信息存储应用技术
  • 用于减小磁头-介质间隔的读/写磁头的主动控制的制作方法
    本申请要求2016年2月16日提交的美国临时专利申请No.62/295,681的优先权,其内容通过引用全部并入在此。本公开总体上涉及磁数据存储系统和设备,并且更具体地涉及通过提供的对于读/写磁头相对于磁盘的旋转磁数据记录和读取表面的定位的主动控制来实现减少硬盘驱动器(HDD)中的磁头-介质...
  • 要求于2017年3月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0040197的优先权,其公开通过引用完整地并入本文。本文描述的发明构思涉及半导体存储器设备,更具体地,涉及使用循环状态信息的存储设备及其坏块指派方法。半导体存储器设备可以被分类为易失性半导体存储器设...
  • 本申请要求于2017年3月29日提交的申请号为10-2017-0040086的韩国申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。各个实施例总体涉及一种半导体装置。更特别地,本公开的实施例涉及一种用于测试存储器的系统和方法。存储器装置在制造之后经历各种测试以检查其是否被正常操作。对存储器...
  • 本申请要求2017年3月29日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0040076的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体合并于此。各种实施例总体而言涉及一种半导体集成电路,更具体地,涉及一种半导体存储装置及其测试方法。半导体存储装置可以被配置为储存数据并输出所储存的数据。通...
  • 本公开涉及提供使用内建自测试的零测试时间存储器,更具体而言,涉及一种多端口存储器以允许在执行功能操作时的多端口存储器的零测试时间。在工业应用(例如,汽车)中,公司可能希望将先进的减少指令集计算机机器(即,ARM)核心从任务模式(即,功能操作)中取出并加入测试模式,同时在任务模式中保持剩余的...
  • 本发明涉及半导体器件领域,具体而言涉及用于检测存储器故障的测试方法及测试电路。随着CMOS工艺尺寸降低到40nm,甚至更低,且SRAM(静态随机存取存储器)单元的设计要遵循一些既定的设计规则以及满足设计密度需要的特性等等,使得SRAM单元的设计变得越来越难。更重要的是,随着存储器的容量越来...
  • 本发明涉及半导体存储装置以及半导体存储装置的试验方法,特别是涉及具备考虑了数据的读出裕度的试验电路的半导体存储装置以及半导体存储装置的试验方法。以往,作为公开主要着眼于试验方法的半导体存储装置的文献,已知有专利文献1。专利文献1所公开的半导体存储装置在能够在一个读出放大器连接第一以及第二位...
  • 本发明是关于一种记忆体电路、快闪记忆体装置及其操作方法。快闪式记忆体(FlashMemory),是一种非挥发性的记忆体,允许在操作中被反复抹除或写入数据。这种科技被广泛应用于一般性数据储存,以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据,如记忆卡与随身盘等。举例来说,电阻式记忆体即为一种非挥发...
  • 本申请要求享有2017年4月12日提交的法国申请No.1753213的优先权,该申请在此通过引用的方式并入本文。一些实施例和实施方式的模式涉及集成电路,并且一些特定实施例涉及使用错误纠正码的非易失性存储器。使用错误纠正码的非易失性存储器可以例如是快闪NOR、快闪NAND、或EEPR...
  • 本公开的各种实施方式涉及电子装置,更具体地,涉及一种半导体存储装置及其操作方法。半导体存储装置分类为易失性存储装置和非易失性存储装置。虽然读/写速度相对低,但是非易失性存储装置即使在电源中断时也能够保留存储在其中的数据。因此,当需要存储无论其是否连接到电源都必须被保留的数据时,使用非易失性...
  • 本申请要求于2017年4月5日提交的申请号为10-2017-0044169的韩国申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。各个实施例总体涉及一种半导体设备,且更特别地,涉及一种采用非易失性存储器装置作为存储介质的数据存储装置。近来,计算机环境范例已经转变到普适计算,因此能够在任何时...
  • 本发明涉及一种用于可复写式非易失性存储器模块的数据写入方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritablenon-volatilememory)具有数据非易失性、...
  • 本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2012年01月19日、申请号为201280006100.4、发明名称为“具有直接耦合到本体区域的源极线的存储器装置”的发明专利申请案。优先申请案本申请案主张2011年1月21日申请的第13/011,223号美国申请案的优先权权益,所述申请案以引用的方式并入本...
  • 本公开的各种实施方式总体涉及电子装置,更具体地,涉及储存装置和操作储存装置的方法。储存装置是用于在主机装置(诸如,例如计算机、智能电话或智能平板)的控制下存储数据的装置。储存装置的示例包括用于将数据存储在磁盘中的装置(如在硬盘驱动器(HDD)的情况下)和用于将数据存储在半导体存储器(特别是...
  • 本公开涉及存储器系统,且具体地说尽管不是排他地,一次可编程(OTP)的非易失性存储器系统。在电子电路中,在IC实施方案中需要进行数据存储。此类机构的使用例子例如但不限于是打算将电路调节到最佳性能的装置ID的存储、制造数据如批号或装置特有的测试结果的存储。所述例子还可使得能够在生产之后通过在...
  • 本申请要求2017年4月11日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0046849的优先权,其全部内容通过引用合并于此。本文所描述的发明构思的实施例涉及半导体存储器件,更具体地,涉及包括写入辅助电路的存储器件。在诸如例如静态随机存取存储器(SRAM)器件之类的存储...
  • 包括说明书、附图和摘要的于2017年3月31日提交的日本专利申请号2017-071079的公开内容以整体内容通过引用并入本文。本发明涉及一种半导体装置和时序校准方法并且有利地适用于具有内置存储器的半导体装置。已经常规地知道被设置有对利用存储器执行写入操作需要的信号的校准时序的训练功能的装置...
  • 本申请要求于2017年3月31日提交的美国临时专利申请序列No.62/480,097的权益和优先权,其公开内容通过引用方式整体并入本文。本公开整体上涉及动态随机存取存储器(DRAM)阵列,并且更具体地说,涉及包括相异存储器单元的混合DRAM阵列。近几十年来,为了提高动态随机存取存储...
  • 本申请要求2017年4月11日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0046754的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。示例性实施例涉及一种半导体设计技术,更具体地,涉及一种执行刷新操作的半导体存储器件。半导体存储器件的存储单元由用作开关的晶体管和储存电荷...
  • 本申请要求于2017年4月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0044144的优先权,该申请的公开以引用方式全文并入本文中。本公开涉及一种半导体存储器装置,并且更具体地,涉及一种具有改进的电气特性的三维半导体存储器装置。半导体装置高度集成以满足用户要求的高性...
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