述列选择信号和所述感测控制信号两者被使能时被使能。

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