信息存储应用技术
  • 编程非挥发性存储器装置以降低位线干扰的方法及装置与流程
    本发明是有关于一种非挥发性存储器装置,特别是关于一种以降低位线干扰的非挥发性存储器装置。非挥发性存储器装置,例如闪存装置存储数据在存储单元中。存储单元通常包含半导体材料用以允许存储单元位于一特定状态并允许此状态在一段时间后被读取。举例来说,可通过反复地施加一编程电压跨越此存储单元将具有两个...
  • 非挥发性存储器的健康管理的制作方法与工艺
    本发明涉及一种管理非挥发性存储器的老化区段(degradedsections)的方法,且特别涉及调整老化区段编程的方法。在一非挥发性(non-volatile,NV)存储器中,一存储单元(memorycell)可包括一单一电荷储存晶体管(asinglechargestoringtransi...
  • 存储器装置及其编程方法与流程
    本发明是有关于一种装置与其操作方法,且特别是有关于一种存储器装置及其编程方法。闪存通常是采用与非门(NAND)或是或非门(NOR)架构的存储器阵列,其中NAND存储器阵列适于应用在高密度的数据储存而盛行。一般而言,NAND存储器阵列包括多个存储单元串,且每一存储单元串电性连接在所对应的位线...
  • 存储器装置与其操作方法与流程
    本发明是有关于一种存储器装置与其操作方法,且特别是有关于一种具有错误校正码的存储器装置与其操作方法。近年来,相变化存储器(Phase-changememory)因具有低电压、低耗能且制程整合度高...等优点,已成为最具有发展潜力的非易失性存储器技术。一般而言,为了确保相变化存储器中的数据的...
  • 擦除非易失性存储器件的方法与流程
    擦除非易失性存储器件的方法本申请是申请日为2011年8月26日、申请号为201110248599.7、发明名称为“非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统”的发明专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求于2010年8月26日提交的韩国专利申请第10-2010-0083044号的优先...
  • 用于初始化阻变存储器的电路及阻变存储器的制作方法与工艺
    本发明涉及阻变存储器,尤其涉及一种用于初始化阻变存储器的电路及阻变存储器。阻变存储器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM)与目前主流的非挥发性存储器Flash闪存相比具有诸多优势,如结构简单、制造成本低、易于集成、低操作电压、低功耗等。阻变存储器的每个...
  • 基于忆阻器阵列的操作方法与流程
    本发明涉及半导体集成电路领域,更具体地,涉及一种基于忆阻器阵列的操作方法,尤其适用于可重构逻辑运算。传统计算机系统中,通过计算元件进行逻辑运算,并通过存储器对运算结果进行存储。然而,该方法需要先计算,再将计算结果输出到存储器,过程较为复杂。忆阻器是一种新型器件,理想忆阻器既可以用来制作存储...
  • 一种静态随机存储器的读取方法及系统与流程
    本发明涉及存储器的低功耗,尤其涉及一种静态随机存储器的读取方法及系统。半导体存储器最早出现于20世纪60年代,到目前为止,已有超过40年的发展历程,它们被广泛地应用于计算机、通讯等领域。半导体业界,一般将半导体存储器划分为两类:一类为挥发性存储器,另一类为非挥发性存储器。SRAM(...
  • 时钟信号生成电路和方法、以及存储器与流程
    本发明涉及电子设计领域,并且特别地,涉及一种时钟信号生成电路和方法、以及存储器。目前,UHDDP-SRAM(Ultra-High-Densitydual-portSRAM)采用了6管单端口存储单元(single-portbitcell)的设计方案来实现双端口SRAM的功能,相比于传统的采用...
  • 本发明属于集成电路领域,具体涉及一种基于FPGA的可高速写入数据的抗辐射SRAM单元的制备方法。据研究报道,随着工艺尺寸的减少,芯片里的集成电路在高层太空或近地球空间越来越容易受到重粒子或质子辐射影响而产生错误。研究显示,辐射如果发生在SRAM(静态随机存储器)等存储单元的存储节点,可能直...
  • 一种DDR4 DIMM的VREF供电电路的制作方法与工艺
    一种DDR4DIMM的VREF供电电路本发明涉及DDR,特别是涉及一种DDR4DIMM的VREF供电电路。DDR(DoubleDataRateSDRAM,双倍数据流SDRAM)可在一个时钟周期内传送两次数据,其总线的传输能力比普通SDRAM提高一倍。DDR4是第四代DDR,...
  • 一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构的制作方法与工艺
    本发明涉及非易失存储器,特别是涉及一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构。自旋力矩转移磁性随机存储器STT-MRAM是一种非易失的存储器,它的存储结构采用MTJ磁性隧道结,如图1所示,中间的称为势垒层,上下分别为自由层和参考层。写数据“0”的时候,电流从参考层流经自由层使MTJ...
  • 带斜面切口环形自由层的磁存储器翻转单元的制作方法与工艺
    本发明涉及磁随机存储器(MagneticRandomAccessMemory,MRAM)翻转单元的结构改进,尤其涉及基于磁性隧道结(MagneticTunnelingJunction,MTJ)的赝自旋阀(Pseudo-Spin-Valve,PSV)MRAM翻转单元的结构改进,属于MRAM翻转单元结...
  • 用于相变存储器及开关(PCMS)阵列中的地址线的单个晶体管驱动器的制作方法与工艺
    用于相变存储器及开关(PCMS)阵列中的地址线的单个晶体管驱动器本申请为分案申请,其原申请是2013年9月30日进入中国国家阶段、国际申请日为2012年2月22日的国际专利申请PCT/US2012/026121,该原申请的中国国家申请号是201280017000.1,发明名称为“用于相变存储器及开...
  • 驱动子字线的半导体存储器元件的制作方法与工艺
    本发明涉及一种包含子字线驱动器的半导体存储器元件。图1绘示一传统字线驱动器100的电路图。该字线驱动器100包含一主字线驱动器10和多个子字线驱动器12和14。这些子字线驱动器12和14中的每一个包含一PMOS晶体管P1和一NMOS晶体管N1。这些子字线驱动器12和14由一主字线MWL所控...
  • 一种地址匹配电路的制作方法与工艺
    本发明涉及存储器地址侦测领域,尤其涉及应用于大容量存储器的一种地址匹配电路。大容量存储器地址位比较多,当需要对存储器某个特定地址进行侦测时,需要做地址匹配(MATCH)动作,存储器的高速特性要求地址MATCH动作的延时越短越好。传统的地址MATCH采用同或和异或构成组合逻辑比较器进行比较,...
  • 用于将命令提供到数据块的命令路径、设备及方法与流程
    用于将命令提供到数据块的命令路径、设备及方法分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2012年3月5日、申请号为201280016714.0、发明名称为“用于将命令提供到数据块的命令路径、设备及方法”的发明专利申请案。本发明的实施例大体来说涉及半导体存储器,且更特定来说,在...
  • 控制半导体存储器件的控制器及其操作方法与流程
    各种实施例总体而言涉及一种电子器件,更具体地,涉及一种控制半导体存储器件的控制器及其操作方法。半导体存储器件由诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)及磷化铟(InP)的半导体材料制成。半导体存储器件分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在断电时丢失储存的数据。易失性存...
  • 差分激励电路的制作方法与工艺
    本发明涉及存储控制,特别是涉及一种差分激励电路。现有技术中的存储电路,如闪存(Flash)、静态随机存取存储器(StaticRandomAccessMemory,SRAM)、动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM),及带电可擦可编程只读存储...
  • 可双重预充电的PUF存储器及其密码生成方法与流程
    本发明属于信息安全,具体涉及一种带有双重预充电机制的比较器的可排除不确定态的存储器及其密码生成方法。电子时代,在计算机给人们提供便利的同时,也带来了一个严峻问题,那就是硬件安全问题,尤其是私人器件的认证问题。密钥生成及管理是现代社会中信息安全的基础系统之一。在各种使用密钥的领域,都...
技术分类