中的第一数据和储存在所述第一至第N系统寄存器电路中的第二数据来执行修复操作，
[0102]其中，所述N为大于1的整数。
[0103]技术方案8.如技术方案7所述的存储器件，其中，所述第一至第N存储体的存储器硬修复数据在所述存储器件被制造时被编程以储存在所述第一至第N存储器区域中。
[0104]技术方案9.如技术方案8所述的存储器件，其中，所述第一至第N存储体的系统硬修复数据和所述第一至第N存储体的系统软修复数据从存储器控制器传送至所述存储器件，以储存在所述第一至第N系统区域和所述第一至第N暂时区域中。
[0105]技术方案10.如技术方案7所述的存储器件，其中，当存储体地址和正常地址连同系统硬修复命令施加于所述存储器件时，所述正常地址被编程在所述第一至第N系统区域之中的基于所述存储体地址而选中的系统区域中。
[0106]技术方案11.如技术方案7所述的存储器件，其中，当存储体地址和正常地址连同系统软修复命令施加于所述存储器件时，所述正常地址被编程在所述第一至第N暂时区域之中的基于所述存储体地址而选中的暂时区域中。
[0107]技术方案12.如技术方案11所述的存储器件，其中，当从所述存储器件加电起施加所述系统软修复命令时，储存在所述第一至第N暂时区域中的系统软修复数据在所述启动操作期间传送至所述第一至第N系统寄存器电路，以及
[0108]当从所述存储器件加电起未施加所述系统软修复命令时，储存在所述第一至第N系统区域中的系统硬修复数据在所述启动操作期间传送至所述第一至第N系统寄存器电路。
[0109]技术方案13.如技术方案7所述的存储器件，其中，所述非易失性存储器电路包括一次性可编程存储器单元，其中数据被永久编程。
[0110]技术方案14.一种存储系统，包括:
[0111]存储器件，适于响应于硬修复命令来执行系统硬修复操作，以及响应于软修复命令来执行系统软修复操作；以及
[0112]存储器控制器，适于连同所述硬修复命令来施加用于所述系统硬修复操作的第一修复地址数据至所述存储器件，以及连同所述软修复命令来施加用于所述系统软修复操作的第二修复地址数据至所述存储器件。
[0113]技术方案15.如技术方案14所述的存储系统，其中，所述存储器控制器经由所述系统软修复操作来验证所述存储器件是否被修复，然后经由所述系统硬修复操作来永久修复所述存储器件。
[0114]技术方案16.如技术方案14所述的存储系统，其中，所述存储器件包括:
[0115]非易失性存储器电路，包括:第一至第N存储器区域，用于储存第一至第N存储体的存储器硬修复数据；以及第一至第N系统区域，用于储存第一至第N存储体的系统硬修复数据；
[0116]暂时存储器电路，包括第一至第N暂时区域，用于储存所述第一至第N存储体的系统软修复数据；
[0117]第一至第N存储器寄存器电路，适于在启动操作期间接收和储存在所述第一至第N存储器区域中储存的存储器硬修复数据；
[0118]第一至第N系统寄存器电路，适于在所述启动操作期间接收和储存在所述第一至第N系统区域中储存的系统硬修复数据或在所述第一至第N暂时区域中储存的系统软修复数据；以及
[0119]所述第一至第N存储体，适于基于储存在所述第一至第N存储器寄存器电路中的第一数据和储存在所述第一至第N系统寄存器电路中的第二数据来执行修复操作，
[0120]其中，所述N为大于1的整数。
[0121]技术方案17.如技术方案16所述的存储系统，其中，所述第一至第N存储体的存储器硬修复数据在所述存储器件被制造时被编程以储存在所述第一至第N存储器区域中。
[0122]技术方案18.如技术方案16所述的存储系统，其中，所述第一修复地址包括存储体地址和正常地址，且当所述存储体地址和所述正常地址连同所述系统硬修复命令施加于所述存储器件时，所述正常地址被编程在所述第一至第N系统区域之中的基于所述存储体地址而选中的系统区域中。
[0123]技术方案19.如技术方案16所述的存储系统，其中，所述第二修复地址包括存储体地址和正常地址，且当所述存储体地址和所述正常地址连同所述系统软修复命令施加于所述存储器件时，所述正常地址被编程在所述第一至第N暂时区域之中的基于所述存储体地址而选中的暂时区域中。
[0124]技术方案20.如技术方案16所述的存储系统，其中，当从所述存储器件加电起施加所述系统软修复命令时，储存在所述第一至第N暂时区域中的系统软修复数据在所述启动操作期间传送至所述第一至第N系统寄存器电路，以及
[0125]当从所述存储器件加电起未施加所述系统软修复命令时，储存在所述第一至第N系统区域中的系统硬修复数据在所述启动操作期间传送至所述第一至第N系统寄存器电路。
【主权项】
1.一种存储器件，包括: 非易失性存储器电路，适于储存系统硬修复数据； 暂时存储器电路，适于储存系统软修复数据； 系统寄存器电路，适于在启动操作期间接收和储存所述系统硬修复数据或所述系统软修复数据；以及 存储体，适于基于储存在所述系统寄存器电路中的第一数据来执行修复操作。2.如权利要求1所述的存储器件，还包括: 存储器寄存器电路，适于在所述启动操作期间接收和储存存储器硬修复数据， 其中，所述非易失性存储器电路储存所述存储器硬修复数据，并在所述启动操作期间将所述存储器硬修复数据传送至所述存储器寄存器，以及 其中，所述存储体基于储存在所述系统寄存器电路中的所述第一数据和储存在所述存储器寄存器电路中的第二数据来执行所述修复操作。3.如权利要求2所述的存储器件，其中，所述存储器硬修复数据在所述存储器件被制造时被编程以储存在所述非易失性存储器电路中。4.如权利要求3所述的存储器件，其中，所述系统硬修复数据和所述系统软修复数据从存储器控制器传送至所述存储器件，以储存在所述非易失性存储器电路和所述暂时存储器电路中。5.如权利要求2所述的存储器件，其中，所述系统硬修复数据和所述存储器硬修复数据永久保持在所述非易失性存储器电路中，以及 当所述存储器件断电时，所述系统软修复数据、所述第一数据和所述第二数据从所述暂时存储器电路、所述存储器寄存器电路和所述系统寄存器电路中擦除。6.如权利要求2所述的存储器件，其中，所述非易失性存储器电路包括一次性可编程存储器单元，其中数据被永久编程。7.一种存储器件，包括: 非易失性存储器电路，包括:第一至第N存储器区域，用于储存第一至第N存储体的存储器硬修复数据；以及第一至第N系统区域，用于储存第一至第N存储体的系统硬修复数据； 暂时存储器电路，包括第一至第N暂时区域，用于储存所述第一至第N存储体的系统软修复数据； 第一至第N存储器寄存器电路，适于在启动操作期间接收和储存在所述第一至第N存储器区域中储存的存储器硬修复数据； 第一至第N系统寄存器电路，适于在所述启动操作期间接收和储存在所述第一至第N系统区域中储存的系统硬修复数据或在所述第一至第N暂时区域中储存的系统软修复数据；以及 所述第一至第N存储体，适于基于储存在所述第一至第N存储器寄存器电路中的第一数据和储存在所述第一至第N系统寄存器电路中的第二数据来执行修复操作， 其中，所述N为大于1的整数。8.如权利要求7所述的存储器件，其中，所述第一至第N存储体的存储器硬修复数据在所述存储器件被制造时被编程以储存在所述第一至第N存储器区域中。9.如权利要求8所述的存储器件，其中，所述第一至第N存储体的系统硬修复数据和所述第一至第N存储体的系统软修复数据从存储器控制器传送至所述存储器件，以储存在所述第一至第N系统区域和所述第一至第N暂时区域中。10.一种存储系统，包括: 存储器件，适于响应于硬修复命令来执行系统硬修复操作，以及响应于软修复命令来执行系统软修复操作；以及 存储器控制器，适于连同所述硬修复命令来施加用于所述系统硬修复操作的第一修复地址数据至所述存储器件，以及连同所述软修复命令来施加用于所述系统软修复操作的第二修复地址数据至所述存储器件。
【专利摘要】一种存储器件，包括非易失性存储器电路，其适合储存系统硬修复数据；暂时存储器电路，其适合储存系统软修复数据；系统寄存器电路，其适合在启动操作期间接收和储存系统硬修复数据或系统软修复数据；以及存储体，其适合基于储存在系统寄存器电路中的第一数据进行修复操作。
【IPC分类】G11C29/44
【公开号】CN105321579
【申请号】CN201510200958
【发明人】金贵东
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年4月24日
【公告号】US20160035438