专利名称：Tft-lcd阵列基板及其构成的液晶面板、显示装置和显示设备的制作方法
技术领域：
TFT-LCD阵列基板及其构成的液晶面板、显示装置和显示设备技术领域[0001]本实用新型涉及液晶显示技术，尤其涉及一种薄膜晶体管-液晶显示器 (TFT-LCD)阵列基板及其构成的液晶面板、显示装置和显示设备。
背景技术：
[0002]目前，TFT-1XD阵列基板的栅极扫描线和信号扫描线是相互交错的，二者通过绝缘层和有源层隔离。一般来讲，在TFT-LCD阵列基板结构中，信号流向是驱动信号施加到栅极扫描线上，图像数据信号通过信号扫描线施加到像素电极上。但是，由于所述栅极扫描线和信号扫描线相互距离较近，容易引起电容效应，在实际生产过程中，往往会在两线交错位置处发生信号扫描线断路，以致造成亮线等不良现象。因此，在信号扫描线和栅极扫描线交错位置亟需一种简单易行的预防措施，以减少造成亮线等这类不良现象的发生
实用新型内容
[0003]有鉴于此，本实用新型提供一种TFT-1XD阵列基板及其构成的液晶面板、显示装置和显示设备，以预防信号扫描线断路。[0004]为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的[0005]本实用新型一方面提供一种TFT-LCD阵列基板，包括玻璃基板；分布于所述玻璃基板上TFT阵列和信号扫描线；在所述TFT阵列中的栅极扫描线与所述信号扫描线交错位置处，在所述信号扫描线上形成有两个PVX侧孔、以及将所述两个PVX侧孔连接形成的ITO 引线。[0006]进一步的，所述ITO引线由两个PVX侧孔通过ITO连接形成。[0007]进一步的，所述ITO引线为在所述信号扫描线断路时，用于导通电流的ΓΓ0引线。[0008]进一步的，所述TFT阵列中的栅极扫描线、栅电极形成于所述玻璃基板底层。该 TFT-1XD阵列基板上还包括栅绝缘层，形成于所述栅极扫描线和栅电极之上，并将所述栅极扫描线和栅电极覆盖；有源层，形成于所述栅绝缘层上，并位于所述栅电极之上；TFT沟道图形，形成于所述有源层上。该TFT-LCD阵列基板上进一步包括钝化保护层，形成于所述TFT沟道图形上；ΙΤ0像素电极，形成于所述钝化保护层上。[0009]本实用新型另一方面提供一种液晶面板，包括彩膜基板和上述阵列基板。本实用新型另一方面提供一种显示装置，采用该液晶面板。[0010]本实用新型最后提供一种显示设备，采用上述的阵列基板。[0011]相对于现有技术，本实用新型具有以下优势[0012]本实用新型实施例涉及一种TFT-1XD阵列基板及其构成的液晶面板、显示装置和显示设备，所述TFT-LCD阵列基板的创新之处在于采用双通道的结构，以防止在栅极扫描线和信号扫描线交错的位置处发生断路；而且，所述TFT-LCD阵列基板的形成不需要在现有工艺基础上另行增加掩膜板曝光工艺的数量。[0013]进一步来讲，本实用新型实施例针对在TFT-LCD阵列基板中，栅极扫描线与信号扫描线交错位置处信号扫描线发生断路的现象，设计了一种TFT-1XD阵列基板。该TFT-1XD阵列基板的优势在于在形成钝化保护层的同时，利用光刻技术在信号扫描线上方与栅极扫描线交错位置的两侧形成钝化层侧孔，最后在形成氧化铟锡(ITO)像素电极层时，再利用掩膜板曝光和刻蚀，使得ITO将上述两个PVX侧孔连接。当下层的信号扫描线正常时，电流可以同时由信号扫描线和ITO引线通过；而当下层的信号扫描线被击穿断路时，电流则可以由ITO形成的ITO引线通过。由此可见，本实用新型实施例提供的TFT-1XD阵列基板，能够有效防止栅极扫描线与信号扫描线交错位置的信号扫描线断路。也就是说，即使下层的信号扫描线金属被击穿，电子也能由ITO形成的通道通过，从而降低了亮线等不良现象的发生。
图1为依次在玻璃基板上形成的栅极扫描线、信号 扫描线、源电极和漏电极的示意图；图2为钝化层过孔及钝化层(PVX)侧孔的示意图；图3为PVX侧孔及将其连接形成的ITO引线的示意图。附图标记说明I——栅极扫描线2——信号扫描线3——源电极4——漏电极5——PVX过孔6——PVX侧孔9——ITO像素电极10——ITO引线
具体实施方式
针对TFT-LCD阵列基板结构中，栅极扫描线与信号扫描线交错位置处信号扫描线发生断路的现象，本实用新型实施例提供一种TFT-LCD阵列基板及其构成的液晶面板和显示装置，该TFT-LCD阵列基板通过采用双通道的结构，能够防止在栅极扫描线和信号扫描线的交错位置处发生断路。下面结合图1至图3，对本实用新型实施例的TFT-1XD阵列基板的结构作进一步说明。本实施例中，该TFT-LCD阵列基板包括玻璃基板，以及分布于所述玻璃基板的TFT阵列和信号扫描线2，其中，在该TFT阵列中的栅极扫描线I与信号扫描线2交错位置处，在信号扫描线2上形成有两个PVX侧孔6、以及由两个PVX侧孔6连接形成的ITO引线10，如图3所示。本实施例中，PVX侧孔6和ITO引线10的形成过程如下如图1至3所示，在玻璃基板上形成有TFT-1XD阵列的栅极扫描线1，栅极扫描线I上形成有栅绝缘层，在栅绝缘层上形成有信号扫描线2 ;在信号扫描线2上与栅极扫描线I交错位置的两侧，通过在玻璃基板上形成钝化保护层，并利用光刻技术形成PVX侧孔6，继而沉积ITO薄膜层，再利用掩膜板曝光和刻蚀工艺形成ITO引线10，即该ITO引线10将两个PVX侧孔6连接，形成如图3所示的PVX侧孔6及ITO引线10的图案。在另一优选实施例中，TFT-1XD阵列基板包括玻璃基板，以及分布于所述玻璃基板的TFT阵列和信号扫描线2，其中，在该TFT阵列中的栅极扫描线I与信号扫描线2交错位置处，在信号扫描线2上形成有两个PVX侧孔6、以及由两个PVX侧孔6通过ITO连接形成的ITO引线10。所述ITO引线为在所述信号扫描线断路时，用于导通电流的ITO引线。[0028]其中，TFT阵列中的栅极扫描线I及栅电极形成于所述玻璃基板底层；并且，在栅极扫描线I和所述栅电极之上形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖栅极扫描线I和所述栅电极。在玻璃基板上连续沉积栅绝缘层(SiNx)、半导体层(a-Si)、掺杂半导体层(n+a-Si)， 通过光刻和刻蚀工艺在所述栅电极之上形成有源层图案，所述有源层位于所述栅绝缘层之上，并位于所述栅电极之上。有源层形成后，在玻璃基板上沉积源漏金属薄膜，并通过光刻和刻蚀工艺形成信号扫描线2、源电极3和漏电极4的图案；同时，刻蚀掉暴露的掺杂半导体，形成TFT沟道图形。形成TFT沟道后，在所述TFT沟道上形成钝化保护层，并在形成钝化保护层的同时，通过掩膜板遮光，对漏电极4位置处、信号扫描线2和栅极扫描线I交错位置的两侧进行曝光，再通过显影工艺形成PVX过孔5和两个PVX侧孔6。继而在玻璃基板上沉积ITO薄膜层，再利用掩膜板曝光和刻蚀工艺形成ITO像素电极9同时使得ITO将上述两个PVX侧孔6连接。从而形成ITO引线10。其中，ITO像素电极9，通过PVX过孔5与漏电极4相连。[0029]这样，当下层的信号扫描线2正常时，电流可以同时由信号扫描线2和ITO引线 10通过；而当下层 的信号扫描线2被击穿断路时，电流则可以由ITO形成的ITO引线10通过。[0030]由此可见，本实用新型实施例提供的一种TFT-LCD阵列基板，能够有效防止栅极扫描线I与信号扫描线2交错位置处的断路，即如果下层的信号扫描线2金属被击穿，电流也能由ITO形成的通道——ITO引线10通过，从而降低了亮线等不良现象的发生。[0031]需要指出的是，本实施例的TFT-1XD阵列基板ITO引线10的形成不需要在现有工艺基础上增加掩膜板曝光工艺的数量，进而节省了形成的工艺流程，这是因为两个PVX侧孔6与PVX过孔5同时形成，ITO引线10与ITO像素电极9同时形成。但需要说明的是， PVX和ITO薄膜层的掩膜曝光板(Mask)需要按本实施例的要求来设计和制造，即PVX薄膜层的Mask版图增加侧孔图案，ITO薄膜层的Mask版图增加ITO引线图案。[0032]本实用新型实施例的TFT-1XD阵列基板可以采用下述方法制造得出[0033]步骤1:在玻璃基板上沉积栅金属薄膜，并通过光刻和刻蚀工艺形成栅电极和栅极扫描线I图案；[0034]步骤2 :在形成有栅电极和栅极扫描线图案的玻璃基板上，连续沉积栅绝缘层 (SiNx)、半导体层(a-Si)、掺杂半导体层(n+a-Si)，通过光刻和刻蚀工艺在栅电极之上形成有源层硅岛图案；[0035]步骤3 :在栅电极之上形成有有源层硅岛图案的玻璃基板上，沉积源漏金属薄膜， 并通过光刻和刻蚀工艺形成信号扫描线、源电极3和漏电极4的图案，同时刻蚀掉暴露的掺杂半导体，形成TFT沟道图形；[0036]以上步骤与一般的TFT阵列制造工艺类似。[0037]步骤4 :在完成步骤3的玻璃基板上形成钝化保护层，通过掩膜板遮光，对漏电极4 位置处以及信号扫描线2和栅极扫描线I交错位置的两侧进行曝光，再通过显影工艺形成 PVX过孔5和两个PVX侧孔6 ；[0038]步骤5 :在完成步骤4的玻璃基板上沉积透明ITO薄膜，并通过光刻和刻蚀工艺形成ITO像素电极9的图案和ITO引线10的图案，该ITO引线10将两个PVX侧孔6连接。这样，形成的TFT-LCD阵列基板在信号扫描线2和栅极扫描线I交错位置为电流提供了两个通道，使得当传统的信号扫描线2通道发生断路时，电流仍然可以由ITO引线10通道通过，降低了亮线等不良现象发生的几率。根据本实用新型的另一个方面，本实用新型实施例还提供一种液晶面板，该液晶面板包括彩膜基板和阵列基板，其中所述阵列基板为上述任一实施例中所述的TFT-LCD阵列基板。根据本实用新型的另一个方面，本实用新型实施例还提供一种显示装置，该显示装置采用上述实施例中所述的液晶面板。根据本实用新型的另一个方面，本实用新型实施例还提供一种显示设备，显示设备采用述任一实施例中所述的TFT-LCD阵列基板。 以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种TFT-LCD阵列基板，包括玻璃基板；分布于所述玻璃基板上TFT阵列和信号扫描线；其特征在于，在所述TFT阵列中的栅极扫描线与所述信号扫描线交错位置处，在所述信号扫描线上形成有两个PVX侧孔、以及将所述两个PVX侧孔连接形成的ITO引线。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述ITO引线由两个PVX侧孔通过ITO连接形成。
3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述ITO引线为在所述信号扫描线断路时，用于导通电流的ITO引线。
4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列中的栅极扫描线、栅电极形成于所述玻璃基板底层。
5.根据权利要求4所述的TFT-1XD阵列基板，其特征在于，该TFT-1XD阵列基板上还包括 栅绝缘层，形成于所述栅极扫描线和栅电极之上，并将所述栅极扫描线和栅电极覆盖； 有源层，形成于所述栅绝缘层上，并位于所述栅电极之上； TFT沟道图形，形成于所述有源层上。
6.根据权利要求5所述的TFT-1XD阵列基板，其特征在于，该TFT-1XD阵列基板上还包括 钝化保护层，形成于所述TFT沟道图形上； ITO像素电极，形成于所述钝化保护层上。
7.一种液晶面板，包括彩膜基板和阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至6任一项所述的TFT-1XD阵列基板。
8.—种显示装置，其特征在于，采用权利要求7所述的液晶面板。
9.一种显示设备，其特征在于，采用权利要求1至6任一项所述的TFT-1XD阵列基板。
专利摘要本实用新型公开了一种TFT-LCD阵列基板及其构成的液晶面板、显示装置和显示设备，该TFT-LCD阵列基板包括玻璃基板、分布于所述玻璃基板上TFT阵列和信号扫描线；其中，在所述TFT阵列中的栅极扫描线与所述信号扫描线交错位置处，在所述信号扫描线上形成有两个PVX侧孔、以及由所述两个PVX侧孔连接形成的ITO引线。本实用新型公开的液晶面板、显示装置和显示设备采用了上述的TFT-LCD阵列基板。因此，本实用新型能够有效防止栅极扫描线与信号扫描线交错位置处的断路，从而降低了亮线等不良现象的发生。
文档编号H01L27/12GK202839612SQ20122038912
公开日2013年3月27日 申请日期2012年8月7日 优先权日2012年8月7日
发明者卢凯, 宋省勳, 朱海波 申请人:北京京东方光电科技有限公司