专利名称：有机电致发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于平板显示器、液晶显示器背光、信号灯、光源等 的有机EL(电致发光)元件。
背景技术：
为了使平板显示器变薄、使压縮具有液晶显示器的电子设备并使 其变薄、改善信号灯和光源的形状设计灵活性等，近来越来越要求高效的薄型 质轻的发光体。有机EL元件可以对应这样的要求，且这样的元件已经成为焦点。 EastmanKodak公司的C. W. Tang等人首先公开了在低电压下通 过包括电极和在电极间层压的两个薄膜的结构发光的有机EL元件(Appl. Phys. Lett, 51,12,913(1978))。自此，工业界开始关注有机EL元件的各种优点，例如 低电压(例如，几伏特)引起的高强度发光(例如，100-10000 cd/m2)、通过构成 发光层(活性层)的材料的组合发出多色光、极薄平板发光体的可用性等，且已 经研究具有各种改进的薄膜结构的有机EL元件。 有机EL元件的基本结构由阳极、有机发光层和阴极组成。但还 有各种结构，例如包括阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极 的结构；包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴 极的结构；包括阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和 阴极的结构；包括阳极、空穴注入层、有机发光层、电子注入层和阴极的结构； 等。 一般已知通过这样的多层结构可改善由电极(阳极和阴极)向有机发光层注 入空穴和电子的特性，而且通过限定有机发光层为空穴和电子的复合区域可改 善发光特性。另外，通过这些年来有机EL元件材料的进步，有机EL元件的 发光特性相比当时有显著改善。还将寿命改善到一个相当高的水平，而起初对 寿命还存有顾虑。因此，有机EL元件开始在各种应用中实际使用(见日本专利 申请公布H09-139288)。然而，已经要求进一步改善有机EL元件的效率和寿命，因而除
了材料以外还需要改善器件结构。空穴和电子在发光层外的复合是有机EL元 件的效率和寿命降低的因素。复合能量不能用于发光而造成能量的损失。损失 的原因在于从阴极侧向有机发光层的电子注入和/或从阳极侧向有机发光层的 空穴注入的能力低，还在于没有将空穴和电子进入有机发光层的平衡和注入量 最佳化。因此，为了体高高效长寿的有机EL元件，需要提高电荷(空穴和/或 电子)注入有机发光层的性能，且还需要将注入平衡最佳化。因此，需要空穴和电子仅在有机发光层中有效复合。
发明内容
本发明的目的在于在发光层中有效复合空穴和电子以及改善有 机电致发光元件的效率和寿命。根据一个方面，本发明包括电极、发光层和用于将空穴或电子传 输到发光层的传输层。发光层和传输层在电极之间形成。发光层含有作为受电 子掺杂剂的化合物。在该结构中，有可能有效地在发光层中复合空穴和电子， 并改善效率和寿命。根据另一个方面，发光层具有含有该化合物的区域。 根据另一个方面，发光层具有含有该化合物的第一区域和含有作 为发光掺杂剂的化合物的第二区域。 根据另一个方面，发光层进一步具有仅由发光层主体材料(host material)组成的第三区域。第三区域设在第一区域和第二区域之间。根据另一个方面，作为受电子掺杂剂的化合物为金属氧化物。 根据另一个方面，金属氧化物选自由氧化钒、氧化钼、氧化铼和 氧化鸭组成的组。 根据一个方面，本发明包括电极、发光层和用于将空穴或电子传 输到发光层的传输层。所述发光层和传输层在电极之间形成。发光层含有作为 供电子掺杂剂的物质。根据另一个方面，发光层具有含有该物质的区域。 根据另一个方面，发光层具有含有该物质的第一区域和含有作为 发光掺杂剂的化合物的第二区域。根据另一个方面，发光层进一步具有仅由发光层主体材料组成的
第三区域。第三区域设在第一区域和第二区域之间。根据另一个方面，作为供电子掺杂剂的物质是一种或多种金属，
其选自由以下组成的组碱金属、碱土金属和稀土金属。
下面将详细说明本发明优选的实施方式。参考下面的详细说明和
附图将更好地理解本发明的其他特征和优点
图1为示意图，表示本发明有机电致发光元件的实例； 图2为示意图，表示本发明的模式； 图3为示意图，表示本发明的另一模式； 图4为示意图，表示本发明的另一模式； 图5为示意图，表示本发明的另一模式； 图6为示意图，表示本发明的另一模式；和 图7为示意图，表示本发明的另一模式。
最佳实施方式 图1表示有机EL(电致发光)元件结构的实例，其包括电极1和2， 以及在电极之间层压的有机发光层4。电极(阳极)1由透光的导电膜形成，且 在基底10表面层压。发光层4通过空穴传输层3层压在阳极1表面上。电极(阴 极)2通过电子传输层5层压在发光层4上。然而，不限于此，例如，空穴阻挡 层可以在发光层4和电子传输层5之间形成。发光层4也可以通过层压多色层 而形成。在本发明第一个模式中，发光层4含有作为受电子掺杂剂的化合 物。该化合物可以包含在整个或部分发光层4中。例如，在图2的模式中，阳 极1侧的发光层4具有区域4a，且区域4a含有该化合物。形成区域4a的材料 的数目与形成余下区域的材料的数目不同，且除了有机发光化合物以外，区域 4a还含有作为受电子掺杂剂的化合物。然而，发光层4可以含有具有浓度梯 度的该化合物。例如，该化合物的浓度可以在阳极l侧高，且从阳极l侧到阴 极2侧降低。在改进的模式中，发光层4含有作为发光掺杂剂的化合物。例如，
在图3的模式中，发光层4具有区域4a和4b，且形成区域4a的材料的数目 与形成区域4b的材料的数目不同。除了有机发光化合物以外，阳极l侧的区 域4a含有作为受电子掺杂剂的化合物，同时除了有机发光化合物以外，阴极 2侧的区域4b含有作为发光掺杂剂的化合物。然而，作为受电子掺杂剂的化 合物的位置和/或作为发光掺杂剂的化合物的位置可以改变。 在图4的增强的模式中，发光层4具有区域4a、 4b和4c，其各 自由不同数目的材料形成。除了有机发光化合物以外，阳极l侧的区域4a含 有作为受电子掺杂剂的化合物。除了有机发光化合物以外，阴极2侧的区域 4b含有作为发光掺杂剂的化合物。区域4c仅由发光层主体材料组成，且设在 区域4a和4b之间。区域各自的位置可以改变。 因此，通过在发光层4中包含作为受电子掺杂剂的化合物以及在 发光层4中包含作为受电子掺杂剂的化合物和作为发光掺杂剂的化合物，有可 能改善向发光层4注入空穴的能力和在发光层4中的空穴传输能力。而且，该 能力可以在发光层4中部分或选择性地改善。另外，通过优化空穴和/或电子 注入发光层的平衡，发光层有效发光是可能的，且可以得到优异的发光特性和 寿命特性。在本发明第二个模式中，发光层4含有作为供电子掺杂剂的物 质。该物质可以包含在整个或部分发光层4中。例如，在图5的模式中，发光 层4具有各自由不同数目的材料形成的区域。区域中阴极2侧的区域4d含有 有机发光化合物以外的该物质。然而，发光层4可以含有具有浓度梯度的作为 供电子掺杂剂的物质。例如，该物质的浓度在阴极2侧高，且从阴极2侧向阳 极1侧降低。 在改进的模式中，发光层4含有作为发光掺杂剂的化合物。例如， 在图6的模式中，发光层4具有区域4d和4e，其各自由不同数目的材料形成。 除了有机发光化合物以外，阴极2侧的区域4d含有作为供电子掺杂剂的物质。 除了有机发光化合物以外，阳极1侧的区域4e含有作为发光掺杂剂的化合物。 然而，作为供电子掺杂剂的物质的位置和/或作为发光掺杂剂的化合物的位置 可以改变。 在图7的增强的模式中，发光层4具有区域4d、 4e和4f，其各 自由不同数目的材料形成。除了有机发光化合物以外，阴极2侧的区域4d含 有作为供电子掺杂剂的物质。除了有机发光化合物以外，阳极1侧的区域4e 含有作为发光掺杂剂的化合物。区域4f仅由发光层主体材料组成，且设在区 域4d和4e之间。每个区域的位置都可以改变。 因此，通过在发光层4中包含作为供电子掺杂剂的物质以及在发 光层4中包含作为供电子掺杂剂的物质和作为发光掺杂剂的化合物，有可能改 善向发光层4注入电子的能力和在发光层4中的电子传输能力。而且，该能力 可以在发光层4中部分或选择性地改善。另外，通过优化空穴和/或电子注入 发光层的平衡，发光层有效发光是可能的，且可以得到优异的发光特性和寿命 特性。在第一和第二模式中，发光层4含有受电子掺杂剂和供电子掺杂 剂之一，但是本发明的发光层可以含有它们两者。本发明的发光层还可以含有 一种或多种受电子掺杂剂或供电子掺杂剂。例如，有可能通过以下使层4含有 需要的掺杂剂(受电子掺杂剂或供电子掺杂剂)在具体组分(发光层主体材料和 /或发光掺杂剂)蒸镀过程中蒸发需要的掺杂剂；交替蒸镀具体组分和需要的掺 杂剂；在具体组分蒸镀后将需要的掺杂剂蒸发并在层4中进行扩散；或通过旋 涂涂覆具体组分和需要的掺杂剂的溶液等。简而言之，可以使用具体组分与需 要掺杂剂共存的方法。 下面详述用于形成发光层4且为单层或混合层形式的有机发光 化合物。本发明的发光层可以含有包括已知化合物的有机发光化合物，所述已 知化合物包括但不限于，例如，蒽、萘、芘、并四苯、晕苯、二萘嵌苯、酞二 萘嵌苯(phthaloperylene)、萘二萘嵌苯(naftaloperylene)、 二苯基丁二烯、四 苯基丁二烯、香豆素、恶二唑、双苯并恶唑啉(bisbenzoxazoline)、双苯乙烯、 环戊二烯、喹啉金属络合物、三(8-羟基喹啉酸)铝络合物、三(4-甲基-8-喹啉酸) 铝络合物、三(5-苯基-8-喹啉酸)铝络合物、氨基喹啉金属络合物、苯并喹啉金 属络合物、三-(p-三联苯-4-基)胺、1-烯丙基-2，5-二(2-噻吩基)比咯衍生物、比 喃、喹吖啶酮、红荧烯、联苯乙烯苯(distyrylbenzene)衍生物、联苯乙烯芳烃衍 生物、或以包括这些发光化合物的基团作为分子的一部分的化合物。然而，不 限于原本就是荧光颜料的化合物，发光层可由可以从三线态发出磷光的发光材 料形成。使用包括选自例如，周期表第7-11族的金属的有机金属络合物作为 磷光掺杂剂。金属优选自由钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂和金组成的组。 下面说明发光层主体材料。可以使用电子传输材料、空穴传输材 料或其混合材料作为发光层主体材料。在混合材料的情况下，发光层4可以具 有浓度梯度，由此使阳极1侧含有多的空穴传输材料，而当越接近阴极2侧， 电子传输材料的比例越高。电子传输材料或空穴传输材料可以适当地选择，但 不限于相当于发光层4所用的有机发光化合物、形成空穴传输层3所用的材料 和形成电子传输层5所用的材料的组。除了上述在发荧光情况下用于发光层的 主体材料外，在发磷光的情况下，用于发光层4的主体材料选自包括咔唑衍生 物、聚乙烯咔唑等的组。发光掺杂剂可以包含在用于发光层4的主体材料中， 且上述有机发光化合物可以用于发光掺杂剂。上述作为受电子掺杂剂的化合物具有能化学氧化有机物质这样 的特性，如Lewis酸，且选自但不限于包括以下物质的组金属氧化物，例如 氧化钒、氧化钼、氧化铼、氧化鸨等；无机化合物，例如氯化铁、溴化铁、碘 化铁、碘化铝、氯化镓、溴化镓、碘化镓、氯化铟、溴化铟、碘化铟、五氯化 锑、五氟化砷、三氟化硼等；和有机化合物，例如DDQ (二氰基-二氯醌)、TNF (三硝基芴酮)、TCNQ(四氰基醌二甲烷)、4F-TCNQ(四氟-四氰基醌二甲烷)等。 在没有发光掺杂剂的情况下，受电子掺杂剂可以包含在与含有发光掺杂剂或有 机发光化合物的区域的主体材料共用的材料中用于所需的发光。 上述作为供电子掺杂剂的物质对于有机物质有还原作用，其为但 不限于，例如，至少一种选自由如下组成的组的物质碱金属、碱土金属、稀 土金属、碱金属氧化物、碱金属卤化物、碱土金属氧化物、碱土金属卤化物、 稀土金属氧化物、稀土金属卤化物、和碱金属碳酸盐。而且，可以使用其中芳 香化合物与碱金属配位的金属络合物作为供电子掺杂剂，但并不限于此。在没 有发光掺杂剂的情况下，供电子掺杂剂可以包含在与含有发光掺杂剂或有机发 光化合物的区域的主体材料共用的材料中用于所需的发光。 形成空穴传输层3(或空穴注入层)的材料为例如具有空穴传输能 力、来自阳极l的空穴注入效果、向发光层4注入空穴的优异效果、防止电子 向空穴传输层3运动的效果、和优异的形成薄膜能力的化合物。该材料选自但 不限于包括以下物质的组芳香二胺化合物，例如N,N'-双(3-甲基苯基)-(l,^-联苯基)-4， 4，二胺(TPD)和4,4，-双(N-(萘基)-N-苯基-氨基)二苯基(a-NPD)等；和 高分子材料，例如芪衍生物和吡唑啉衍生物和聚芳基链烷和4， 4，， 4"-三(N-(3-
甲基苯基)N-苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)和2, 2，， 7, 7'-四-(N, N-二苯基氨 基)-9, 9，-螺双芴和聚乙烯咔唑等。形成电子传输层5的电子传输材料为例如具有电子传输能力、来 自阴极2的电子注入效果、向发光层4注入电子的优异的效果、防止空穴向电 子传输层5运动的效果、和优异的形成薄膜能力的化合物。电子传输材料选自 包括以下物质的组芴、红菲绕啉、2，9-二甲基-4,7-二苯基-1,10邻二氮杂菲、 蒽醌二甲烷、二苯酚合苯醌、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、4，4，-N,N，-二咔唑
联苯(CBP)等；其化合物；金属络合物化合物；和含氮五元环衍生物。金属络
合物化合物为但不限于三(8-羟基喹啉酸)铝；三(2-甲基-8-羟基喹啉酸)铝；
三(8-羟基喹啉酸)镓；双(10-羟基苯并[h]喹啉酸)铍；双(10-羟基苯并[h]喹啉酸) 锌；双(2-甲基-8-喹啉酸)(o-甲酚)镓；双(2-甲基-8-喹啉酸)(l-萘酚)铝；双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-苯基酚盐等。含氮五元环衍生物优选为噁唑、噻唑、噁二唑、 噻重氮、或三唑衍生物。三唑衍生物为，但不限于2, 5-双(1-苯基)-1, 3, 4-噁 唑；2, 5-双(1-苯基)-1, 3， 4-噻唑;2, 5-双(1-苯基)-1, 3, 4-噁二唑;2-(4，-叔丁基 苯基)-5-(4"-联苯基)1, 3, 4-噁二唑;2, 5画双(1-萘基)画1， 3, 4-噁二唑;1， 4-双[2-(5-苯基噻重氮基)]苯；2,5-双(1-萘基)-1，3，4-三唑；3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-1-丁 基苯基)-l,2,4-三唑等。可以使用用于聚合物有机发光元件的聚合物材料，例 如，聚对苯撑、其衍生物、芴、其衍生物等。另外，当碱金属等掺杂到传输层3和5中时，可以通过降低的电 压实现高效率。但是如果如本发明的情况，受电子掺杂剂或受电子掺杂剂掺杂 到发光层4中，会增加发光层4中的复合概率，使得以实现高效率。 同样，在其它构成有机EL元件(例如，基底10保留的层压元 件、阳极l、阴极2等)的材料中，可以使用常规使用的物质。 阳极1为用于向发光层4注入空穴的电极。优选使用由大功函数 的金属、合金、导电化合物或它们的混合物组成的电极材料作为阳极l。特别 优选使用功函数大于等于4eV的电极材料。该电极材料为，例如，金金属等、 导电透明材料，例如CuI、 ITO(氧化铟锡)、Sn02、 ZnO、 IZO(氧化铟锌)等。 例如，可以通过利用例如真空蒸发、溅射等方法用电极材料在基底IO上形成 膜而制成薄膜形式的阳极1。当结构为来自发光层4的光穿过阳极1从透光的 基底10向外发出时，阳极1的光透射率优选大于等于70%。阳极l的薄层电
阻优选小于等于几百Q/口，特别小于等于100Q/口。为了控制阳极l的特性， 例如上述光透射率、薄层电阻等，阳极1的膜厚度取决于材料，但是优选一般 设为小于等于500nm，更优选范围为10-200nm。 阴极2为用于向发光层4注入电子的电极。优选使用由小功函数 的金属、合金、导电化合物或它们的混合物组成的电极材料作为阴极2。优选 使用功函数小于等于5eV的电极材料。该电极为例如碱金属、碱金属卤化 物、碱金属氧化物、碱土金属等；这些和其他金属的合金等。例如，使用钠、 钠-钾合金、锂、镁、镁-银混合物、镁-铟混合物、铝-锂合金、Al/LiF混合物 等。另外，可以使用铝、Al/Ab03混合物等。阴极2也可以通过使用碱金属、 碱金属卤化物或金属氧化物作为基底在一层或多层中设置上述功函数小于等 于5eV的材料(或含有其的合金)。例如，可以形成碱金属和A1层；碱金属 卤化物、碱土金属和A1层；Al20s和Al层等。阴极2还可以制成典型的ITO、 IZO透光的电极等以形成如下结构，其中使得从发光层4发出的光从阴极2侧 射出。而且阴极2界面的电子传输层5可以与碱金属锂、钠、铯、钙；或碱土 金属惨杂。 下面将说明基于上述模式优选的实施方式以及与其作为比较的 比较例。 在第一个实施方式中(实施方式1)，基底10是0.7mm厚的透光 玻璃板。阳极1是其中薄层电阻为10Q/口的透光电极。通过溅射ITO(氧化铟 锡)在基底10表面形成阳极1。用纯水和异丙醇对基底10超声清洗10分钟后， 然后将其干燥。 然后将基底10置于真空蒸发系统与2，2'，7,7'-四-(N, N-二苯基氨 基)-9,9，-螺双芴(以下简称"螺-TAD")—起在减压3xl(r5Pa下进行蒸发使厚度变 成150A。因此，在阳极1上形成空穴传输层3。 然后，将4, 4'-N，N，-二咔唑-联苯基(由Nippon Steel Chemical Co., Ltd.制造以下简称"CBP")和作为受电子掺杂剂的Mo03按摩尔比l:l蒸发到 空穴传输层3上形成100A的厚度。因此，在发光层4形成掺杂Mo03的区域 4a。在其上蒸发"CBP"形成100A的厚度，使得在发光层4中形成仅由主体材 料组成的区域4c。"CBP"和作为发光掺杂剂的双(2-苯基苯并噻唑-N,C，)铱(乙酰 丙酮)(bis(2-phenylbenzothiazolate-N，C，) iridium (acetylacetonat))(以下简禾尔
"Bt2Ir(acac)")按重量比96:4蒸发到其上形成厚度300 A ，使得在发光层中形 成掺杂了"Bt2Ir(acac)"的区域4b。上述有机物质每次的蒸发速度为l-2入/s。 然后，将2，9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(由Nippon Steel Chemical Co., Ltd.制造以下简称"BCP")蒸发到上述三层结构的发光层4上形 成厚度100A，从而形成空穴阻挡层(未示出)。三(8-羟基喹啉酸)铝(由Nippon Steel Chemical Co., Ltd.制造，以下简称"Alq3")蒸发到其上形成厚度400 A ，从 而形成电子传输层5。最后，将LiF蒸发到电子传输层5上形成厚度5A，并 且将Al以5A/S的蒸发速度蒸发到其上形成厚度1000 A ，从而形成阴极2。 因此，得到具有图4结构的有机EL元件。 在第二个实施方式中(实施方式2)，将具有如第一个实施方式中 形成的阳极1的基底10置于真空蒸发系统中与4, 4'-双[N, N'-(3-甲苯基)氨 基]-3, 3，-二甲基联苯基(由Nippon Steel Chemical Co., Ltd.制造以下简称 "HMTPD")在减压3xl(T5 Pa下蒸发从而形成厚度450 A 。由此在阳极1上形成 空穴传输层3。 然后，将"CBP"和作为发光掺杂剂的"Bt2Ir(acac)"按重量比96:4 蒸发到空穴传输层3形成厚度300 A ，使得在发光层4中形成掺杂了 "Bt2Ir(acac)"的区域4e。在其上蒸发"CBP"形成厚度100 A ，使得在发光层4 中形成仅由主体材料组成的区域4f。将"CBP"和作为供电子掺杂剂的Cs按摩 尔比1:1蒸发形成厚度IOOA ，从而在发光层4中形成掺杂了 Cs的区域4d。 上述各有机物质的蒸发速度为l-2A/s。然后，双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-苯基酚盐(以下简称"BAlq")蒸发到 上述三层结构的发光层4上形成厚度200A，从而形成电子传输层5。最后， 将LiF蒸发到电子传输层5上形成厚度5 A ，并且将Al以5 A/s的蒸发速度蒸 发到其上形成厚度1000A，从而形成阴极2。由此，得到具有图7结构的有机 EL元件。 在第三个实施方式中(实施方式3)，将具有如第一个实施方式中 形成的阳极1的基底10置于真空蒸发系统中与"螺-TAD"在减压3xl0—Spa下蒸 发从而形成厚度150 A 。由此在阳极1上形成空穴传输层3。 然后，"CBP"和作为受电子掺杂剂的"Mo03"按摩尔比1:1蒸发到 空穴传输层3上形成厚度200 A ，由此在发光层4中形成掺杂了 Mo03的区域 4a。 "CBP"和作为发光掺杂剂的"Bt2Ir(acac)"按重量比96:4蒸发到其上形成厚 度300 A ，使得在发光层4中形成掺杂了"Bt2Ir(acac)"的区域4b。上述各有机 物质的蒸发速度为l-2A/s。 然后，将"BCP"蒸发到上述两层结构的发光层4上形成厚度100 A，从而形成空穴阻挡层(未示出)。"Alq3"蒸发到其上形成厚度400 A ，从而 形成电子传输层5。最后，将LiF蒸发到电子传输层5上，并且将Al以5A/s 的蒸发速度蒸发到其上形成厚度1000A，从而形成阴极2。因此，得到具有图 3结构的有机EL元件。 在比较例1中，将具有如实施方式1中形成的阳极1的基底10 置于真空蒸发系统中与"螺-TAD"在减压3xl0—5 Pa下蒸发从而形成厚度500 A 。 因此在阳极1上形成空穴传输层3。 然后，"CBP"和作为发光掺杂剂的"Bt2Ir(acac)"按重量比96:4蒸 发到空穴传输层3上形成厚度300 A ，使得形成掺杂了 Bt2Ir(acac)的发光层4。 然后，将"BCP"蒸发到发光层4上形成厚度IOOA，从而形成空 穴阻挡层。"Alq3"蒸发到其上形成厚度400 A ，从而形成电子传输层5。最后， 将LiF蒸发到电子传输层5上形成厚度5 A ，并且将Al以5 A/s的蒸发速度蒸 发到其上形成厚度1000A，从而形成阴极2。因此，得到有机EL元件(见图 1)。 在比较例2中，将具有如实施方式1中形成的阳极1的基底10 置于真空蒸发系统中与"HMTPD"在减压3x10—5 Pa下蒸发从而形成厚度450 A 。 因此在阳极1上形成空穴传输层3。 然后，"CBP"和作为发光掺杂剂的"Bt2Ir(acac)"按重量比96:4蒸 发到空穴传输层3上形成厚度300 A ，从而形成掺杂了"Bt2Ir(acac)"的在发光 层4。 然后，将"BAlq"蒸发到发光层4上形成厚度400A，从而形成电 子传输层5。最后，将LiF蒸发到电子传输层5上形成厚度5A，并且将Al 以5A/s的蒸发速度蒸发到其上形成厚度1000A，从而形成阴极2。因此，得 到有机EL元件(见图1)。 实施方式1 3和比较例1和2中所得的有机EL元件接通电源 ("2400"，由KEYTHLEY制造)。使用多通道分析器("CS-1000"，由KONICA
MINOLTA CORP制造)测量电流密度、电压、亮度、电流效率和外量子效率。 亮度用"BM-5A"(由TopconCorp.制造)测量。结果如表1中所示。[表1]
实施方式1实施方式2实施方式3 比较例1 比较例2
电流密度(A/m2) 10 10 10 10 10
电压CV) 6.9 7.2 4.3 6.8 5.0
亮度(cd/m2) 407 210 310 216 23
电流效率(cd/A) 40.6 20.8 3L0 22.4 2.4
外量子效率(％) 12.6 5.9 8.7 7.2 0.7 在每个实施方式中，证实亮度高，且电流效率和外量子效率也高， 如表1中实施方式1与比较例1相比；实施例2与比较例2相比。 虽然本发明参考具体优选的实施方式进行说明，但是本领域技术 人员可以在不超出本发明的精神和范围的条件下进行各种改进和变型。
权利要求
1.一种有机电致发光元件，其包括电极、发光层和用于将空穴或电子传输到发光层的传输层，所述发光层和所述传输层在电极间形成，其中所述发光层含有作为受电子掺杂剂的化合物。
2. 根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中所述发光层具有含有 该化合物的区域。
3. 根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中所述发光层具有含有 该化合物的第一区域和含有作为发光掺杂剂的化合物的第二区域。
4. 根据权利要求2所述的有机电致发光元件，其中所述发光层具有含有 该化合物的第一区域和含有作为发光掺杂剂的化合物的第二区域。
5. 根据权利要求3所述的有机电致发光元件，其中所述发光层进一步具 有仅由发光层主体材料组成的第三区域，所述第三区域设在第一区域和第二区 域之间。
6. 根据权利要求4所述的有机电致发光元件，其中所述发光层进一步具 有仅由发光层主体材料组成的第三区域，所述第三区域设在第一区域和第二区 域之间。
7. 根据权利要求1 6中任一项所述的有机电致发光元件，其中所述作为 受电子惨杂剂的化合物为金属氧化物。
8. 根据权利要求7所述的有机电致发光元件，其中所述金属氧化物选自 由氧化钒、氧化钼、氧化铼和氧化钨组成的组。
9. 一种有机电致发光元件，其包括电极、发光层和用于将空穴或电子传 输到发光层的传输层，所述发光层和所述传输层在电极之间形成，其中所述发 光层含有作为供电子掺杂剂的物质。
10. 根据权利要求9所述的有机电致发光元件，其中所述发光层具有含 有该物质的区域。
11. 根据权利要求9所述的有机电致发光元件，其中所述发光层具有含 有该物质的第一区域和含有作为发光掺杂剂的化合物的第二区域。
12. 根据权利要求10所述的有机电致发光元件，其中所述发光层具有含 有该物质的第一区域和含有作为发光掺杂剂的化合物的第二区域。
13. 根据权利要求ll所述的有机电致发光元件，其中所述发光层进一步 具有仅由发光层主体材料组成的第三区域，所述第三区域设在第一区域和第二 区域之间。
14. 根据权利要求12所述的有机电致发光元件，其中所述发光层进一步 具有仅由发光层主体材料组成的第三区域，所述第三区域设在第一区域和第二 区域之间。
15. 根据权利要求9 14中任一项所述的有机电致发光元件，其中所述 作为供电子掺杂剂的化合物为选自由碱金属、碱土金属和稀土金属组成的组中 的一种或多种金属。
全文摘要
一种有机EL(电致发光)元件，可以在发光层中有效复合空穴和电子，并改善元件的效率和寿命。该元件包括电极1和2、发光层4和向层4传输空穴和电子的传输层3和5。层4含有作为受电子掺杂剂的化合物和/或作为供电子掺杂剂的物质。因此，使得以优化空穴或电子向层4注入的平衡。
文档编号H01L51/50GK101171698SQ20068001601
公开日2008年4月30日 申请日期2006年5月11日 优先权日2005年5月11日
发明者十博也, 小田敦 申请人:松下电工株式会社;财团法人山形县产业技术振兴机构