一种刷新控制电路及半导体存储器的制作方法

技术特征：

1.一种刷新控制电路，应用于对半导体存储器的刷新，所述半导体存储器具有至少一个存储块，其特征在于，所述刷新控制电路包括至少一个控制单元，所述控制单元与所述存储块连接，所述控制单元包括：

状态存储电路，所述状态存储电路包括RS触发器，所述RS触发器的R端用于输入上电复位信号，所述RS触发器的S端用于输入对所述存储块中的任意行的访问信号；所述RS触发器的输出端用于根据获得的对所述存储块中的任意所述行的访问信号以及所述上电复位信号，输出允许刷新信号；

逻辑电路，所述逻辑电路的第一输入端与所述状态存储电路的输出端连接，所述逻辑电路的第二输入端用于输入刷新操作信号，所述逻辑电路的输出端与所述存储块连接，所述逻辑电路的输出端用于根据所述允许刷新信号与所述刷新操作信号，输出允许刷新操作信号。

2.如权利要求1所述的刷新控制电路，其特征在于，所述控制单元与所述存储块一一对应连接。

3.如权利要求1所述的刷新控制电路，其特征在于，所述逻辑电路包括与非门逻辑门。

4.一种半导体存储器，其特征在于，包括权利要求1所述的刷新控制电路。