信息存储应用技术
  • 本发明通常涉及电子电路例如多次可编程(multi-timeprogrammable;MTP)型非易失性存储器电路,尤其涉及MTP存储器(MTPM)单元架构以及操作方法。在高密度存储器系统中,典型的非易失性存储器单元可包括金属氧化物半导体(MOS)FET晶体管,其具有参数例如晶体管装置阈值电...
  • 存储器装置[相关申请]本申请享有以日本专利申请2016-17377号(申请日:2016年2月1日)为基础申请案的优先权。本申请通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。本实施方式涉及一种存储器装置。已知将存储器单元三维排列而成的NAND(NotAND,与非)型闪速存储器。发明...
  • 本案是有关于一种存储器的多个存储器单元的一目标字线的读取数据方法及存储器装置,且特别是有关于一种根据干扰状态来调整读取阈值电压的方法及存储器装置。在半导体存储器中,存储器单元的阈值电压改变可通过改变在存储器单元的储存层内所储存的电荷量而达成。因而,通过储存不同电荷量,存储器单元可储存不同数...
  • 具有横向耦合结构的非易失性存储单元及其阵列相关申请的交叉引用本申请要求分别在2016年1月22日和2016年5月17日提交的申请号为10-2016-0008354和10-2016-0060451的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体合并于此。本公开的各种实施例总体而言涉及非易失性存储单元,...
  • 本发明涉及一种译码技术,尤其涉及一种译码方法、内存储存装置及内存控制电路单元。数字相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性内存模块(例如,闪存)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上...
  • 包括多平面结构的非易失性存储装置相关申请的交叉参考本非临时专利申请要求向韩国知识产权局于2015年11月12日提交的第10-2015-0158944号韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合于此。本发明涉及半导体存储装置,并且更具体地,涉及包括多平面结构的非易失性存储装置。存储...
  • 本发明涉及内容可寻址存储器,尤其涉及利用多条虚假参考匹配线(dummyreferencematchlines)来减少延迟。内容可寻址存储器(content-addressablememory;CAM)将输入搜索数据与储存数据表比较并返回匹配数据的地址。CAM具有单时钟周期吞吐量,从而使其快...
  • 存储器和包括其的电子装置相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月1日提交的申请号为10-2015-0169808的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。本发明的实施例涉及一种存储器电路或者器件及其在电子装置中的应用。近来,已经积极地进行了对于代替DRAM和快闪存储...
  • 本发明涉及静态随机存取存储器阵列,特别涉及一种包括可写入静态随机存取存储器单元以及静态随机存取存储器读取电流追踪单元的静态随机存取存储器阵列。静态随机存取存储器阵列经常被使用作为集成电路装置中的数据储存装置。鳍式场效晶体管技术中最新的发展为鳍式场效晶体管可使用于静态随机存取存储器单元中。静...
  • 本发明涉及静态随机存取存储器(SRAM)的,且特定来说,本发明涉及一种SRAM、SRAM读取控制器及用于减小SRAM中的电力消耗的方法。静态随机存取存储器(SRAM)是利用锁存以存储每一位的存储器。因为SRAM是静态的,所以无需周期性地刷新存储器,且因此,其通常比动态随机存取存储器...
  • 本发明涉及静态随机存取存储器阵列,特别涉及一种具有至少两个静态随机存取存储器迷你阵列以及设置于两个静态随机存取存储器迷你阵列间的静态随机存取存储器冗余阵列的静态随机存取存储器阵列。静态随机存取存储器是常用于集成电路中。静态随机存取存储器单元具有不需要刷新即可保存数据的优点。随着集成电路对于...
  • 本公开关于一种集成电路装置,且特别涉及一种集成电路结构。于集成电路(integratedcircuits)中常使用静态随机存取存储器(SRAM)。静态随机存取记忆胞(SRAMcell)具有保存数据且无需更新(refreshing)的优点。随着集成电路的速度提升需求,静态随机存取记忆胞的读取...
  • 执行锤刷新操作的存储器设备和包括其的存储器系统相关申请的交叉引用该美国非临时性专利申请根据U.S.C.35§119要求于2016年1月25日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2016-0008442的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。示例实施例一般涉及半导体集...
  • 存储装置和操作存储装置的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年11月4日向韩国知识产权局提交的第10-2015-0154768号韩国专利申请的优先权,其全部公开通过引用并入本文。本发明构思涉及存储装置以及操作存储装置的方法。存储装置用于储存数据,并且分类为易失性存储装置和非易...
  • 本公开大体涉及半导体装置,并且更具体地说,涉及用于锁存器冗余的电容性存储。随着晶体管大小缩小以允许更小的电子装置,由软错误和/或单一事件扰乱(SEU)诱发的故障的可能性增加。例如,当外部的能量(诸如由于辐射粒子轰击的能量)被施加到电路上时,可发生SEU,从而致使在锁存器、存储器、电压检测器...
  • 存储器使用的端口模式本节旨在提供与理解本文所述的各种技术相关的信息。正如本节的标题所暗示的,这是对相关技术的讨论,其绝不意味着它是现有技术。通常,相关技术可能被认为是也可能不被认为是现有技术。因此,应当理解,本节中的任何陈述应当从这个角度来阅读,而不是作为对现有技术的任何承认。集成电路(I...
  • 本公开的方面涉及电子装置,并且更具体地,涉及一种半导体存储器装置及其操作方法。半导体存储器装置是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)这样的半导体材料实现的存储器装置。半导体存储器装置通常被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器是仅在被供电的...
  • 半导体存储器器件相关申请的交叉引用于2016年1月6日提交的日本专利申请No.2016-000976的公开内容,包括说明书、附图和摘要,通过引用全部合并于本文中。本发明涉及一种半导体存储器器件,且例如涉及一种适合于减少在用于写入数据的命令和用于读取数据的命令之间切换所需的不必要总线周期的半...
  • 本发明涉及一种存储器装置以及一种用于驱动这种存储器装置的方法。存储器装置通常用于存储数字值,例如计算结果。这种存储器元件的实例是所谓的锁存器,其中这种锁存器可以存储1比特值,即两个可能的状态中的一个。另一实例是触发器,所述触发器例如可以以锁存器为基础。这种存储器元件可以用要存储的值写入。为...
  • 具有可定制的标准单元逻辑的集成电路存储器设备对优先权申请的引用本申请要求于2015年11月9日向韩国知识产权局提交的第10-2015-0156823号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入于此。本发明构思涉及半导体存储器设备和系统以及操作其的方法。存储器设备...
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