1.一种半导体集成电路设备，包括：
漏电流感测单元，被配置成感测单元阵列的纯漏电流；以及
确定电路单元，被配置成在处于读取模式时将输入节点的电压电平与参考电压进行比较并且确定读取数据的状态，
其中通过将输出电流与读取电流进行比较来确定所述输入节点的电压电平，
其中通过对所述纯漏电流和参考电流进行求和来确定所述输出电流。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备，其中所述确定电路单元被配置成响应于使能信号而将所述输入节点的电压电平与所述参考电压进行比较并且输出设定/复位信号。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备，其中所述漏电流感测单元包括漏电流生成单元，所述漏电流生成单元包括耦接到电源电压端子的电容器环路。
4.根据权利要求3所述的半导体集成电路设备，其中所述漏电流生成单元包括：
电容器，耦接到所述电源电压端子；
晶体管，耦接到所述电源电压端子并且由所述电容器环路的充电电压驱动；以及
开关，耦接在所述晶体管的栅极和漏极之间并且被配置成在测量漏电流时接通。
5.根据权利要求1所述的半导体集成电路设备，其中，当所述单元阵列包括具有多条字线、与所述多条字线交叉的多条位线以及位于所述字线和所述位线的交点处的可变电阻器的交叉阵列结构时，
所述漏电流感测单元包括：
漏电流生成单元，其被配置成施加小于或等于所述单元阵列的阈值电压的输入电压并且引起漏电流；以及
漏电流补偿单元，其被配置成：将处于所述读取模式时的电压与所述输入电压的分量之比反映到在所述漏电流生成单元中生成的漏电流，并且生成所述纯漏电流。
6.一种操作半导体集成电路设备的方法，所述方法包括：
测量单元阵列的漏电流；
施加所述单元阵列的读取电压并且将参考电流与通过所述单元阵列的读取电流反映的漏电流进行比较；以及
将比较结果与参考电压进行比较并且确定所述单元阵列的设定状态或复位状态。
7.一种半导体集成电路设备，包括：
单元阵列，包括多条字线、与所述多条字线交叉的多条位线以及位于所述字线和所述位线的交点处的可变电阻器；
模式设定单元，被配置成通过将第一电压施加到所述单元阵列来设定漏电流感测模式，并且通过将第二电压施加到所述单元阵列来设定读取模式；
参考电流生成单元，被配置成在处于所述读取模式时向输出节点提供参考电流；
漏电流生成单元，包括电容器环路，并且被配置成在处于所述漏电流感测模式时根据所述电容器环路中储存的电荷量来生成漏电流并且将所述漏电流传输到所述输出节点；
漏电流补偿单元，被配置成在处于所述读取模式时将所述读取模式下的电压与所述第一电压的分量之比反映到被施加到所述输出节点的漏电流；以及
确定电路单元，被配置成将对应于所述单元阵列的电流和所述输出节点的电流之间的比较结果的电压与参考电压进行比较，并且确定所述单元阵列的设定状态或复位状态。
8.一种半导体集成电路设备，包括：
单元阵列，包括多条字线、与所述多条字线交叉的多条位线、位于所述字线和所述位线的交点处的存取器件、以及电阻值根据所述存取器件的操作而选择性地变化的数据储存单元；
漏电流生成单元，包括电容器环路，并且被配置成根据所述电容器环路中储存的电荷量来生成漏电流并且在漏电流感测模式下将所述漏电流传输到输出节点；
确定电路单元，被配置成将对应于所述单元阵列的电流和所述输出节点的电流之间的比较结果的电压与参考电压进行比较，并且被配置成在读取模式下确定所述单元阵列的设定状态或复位状态。
9.一种半导体集成电路设备，包括：
单元阵列；
漏电流生成单元，包括电容器环路，并且被配置成在漏电流感测模式下根据所述电容器环路中储存的电荷量来生成漏电流并且将所述漏电流传输到输出节点；
转换单元，被配置成：接收所述漏电流、对所述漏电流执行数字编码、以及储存被数字编码的漏电流，并且在处于读取模式时将所储存的漏电流提供给所述输出节点；以及
确定电路单元，被配置成：在处于所述读取模式时，将对应于从所述单元阵列提供的读取电流和所述输出节点的电流之间的比较结果的电压与参考电压进行比较，并且确 定读取数据的状态。
10.一种电子装置，包括：
处理器，耦接到总线；以及
存储器，耦接到总线并且被配置成储存用于所述处理器的操作的数据以及通过所述总线存取的数据，
其中所述存储器包括半导体集成电路设备，其包括：
漏电流感测单元，被配置成感测单元阵列的纯漏电流；以及
确定电路单元，被配置成在处于读取模式时将输入节点的电压电平与参考电压进行比较并且确定读取数据的状态，
其中通过将输出电流与读取电流进行比较来确定所述输入节点的电压电平，
其中通过对所述纯漏电流和参考电流进行求和来确定所述输出电流。