存储库20A?20D中索引值相同的特殊分区的字线不被选取。
[0029]于本发明实施例中，所述η值可以为2，存储库的数量可以为4。在四个周期内，存储库20Α?20D中的每一者的索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线依序会被选取。因此，在每一个周期内仅有五条字线会被选取，其中的两条字线分别属于其中一个存储库(例如存储库20A)中索引值相同的两个特殊分区SEC[0]，另外的三条字线则分别属于其它三个存储库(例如存储库20B?20D)中的其它分区SEC[1]?SEC[2n_l]的其中之一。值得注意的是，在其它三个存储库(例如存储库20B?20D)内可以是索引值不同或相同的分区的多个字线被选取。总而言之，本发明并不限制其它三个存储库的所被选取的多个字线所位于的分区的索引值须相同。
[0030]此外，本发明并未限制存储库的数量或是每一存储库内分区的数量。因此，以一般情况来说，开放式位线架构的半导体存储装置具有M个存储库，每一存储库内具有两个索引值相同的特殊分区及其它L个索引值不同的分区。在一个周期内，可能是分别在M个存储库中的M条字线会被选取，其中M条字线的每一条在对应存储库中的L个分区的其中之一，又或者是，在其中一个存储库中索引值相同的两个特殊分区的两条字线与分别在其它(M-1)个存储库中的(M-1)条字线会被选取，其中(M-1)条字线的每一条在对应存储库中的L个分区的其中之一。换言之，于其中一个周期内，M或(M+1)条字线会被选取，且M或(M+1)条字线的多个存储器单元会被更新。
[0031]由上可以得知，由于每一周期内最多只会有(M+1)条字线被选取，所以将可以降低开放式位线架构的半导体存储装置内电荷泵浦所需产生的更新电压，且也可以减小开放式位线架构的半导体存储装置的芯片面积大小。
[0032]根据以上所述，以下将提出开放式位线架构的半导体存储装置的自动更新存储器单元的方法流程，并进一步地对所述自动更新存储器单元的方法进行说明。请参照图3，图3是本发明实施例提供的用于开放式位线架构的半导体存储装置的自动更新存储器单元方法的流程图。开放式位线架构的半导体存储装置具有M个存储库，每一存储库内具有两个索引值相同的特殊分区及其它L个索引值不同的分区。
[0033]在步骤S31，半导体存储装置内的一存储器管理控制器初始化一分区更新序列(sector refreshing sequence)。接着步骤S32,存储器管理控制器根据一个周期内的分区更新序列，在所述多个存储库内选取M或(M+1)条字线，然后被选取的字线的多个存储器单元会被进行更新，其中分区更新序列可用来表示存储器管理控制器在一个周期内是要选取在其中一个存储库中索引值相同的两个特殊分区的两条字线与分别在其它(M-1)个存储库中的(M-1)条字线，其中(M-1)条字线的每一条在对应存储库中的L个分区的其中之一，又或者是在一个周期内要选取分别在M个存储库内的M条字线，其中M条字线的每一条在对应存储库中的L个分区的其中之一。
[0034]接着，步骤S33，半导体存储装置的存储器管理控制器判断存储库内的字线的存储器单元是否仍有需要被更新。如果仍有存储器单元需要进行更新，则执行步骤S34，如果没有存储器单元需要进行更新，则终止用于开放式位线架构的半导体存储装置的自动更新存储器单元方法。在步骤S34，半导体存储装置的存储器管理控制器更新分区更新序列，并在执行步骤S34后，再次执行步骤S32。
[0035]接着，假设半导体存储装置具有四个存储库，且每一存储库内具有两个索引值相同的特殊分区及其它三个索引值不同的分区，则在不同分区更新序列的情况下的不同实施例描述如下。
[0036]请参照图4A，图4A是本发明实施例的不同周期下的分区更新序列表。在第一周期cycleO内，分区更新序列sequence[cycleO]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_A内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_B?BANK_D中的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库中BANK_B的分区SEC[I]、存储库中BANK_C的分区SEC[2]与存储库中BANK_D的分区SEC[3]。
[0037]在第二周期cyclel内，分区更新序列sequence[cyclel]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_B内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_A、BANK_C、BANK_D中的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库中BANK_A的分区SEC[3]、存储库中BANK_C的分区SEC[I]与存储库中BANK_D的分区SEC[2]。
[0038]在第三周期cycle2内，分区更新序列sequence[cycle2]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_C内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_A、BANK_B> BANK_D中的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库中BANK_A的分区SEC[2]、存储库中BANK_B的分区SEC[3]与存储库中BANK_D的分区SEC[I]。
[0039]在第四周期cycle3内，分区更新序列sequence[cycle3]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_D内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_A?BANK_C*的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库中BANK_A的分区SEC[I]、存储库中BANK_B的分区SEC[2]与存储库中BANK_C的分区SEC[3]。
[0040]请参照图4B，图4B是本发明另一实施例的不同周期下的分区更新序列表。在第一周期cycleO内，分区更新序列sequence [cycleO]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_A内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_B?BANK_D中的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库BANK_B?BANK_D中的分区SEC[3]。
[0041]在第二周期cyclel内，分区更新序列sequence [cyclel]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_B内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_A、BANK_C、BANK_D中的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库BANK_A、BANK_C、BANK_D中的分区SEC [2]。
[0042]在第三周期cycle2内，分区更新序列sequence[cycle2]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_C内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_A、BANK_B> BANK_D中的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库BANK_A、BANK_B> BANK_D中的分区SEC[1]。
[0043]在第四周期cycle3内，分区更新序列sequence[cycle3]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_D内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_A?BANK_C*的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库BANK_A中的分区SEC[3]、存储库BANK_B中的分区SEC[2]与存储库BANK_C中的分区SEC[I]。
[0044]请参照图4C，图4C是本发明另一实施例的不同周期下的分区更新序列表。在第一周期cycleO内，分区更新序列sequence [cycleO]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_A