加。当系统软修复命令S_S0FT_REP被使能时，正常地址ADD (即系统软修复数据)可被储存在暂时区域521至524之中的基于存储体地址BA而选中的暂时区域中。换言之，使用存储体地址BA以在系统软修复命令S_S0FT_REP被使能时在暂时区域521至524之中选择一个暂时区域，并且正常地址ADD可被暂时储存在选中的暂时区域中。储存在暂时存储器电路520的暂时区域521至524中的系统软修复数据S_S0FT_ADD_BK0至S_S0FT_ADD_BK3可在启动信号Β00Τ_UP被使能时传送至选择器560。
[0072]非易失性存储器电路550可包括存储器区域551至554和系统区域555至558。存储器区域551至554 —对一地对应于存储体ΒΚ0至BK3，且系统区域555至558也可一对一地对应于存储体ΒΚ0至BK3。存储器区域551至554可以是用于储存存储体ΒΚ0至BK3的存储器硬修复数据M_HARD_ADD_BK0至M_HARD_ADD_BK3的区域。存储器硬修复数据M_HARD_ADD_BK0至M_HARD_ADD_BK3可在存储器件500制造时由制造商编程在存储器区域551 至 554 中。
[0073]非易失性存储器电路550的系统区域555至558可以是用于储存存储体ΒΚ0至BK3的系统硬修复数据S_HARD_ADD_BKO至S_HARD_ADD_BK3的区域。存储体地址BA和正常地址ADD可在系统硬修复命令S_HARD_REP从存储器控制器5施加至存储器件500时一起被施加。当系统软修复命令S_SOFT_REP被使能时，非易失性存储器电路550可将正常地址ADD(即系统硬修复数据S_HARD_ADD_BK0至S_HARD_ADD_BK3)编程在系统区域555至558之中的基于存储体地址BA而选中的系统区域中。换言之，当基于系统硬修复命令S_HARD_REP而对系统区域555至558编程时，使用存储体地址BA在系统区域555至558之中选择一个系统区域，并且可将正常地址ADD编程在选中的系统区域中。当启动信号BOOTJJP被使能时，储存在非易失性存储器电路550的存储器区域551至554中的存储器硬修复数据M_HARD_ADD_BK0至M_HARD_ADD_BK3可传送至存储器寄存器电路570_BK0至570_BK3，而储存在非易失性存储器电路550的系统区域555至558中的系统硬修复数据S_HARD_ADD_BK0至S_HARD_ADD_BK3可传送至选择器560。
[0074]在控制信号CONTROL被使能时，选择器560可选择从暂时存储器电路520的暂时区域521至524输出的系统软修复数据S_S0FT_ADD_BK0至S_S0FT_ADD_BK3，而在控制信号CONTROL被禁止时，选择器560可选择从非易失性存储器电路550的系统区域555至558输出的系统硬修复数据S_HARD_ADD_BK0至S_HARD_ADD_BK3。
[0075]存储器寄存器电路570_BK0至570_BK3可在启动操作期间接收和储存在非易失性存储器电路550的存储器区域551至554中储存的存储器硬修复数据M_HARD_ADD_BK0至M_HARD_ADD_BK3。第一存储器寄存器电路570_BK0可接收和储存在第一存储器区域551中储存的第一存储器硬修复数据M_HARD_ADD_BK0，而第二存储器寄存器电路570_BK1可接收和储存在第二存储器区域552中储存的第二存储器硬修复数据M_HARD_ADD_BK1。同样地，其他的存储器寄存器电路570_BK2和570_BK3可接收和储存在对应的存储器区域553和554中储存的存储器硬修复数据M_HARD_ADD_BK2和M_HARD_ADD_BK3。
[0076]系统寄存器电路580_BK0至580_BK3可在启动操作期间接收和储存由选择器560选中的修复数据。第一系统寄存器电路580_BK0可接收和储存在第一暂时区域521中储存的第一系统软修复数据S_S0FT_ADD_BK0或在第一系统区域555中储存的第一系统硬修复数据S_HARD_ADD_BK0，而第二系统寄存器电路580_BK1可接收和储存在第二暂时区域522中储存的第二系统软修复数据S_S0FT_ADD_BK1或在第二系统区域556中储存的第二系统硬修复数据S_HARD_ADD_BK1。同样地，其他的系统寄存器电路580_BK2和580_BK3可接收和储存系统软修复数据S_S0FT_ADD_BK2和S_S0FT_ADD_BK3或系统硬修复数据S_HARD_ADD_BK2 和 S_HARD_ADD_BK30
[0077]存储体ΒΚ0至BK3可基于储存在存储器寄存器电路570_BK0至570_BK3之中的与之对应的存储器寄存器电路中以及系统寄存器电路580_BK0至580_BK3之中的与之对应的系统寄存器电路中的修复数据，用冗余单元替换缺陷存储器单元。图5示出存储体ΒΚ0至BK3的数量为“4”的情况，因此暂时区域521至524的数量、存储器区域551至554的数量、系统区域555至558的数量、存储器寄存器电路570_BK0至570_BK3的数量、以及系统寄存器电路580_BK0至580_BK3的数量都为“4”。然而，对于本领域技术人员显然的是，存储体的数量可为等于或大于“1”的任意整数。
[0078]图5的存储器件500包括多个存储体ΒΚ0至BK3，但存储器件500可使用与图3的存储器件300相同的方法进行操作。因此，存储器件500的操作在文中可省略。
[0079]根据本发明的实施例，存储器件可使用各种方法来永久或非永久(暂时)修复。存储器件可以永久或非永久方式选择性修复。
[0080]虽然已经参考具体实施例描述了本发明，但对于本领域技术人员要清楚的是，在不脱离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种变化和修改。[0081 ] 通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。
[0082]技术方案1.一种存储器件，包括:
[0083]非易失性存储器电路，适于储存系统硬修复数据；
[0084]暂时存储器电路，适于储存系统软修复数据；
[0085]系统寄存器电路，适于在启动操作期间接收和储存所述系统硬修复数据或所述系统软修复数据；以及
[0086]存储体，适于基于储存在所述系统寄存器电路中的第一数据来执行修复操作。
[0087]技术方案2.如技术方案1所述的存储器件，还包括:
[0088]存储器寄存器电路，适于在所述启动操作期间接收和储存存储器硬修复数据，
[0089]其中，所述非易失性存储器电路储存所述存储器硬修复数据，并在所述启动操作期间将所述存储器硬修复数据传送至所述存储器寄存器，以及
[0090]其中，所述存储体基于储存在所述系统寄存器电路中的所述第一数据和储存在所述存储器寄存器电路中的第二数据来执行所述修复操作。
[0091]技术方案3.如技术方案2所述的存储器件，其中，所述存储器硬修复数据在所述存储器件被制造时被编程以储存在所述非易失性存储器电路中。
[0092]技术方案4.如技术方案3所述的存储器件，其中，所述系统硬修复数据和所述系统软修复数据从存储器控制器传送至所述存储器件，以储存在所述非易失性存储器电路和所述暂时存储器电路中。
[0093]技术方案5.如技术方案2所述的存储器件，其中，所述系统硬修复数据和所述存储器硬修复数据永久保持在所述非易失性存储器电路中，以及
[0094]当所述存储器件断电时，所述系统软修复数据、所述第一数据和所述第二数据从所述暂时存储器电路、所述存储器寄存器电路和所述系统寄存器电路中擦除。
[0095]技术方案6.如技术方案2所述的存储器件，其中，所述非易失性存储器电路包括一次性可编程存储器单元，其中数据被永久编程。
[0096]技术方案7.—种存储器件，包括:
[0097]非易失性存储器电路，包括:第一至第N存储器区域，用于储存第一至第N存储体的存储器硬修复数据；以及第一至第N系统区域，用于储存第一至第N存储体的系统硬修复数据；
[0098]暂时存储器电路，包括第一至第N暂时区域，用于储存所述第一至第N存储体的系统软修复数据；
[0099]第一至第N存储器寄存器电路，适于在启动操作期间接收和储存在所述第一至第N存储器区域中储存的存储器硬修复数据；
[0100]第一至第N系统寄存器电路，适于在所述启动操作期间接收和储存在所述第一至第N系统区域中储存的系统硬修复数据或在所述第一至第N暂时区域中储存的系统软修复数据；以及
[0101]所述第一至第N存储体，适于基于储存在所述第一至第N存储器寄存器电路