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半导体器件的制作方法
文档序号:15327644
发布日期:2018-09-04 19:16
阅读:
来源:国知局
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半导体器件的制作方法
技术总结
本发明公开了一种感测放大器电路,所述感测放大器电路包括:使能信号发生单元,所述使能信号发生单元被配置成当感测到输入信号的电压电平变化时产生使能信号;吸收单元,所述吸收单元被配置成响应于使能信号而提供感测电压;以及感测单元,所述感测单元被配置成响应于感测电压和输入信号而产生输出信号。
技术研发人员:
金亨洙
受保护的技术使用者:
爱思开海力士有限公司
技术研发日:
2012.12.19
技术公布日:
2018.09.04
完整全部详细技术资料下载
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