与上IC封装耦合以形成封装体叠层组件的下IC封装结构以及包括该结构的PoP组件的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种下集成电路(IC)封装，所述下集成电路封装用于与上集成电路封装耦合以形成封装体叠层组件，所述下集成电路封装包括：衬底，具有第一面和相对的第二面；IC管芯，与所述衬底的所述第一面耦合；密封剂，所述密封剂设置在所述管芯的表面的至少一部分之上以及所述衬底的所述第一面的至少一部分之上，所述密封剂具有带圆角的矩形截面轮廓；插入体，具有第一面和相对的第二面，所述插入体的所述第二面面对所述衬底的所述第一面，所述插入体包括具有开口的框架，并且所述密封剂至少部分通过所述开口突出超过所述插入体的所述第二面；若干互连，使所述插入体与所述衬底电耦合；以及多个端子，设置在所述插入体的所述第一面上，所述多个端子用于形成与所述上集成电路封装的电连接。2.根据权利要求1所述的下集成电路封装，还包括用于控制所述密封剂的流动的屏障。3.根据权利要求2所述的下集成电路封装，其中，所述屏障阻止所述密封剂朝向所述若干互连流动。4.根据权利要求2所述的下集成电路封装，其中，所述屏障包括选自由拦截堤、相对于所述密封剂非浸润的涂层、和沟槽构成的组的结构。5.根据权利要求1所述的下集成电路封装，其中，所述IC管芯的表面的一部分基本上无密封剂。6.根据权利要求1所述的下集成电路封装，其中，所述密封剂在所述若干互连中的一个或多个互连的表面的至少一部分之上延伸。7.根据权利要求1所述的下集成电路封装，还包括设置在所述IC管芯和所述衬底的所述第一面之间的底部填充材料，其中，所述密封剂与所述底部填充材料的至少一部分接触。8.根据权利要求1所述的下集成电路封装，还包括用于使所述IC管芯与所述衬底电耦合的若干引线键合，其中，所述密封剂被设置到所述引线键合中的至少一个引线键合之上。9.根据权利要求1所述的下集成电路封装，其中，所述衬底被直接构建到所述IC管芯之上。10.根据权利要求1所述的下集成电路封装，其中，所述多个端子中的至少一个端子包括导电焊盘，所述焊盘能够形成与从所述上集成电路封装延伸出来的导电凸起的电连接。11.根据权利要求1所述的下集成电路封装，还包括设置在所述衬底的所述第二面上的第二多个端子，所述第二多个端子用于使所述下集成电路封装与电路板电耦合。12.一种封装体叠层(PoP)组件，包括：下集成电路(IC)封装，所述下集成电路封装包括：衬底，具有第一面和相对的第二面；IC管芯，与所述衬底的所述第一面耦合；插入体，具有第一面和面对所述衬底的所述第一面的相对的第二面，所述插入体包括具有开口的框架；若干互连，使所述插入体与所述衬底电耦合；以及密封剂，所述密封剂设置在所述管芯的表面的至少一部分之上以及所述衬底的所述第一面的至少一部分之上，所述密封剂具有带圆角的矩形截面轮廓，并且所述密封剂至少部分通过所述开口突出超过所述插入体的所述第二面；上集成电路封装；以及多个互连，用于使所述上集成电路封装与所述插入体的所述第一面电耦合。13.根据权利要求12所述的封装体叠层组件，其中，所述上集成电路封装包括设置在第二衬底上的至少一个IC管芯。14.根据权利要求13所述的封装体叠层组件，还包括：导电焊盘，设置在所述插入体的所述第一面上；其中，所述多个互连中的至少一个互连包括从所述第二衬底延伸出来并与所述导电焊盘耦合的焊料凸起。15.根据权利要求12所述的封装体叠层组件，还包括设置在所述下集成电路封装中以控制所述密封剂的流动的屏障。16.根据权利要求12所述的封装体叠层组件，其中，所述密封剂在所述若干互连中的一个或多个互连的表面的至少一部分之上延伸。17.根据权利要求12所述的封装体叠层组件，其中，所述下集成电路封装的所述衬底被直接构建在所述IC管芯之上。18.根据权利要求12所述的封装体叠层组件，还包括所述下集成电路封装的所述衬底的所述第二面上的多个端子，所述多个端子用于使所述封装体叠层组件与电路板电耦合。