内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_B?BANK_D中的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库BANK_B中的分区SEC[3]、存储库BANK_C中的分区SEC[2]与存储库BANK_D中的分区SEC[2]。
[0045]在第二周期cyclel内，分区更新序列sequence [cyclel]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_B内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_A、BANK_C与BANK_D的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库BANK_A中的分区SEC[1]、存储库BANK_C中的分区SEC[I]与存储库BANK_D中的分区SEC[3]。
[0046]在第三周期cycle2内，分区更新序列sequence[cycle2]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_C内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_A、BANK_B与BANK_D中的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库BANK_A中的分区SEC[2]、存储库BANK_B中的分区SEC[2]与存储库BANK_D中的分区SEC[I]。
[0047]在第四周期cycle3内，分区更新序列sequence[cycle3]是用来指示半导体存储装置的存储器管理控制器选取在存储库BANK_D内索引值相同的两个特殊分区SEC[0]的两条字线，以及选取分别在存储库BANK_A?BANK_C*的三条字线，以更新被选取的字线的多个存储器单元，其中三条字线分别在存储库BANK_A中的分区SEC[3]、存储库BANK_B中的分区SEC[I]与存储库BANK_C中的分区SEC[3]。
[0048]根据以上实施例所述，可以得知，在一个周期内，在至少四个存储库的其中之一者的索引值相同的两个特殊分区的两条字线与在其它三个存储库内的三条字线会被被选取，然后，被选取的四条字线的多个存储器单元会被更新，其中所述三条字线的每一条在对应存储库的三个分区的其中之一。然而，如上所述，本发明并非局限于上述实施例。在其它实施例中，在一个周期内，仅有其中一个存储库的索引值相同的两个特殊分区的两条字线被选取，又或者是存储库中索引值相同的两个特殊分区的字线都不被选取。
[0049]〔半导体存储装置的实施例〕
[0050]本发明的一个实施例还提供一种开放式位线架构的半导体存储装置。半导体存储装置包括电荷泵浦、存储器管理控制器以及至少四个存储库。每一存储库内具有索引值相同的两个特殊分区及其它索引值不同的至少三个分区。
[0051]上述的方法可以执行在所述半导体存储装置。在每一个周期内，存储器管理控制器选取其中一个存储库中索引值相同的两个特殊分区的两条字线，以及选取分别在其它存储库中的其它多条字线，其中，其它多条字线的每一条在对应存储库中的分区的其中之一，然后，存储器管理控制器更新被选取的字线的多个存储器单元。又或者，存储器管理控制器选取分别在存储库中多条字线，其中多条字线的每一条在对应存储库中的多个分区的其中之一，然后，存储器管理控制器更新被选取的字线的多个存储器单元。
[0052]〔实施例的可能功效〕
[0053]综上所述，本发明实施例所提供的自动更新存储器单元方法适用于开放式位线架构的半导体存储装置。所述自动更新存储器单元方法可以有效降低半导体存储装置中所需的芯片面积及成本，并可有效地降低半导体存储装置内电荷泵浦所需产生的更新电压。
[0054]以上所述仅为本发明的实施例，其并非用以局限本发明的权利要求范围。
【主权项】
1.一种自动更新存储器单元的方法，用于一开放式位线架构的半导体存储装置，其中该半导体存储装置包括M个存储库，每一存储库具有一索引值相同的两个特殊分区及多个索引值不同的L个分区，且该方法包括: 于一周期内，选取该存储库中该索引值相同的该两个特殊分区的两条字线与分别位于其它该(M-1)个存储库中的(M-1)条字线，其中该(M-1)条字线的每一条位于该对应存储库的该L个分区的其中之一；以及 更新被选取的该些字线的多个存储器单元。
2.根据权利要求1所述的自动更新存储器单元的方法，其中M值为4，且L值为3。
3.根据权利要求1所述的自动更新存储器单元的方法，其中在每一个周期内，该存储库中该索引值相同的该两个特殊分区的该两条字线与分别位于其它该(M-1)个存储库的该(M-1)条字线被选取，其中该(M-1)条字线的每一条位于该对应存储库的该L个分区的其中之一。
4.根据权利要求1所述的自动更新存储器单元的方法，还包括: 在其它一周期内，选取该M个存储库中的M条字线，其中该M条字线的每一条位于该对应存储库的该L个分区的其中之一。
5.根据权利要求4所述的自动更新存储器单元的方法，其中根据一分区更新序列，选取该存储库中该索引值相同的该两个特殊分区的该两条字线与分别在其它该(M-1)个存储库中的该(M-1)条字线，其中该(M-1)条字线的每一条位于该对应存储库中的该L个分区的其中之一，又或者选取该M个存储库中的M条字线，其中该M条字线的每一条位于该对应存储库的该L个分区的其中之一。
6.根据权利要求1所述的自动更新存储器单元的方法，其中该半导体存储装置为一动态随机存取存储器。
7.一种开放式位线架构的半导体存储装置，包括: M个存储库，每一存储库具有一索引值相同的两个特殊分区及多个索引值不同的L个分区； 一存储器管理控制器，用以在一周期内，选取该存储库中该索引值相同的该两个特殊分区的两条字线与分别位于其它该(M-1)个存储库中的(M-1)条字线，其中该(M-1)条字线的每一条位于该对应存储库的该L个分区的其中之一；以及 一电荷泵浦，用以产生一更新电压，以更新被选取的该些字线的多个存储器单元。
8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中M值为4，且L值为3。
9.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中在每一周期内，该存储器管理控制器选取该存储库中该索引值相同的该两个特殊分区的该两条字线，以及选取分别在其它该(M-1)个存储库中的该(M-1)条字线，其中该(M-1)条字线的每一条位于该对应存储库中的该L个分区的其中之一。
10.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中在其它一周期内，该存储器管理控制器选取该M个存储库中的M条字线，其中该M条字线的每一条位于该对应存储库的该L个分区的其中之一。
11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中该存储器管理控制器根据一分区更新序列，选取该存储库中该索引值相同的该两个特殊分区的该两条字线与分别在其它该(M-1)个存储库中的该(M-1)条字线，其中该(M-1)条字线的每一条位于该对应存储库中的该L个分区的其中之一，又或者选取该M个存储库中的M条字线，其中该M条字线的每一条位于该对应存储库的该L个分区的其中之一。
12.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中该半导体存储装置为一动态随机存取存储器。
【专利摘要】本发明提供一种自动更新存储器单元的方法，所述自动更新存储器单元的方法特别适用在一种开放式位线架构的半导体存储装置，其中半导体存储装置包括M个存储库，每一存储库内具有两个索引值相同的特殊分区及其它L个索引值不同的分区。在一个周期内，在其中一个存储库中索引值相同的两个特殊分区的两条字线与分别在其它(M-1)个存储库中的(M-1)条字线会被选取，其中(M-1)条字线的每一条在对应存储库中的L个分区的其中之一。然后，更新被选取的多个字线的所述多个存储器单元。
【IPC分类】G11C11-401
【公开号】CN104766624
【申请号】CN201410004688
【发明人】黄明前
【申请人】晶豪科技股份有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2014年1月6日