半导体装置的制造方法和半导体装置制造方法
半导体装置的制造方法和半导体装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。为了增强半导体装置的可靠性，半导体装置包括：管芯焊盘，第一半导体芯片和第二半导体芯片分别安装在其上；多个支撑腿，其支撑管芯焊盘中的每一个；多个内部引线和外部引线，其布置在管芯焊盘周围；多个导线，其将半导体芯片电耦合到内部引线；以及密封体，其密封半导体芯片、内部引线和导线。管芯焊盘中的每一个被与管芯焊盘一起一体地形成的三个支撑腿支撑，并且每对三个支撑腿中的第二支撑腿中的每一个被布置在彼此相邻的内部引线之间。
【专利说明】半导体装置的制造方法和半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]将2012年9月7日提交的日本专利申请N0.2012-197142的公开，包括说明书、附图和摘要，以其整体通过引用方式并入本文。
【技术领域】
[0003]本发明涉及半导体装置和该半导体装置的制造方法，并且涉及(例如)包括支撑管芯焊盘(die pad)的支撑腿(support pin)的半导体装置和被应用于组装该半导体装置的有效技术。
【背景技术】
[0004]例如，作为引线框架装置，日本未审查专利申请公开(PCT申请的译文)N0.2002-505523 (专利文献1)公开了一种包括由第一材料制成的引线框架、许多引线和由第二材料制成的管芯焊盘的结构。
【发明内容】
[0005]在包括支撑上面安装有半导体芯片的管芯焊盘(也被称作“岛”)的支撑腿(也被称作“支撑引线”)的半导体装置(半导体封装)中，支撑腿被布置在(例如)管芯焊盘的角部处或相对边上并且适当地支撑管芯焊盘。
[0006]另外，在具有为了安装多个半导体芯片而按行布置多个管芯焊盘的结构的半导体装置中，通过使用与外部引线连接的引线作为管芯焊盘的支撑腿，每个管芯焊盘可以由三个支撑腿支撑(被三个点支撑)，因此确保了管芯接合(die bonding)、导线接合(wirebonding)等的可靠性。
[0007]然而，当为了半导体装置的功能增强而在不改变半导体装置主体的尺寸(外观尺寸)的情况下尝试增加引脚数量时，必须通过减少支撑管芯焊盘的支撑腿的数量来提供用于信号的独立引线，因此支撑腿的数量减少并且管芯焊盘被两个点支撑。
[0008]结果，管芯焊盘的支撑状态变得不稳定。因此，如果在半导体器件的组装过程中向管芯焊盘施加外部负载，则管芯焊盘变形或者在垂直方向上震动，因此可能在该过程中出现麻烦，或者半导体芯片和导线受损。
[0009]也就是说，在管芯接合过程和导线接合过程中，可能因为管芯焊盘垂直地移动(震动)并且没有向管芯焊盘施加充分负载而出现接合失效，或者在树脂模制过程中，管芯焊盘垂直地移动(震动)，因此半导体芯片和导线受损，从而导致导线断开等失效。
[0010]注意的是，在专利文献1中公开的引线框架装置中，粘合杆(binding bar)(支撑腿)由第一材料制造，并且管芯焊盘由第二材料制造。因此，引线框架装置具有如下的框架结构:支撑腿和管芯焊盘由不同材料形成，此后将支撑腿和管芯焊盘彼此耦合。
[0011]在这种框架结构中，在管芯焊盘中需要针对支撑腿的耦合部分，因此管芯焊盘不得不比芯片尺寸大得多。也就是说，管芯焊盘不能减小至与芯片一样小的尺寸，因此不可以采用以上的框架结构，即，在小半导体装置中，支撑腿和管芯焊盘被形成为不同部分，此后将它们彼此耦合。
[0012]本申请中公开的实施例的目的在于提供一种能够增强半导体装置可靠性的技术。
[0013]从本说明书的描述和附图，其它问题和新特征将变得清楚。
[0014]根据实施例的一种半导体装置的制造方法包括以下步骤:设置引线框架，该引线框架包括多个管芯焊盘和多个支撑腿；将半导体芯片安装在管芯焊盘上；通过导线将半导体芯片的电极焊盘电耦合到内部引线；以及形成密封支撑腿、半导体芯片和导线的密封体。此外，在该半导体装置的制造方法中，支撑腿包括第一支撑腿、第二支撑腿和第三支撑腿，该第一支撑腿与该外部引线连接，该第二支撑腿布置在该内部引线中的两个之间并且与联结杆(tie bar)连接，该第三支撑腿连接到该管芯焊盘的与连接该第一支撑腿和该第二支撑腿的边不同的边。该第一支撑腿、该第二支撑腿和第三支撑腿与该管芯焊盘中的每一个一起一体地形成。
[0015]根据上述的实施例，可以增强半导体装置的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是示出透过密封体看到的实施例的半导体装置结构的例子的平面图；
[0017]图2是示出沿着图1中的A-A线截取的结构的例子的剖视图；
[0018]图3是示出沿着图1中的B-B线截取的结构的例子的剖视图；
[0019]图4是示出图1中示出的半导体装置的组装工序的例子的流程图；
[0020]图5是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图；
[0021]图6是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图；
[0022]图7是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图；
[0023]图8是示出在组装图1中示出的半导体装置时使用的引线框架的结构的例子的放大局部平面图；
[0024]图9是示出图8中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；
[0025]图10是示出在组装图1中示出的半导体装置时的封装分离过程中分离第二支撑腿的方法的例子的放大局部平面图；
[0026]图11是示出在组装图1中示出的半导体装置时(在注入树脂之前)分离第二支撑腿的方法的第一修改形式的局部平面图；
[0027]图12是示出图11中的D部分的结构的放大局部平面图；
[0028]图13是示出在组装图1中示出的半导体装置时(在注入树脂之后)分离第二支撑腿的方法的第一修改形式的局部平面图；
[0029]图14是示出图13中的G部分的结构的放大局部平面图；
[0030]图15是示出图14的详细结构的放大局部平面图；
[0031]图16是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第二修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；
[0032]图17是示出图16中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；
[0033]图18是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第三修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；[0034]图19是示出图18中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；
[0035]图20是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第四修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；
[0036]图21是示出图20中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；
[0037]图22是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第五修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图和局部剖视图；
[0038]图23是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第六修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；
[0039]图24是示出沿着图23中的A_A线截取的结构的剖视图；以及
[0040]图25是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第七修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图和局部剖视图。
【具体实施方式】
[0041]在下述的实施例中，除非特别要求，否则不再重复对相同或类似部分的描述。
[0042]此外，如果必要的话，为了方便起见，将把下面的实施例分成多个部分或实施例来说明。除了特别清楚示出的情况之外，这些部分或实施例是相互不相关的并且具有一个是诸如另一个的部分或全部的修改形式、细节和补充说明的关系。
[0043]在下面的实施例中，当引用要素等的数量(包括数量、数值、量、范围等)时，它们可以不限于特定数量，而是可以大于或小于特定数量，除了特别清楚指出和理论上明显限于特定数量的情况之外。
[0044]此外，在下面的实施例中，不用说，要素(包括要素步骤等)不一定是不可缺少的，除了具体地清楚指出和从理论观点看明显不可缺少的情况之外。
[0045]在下面的实施例中，关于要素等，不用说，“包含A”、“由A组成”、“具有A”以及“包括A”不排除除了 A之外的要素，除了清楚指出要素只是A的情况之外。类似地，在下面的实施例中，当引用要素等的形状、位置关系等时，应该包括与该形状基本上相似或类似的形状，除了特别清楚指出和从理论观点看明显被视为不正确的情况之外。这种陈述还应用于上述的数值和范围。
[0046]下文中，将基于【专利附图】
【附图说明】实施例。在所有用于说明实施例的附图中，为相同的构件赋予相同的符号并且省略其重复说明。为了使附图易于理解，即使是平面图，也可以附带阴影。
[0047](实施例)
[0048]图1是示出透过密封体看到的实施例的半导体装置结构的例子的平面图。图2是示出沿着图1中的A-A线截取的结构的例子的剖视图。图3是示出沿着图1中的B-B线截取的结构的例子的剖视图。
[0049]图1至图3中示出的实施例的半导体装置是通过使用下述图8中示出的双岛型引线框架3组装的框架型半导体封装。在本实施例中，作为以上提及的半导体装置的例子，采用树脂密封型8引脚SOP (Small Outline Package:小外形封装)7并且将描述S0P7的制造方法。也就是说，本实施例的半导体装置包括多个管芯焊盘(岛、突出部(tab))，并且在本实施例中，将采用并描述包括两个管芯焊盘的S0P7。[0050]首先，将参照图1至图3描述S0P7的结构。S0P7包括:半导体芯片1，其中形成有半导体元件(半导体集成电路)Id ;半导体芯片2，其中形成有半导体元件2d ;管芯焊盘3a，其上安装半导体芯片1 ;以及管芯焊盘3h，其上安装半导体芯片2。
[0051]也就是说，作为两个芯片安装部分的管芯焊盘3a和管芯焊盘3h并排布置，并且经由由焊料膏形成的管芯接合膏5将半导体芯片1安装在管芯焊盘3a的上表面3aa上。相比之下，经由由焊料膏形成的相同管芯接合膏5将半导体芯片2安装在管芯焊盘3h的上表面3ha上。
[0052]此外，S0P7包括布置在管芯焊盘3a和3h周围的多个(六个)内部引线3b、与内部引线3b —起一体形成的多个(八个)外部引线3c和将半导体芯片1和2电耦合到内部引线3b的多个导线6。
[0053]也就是说，在本实施例的S0P7中，经由导线6电耦合到电极焊盘lc和2c的引线被定义为内部引线3b，并且存在与导线6耦合的六个内部引线3b，并且六个内部引线3b连接到外部引线3c。
[0054]另外，支撑芯片3a或3h的三个支撑腿中的第一支撑腿3d和3i分别耦合到外部引线3c。因此，存在总共八个外部引线3c，包括与内部引线3b耦合的六个外部引线3c和与第一支撑腿3d和3i耦合的两个外部引线3c。
[0055]注意的是，外部引线3c没有连接到第二支撑腿3e、第三支撑腿3f、第二支撑腿3j和第三支撑腿3k。
[0056]另外，如图1和图2中所示，形成在半导体芯片1的前表面(主表面)la上的多个电极焊盘lc分别通过多个导线6电耦合到与电极焊盘lc对应的多个内部引线3b。相比之下，形成在半导体芯片2的前表面(主表面)2a上的多个电极焊盘2c分别通过多个导线6电耦合到与电极焊盘2c对应的多个内部引线3b。
[0057]注意的是，由于S0P7是导线接合型，因此半导体芯片1在主表面(前表面)la面朝上的情况下被面朝上安装在管芯焊盘3a的上表面3aa上。
[0058]也就是说，经由管芯接合膏5将管芯焊盘3a的上表面3aa和被布置成面对上表面3aa的半导体芯片1的后表面lb彼此f禹合。
[0059]相比之下，半导体芯片2在主表面(前表面)2a面朝上的情况下被面朝上安装在管芯焊盘3h的上表面3ha上。也就是说，经由管芯接合膏5将管芯焊盘3h的上表面3ha和被布置成面对上表面3ha的半导体芯片2的后表面2b彼此f禹合。
[0060]此外，形成在半导体芯片1的前表面la上的电极焊盘lc经由导线6分别电耦合到内部引线3b。由此，半导体芯片1、内部引线3b和用作外部端子的外部引线3c彼此电耦
八
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[0061]也就是说，导线6的每个的一端电耦合到半导体芯片1的电极焊盘lc。相比之下，导线6的每个的另一端电耦合到与每个导线6对应的内部引线3b。以相同方式，形成在半导体芯片2的前表面2a上的电极焊盘2c也经由导线6分别电耦合到内部引线3b。由此，半导体芯片2、内部引线3b和用作外部端子的外部引线3c彼此电耦合。
[0062]另外，导线6的每个的一端电耦合到半导体芯片2的电极焊盘2c。相比之下，导线6的每个的另一端电耦合到与每个导线6对应的内部引线3b。
[0063]此外，管芯焊盘3a和3h分别具有平面图是大致矩形的上表面3aa和3ha，并且分别具有与上表面3aa和3ha相对的下表面3ab和3hb，管芯焊盘3a和3h中的每一个由三个支撑腿支撑。
[0064]也就是说，管芯焊盘3a由与外部引线3c连接的第一支撑腿3d、布置在彼此相邻的两个内部引线3b之间的第二支撑腿3e和另一个第三支撑腿3f支撑。以相同方式，管芯焊盘3h也由与外部引线3c连接的第一支撑腿31、布置在彼此相邻的两个内部引线3b之间的第二支撑腿3j和另一个第三支撑腿3k支撑。
[0065]注意的是，管芯焊盘3a的上表面3aa包括第一边3ac、第二边3ad、第三边3ae和第四边3af，并且第一支撑腿3d连接到第一边3ac并且第二支撑腿3e连接到与第一边3ac相反的第二边3ad。此外，第三支撑腿3f耦合到与第一支撑腿3d连接到的第一边3ac和第二支撑腿3e连接到的第二边3ad都不同的第三边3ae。
[0066]相比之下，以与管芯焊盘3a中相同的方式，管芯焊盘3h的上表面3ha包括第一边3hc、第二边3hd、第三边3he和第四边3hf，并且第一支撑腿3d连接到第一边3hc并且第二支撑腿3 j连接到与第一边3hc相反的第二边3hd。此外，第三支撑腿3k连接到与第一支撑腿3i连接到的第一边3ac和第二支撑腿3j连接到的第二边3hd都不同的第三边3he。
[0067]此外，第一支撑腿3d、第二支撑腿3e和第三支撑腿3f与管芯焊盘3a —起一体地形成。相比之下，第一支撑腿31、第二支撑腿3j和第三支撑腿3k与管芯焊盘3h —起一体地形成。
[0068]注意的是，没有支撑腿连接到管芯焊盘3a的第四边3af和管芯焊盘3h的第四边3hf,并且管芯焊盘3a和管芯焊盘3h被布置成使得第四边3af和第四边3hf彼此面对。
[0069]另外，本实施例的S0P7由随后描述的图6中示出的密封树脂8形成并且包括半导体芯片1和2、管芯焊盘3a和3h、导线6、内部引线3b和密封每个支撑腿(3d、3e、3f、31、3j和3k)的密封体4。
[0070]同时，优选的是，支撑管芯焊盘3a的第二支撑腿3e和支撑管芯焊盘3h的第二支撑腿3j被终止在密封体内部。这是因为，在随后描述的半导体装置的组装过程中的将支撑腿与引线框架3分离的过程中，采用了通过密封过程中的树脂注入压力扯断第二支撑腿3e和3j并且此后通过树脂覆盖第二支撑腿3e和3j的顶端的组装方法。
[0071]因此，在S0P7中，各个第二支撑腿3e和3j的顶端被掩埋在密封体4内部。然而，第三支撑腿3f和3k略微暴露于密封体4的外部，如图3中所示，因为在组装过程中将支撑腿与引线框架3分离的过程中，采用了在树脂密封过程之后切断第三支撑腿3f和3k的组装方法。
[0072]注意的是，至于将第二支撑腿3e和3j与引线框架3分离的方法，可以采用以与第三支撑腿3f和3k相同的方式，在树脂密封过程之后切断第二支撑腿3e和3j的方法，并且在这种情况下，第二支撑腿3e和3j以与第三支撑腿3f和3k相同的方式略微暴露于密封体4的外部。
[0073]这里，内部引线3b、外部引线3c、支撑腿和管芯焊盘3a和3h由薄板构件形成，该薄板构件由例如铜合金、铁-镍合金等形成。另外，密封体4包括例如热固性环氧树脂并且在树脂密封过程中形成。
[0074]例如，导线6是金(Au)导线或铜(Cu)导线。
[0075]此外，由于如图2中所示半导体装置是S0P7，所以分别与内部引线3b —起一体形成的外部引线3c在彼此相反的两个方向上从密封体4的侧表面向外突出，并且外部引线3c中的每一个弯曲并且形成为鸥翼形状。
[0076]接下来，将参照图4中示出的流程图，描述本实施例的半导体装置(S0P7)的组装。也就是说，在本实施例中，作为半导体装置的例子，将描述8引脚双岛型S0P7的组装。
[0077]图4是示出图1中示出的半导体装置的组装工序的例子的流程图。图5是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图。图6是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图，并且图7是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图。另夕卜，图8是示出在组装图1中示出的半导体装置时使用的引线框架的结构的例子的放大局部平面图。图9是示出图8中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图。图10是示出在组装图1中示出的半导体装置时的封装分离过程中分离第二支撑腿的方法的例子的放大局部平面图。
[0078]首先，执行图4和图5中的步骤S1中示出的设置引线框架。在本实施例中，如图8中所示，设置引线框架3，在引线框架3中，设置两个管芯焊盘(岛)3a和3h以及分别支撑两个管芯焊盘3a和3h的两对各三个支撑腿。此外，引线框架3设置有布置在两个管芯焊盘3a和3h周围的内部引线3b、分别与内部引线3b连接的外部引线3c和将外部引线彼此率禹合的联结杆(tie bar) 3g。
[0079]布置在外部引线阵列的末端部分的每个外部引线3c通过联结杆3g连接到框架部分3q。
[0080]这里，管芯焊盘3a和管芯焊盘3h并排布置，并且分别具有平面图是大致矩形的上表面3aa和3ha，并且分别具有与上表面3aa和3ha相反的下表面3ab和3hb (参见图3)。管芯焊盘3a和3h中的每一个由三个支撑腿支撑。也就是说，管芯焊盘3a和3h中的每一个被支撑腿支撑于三个点。
[0081]具体地讲，如图8中所示，管芯焊盘3a由与外部引线3c连接的第一支撑腿3d、布置在彼此相邻的两个内部引线3b之间并且与联结杆3g连接的第二支撑腿3e和与框架部分3q连接的第三支撑腿3f支撑。以相同方式，管芯焊盘3h也由与外部引线3c连接的第一支撑腿31、布置在彼此相邻的两个内部引线3b之间并且与联结杆3g连接的第二支撑腿3j和与框架部分3q连接的第三支撑腿3k支撑。
[0082]注意的是，第一支撑腿3d、第二支撑腿3e和第三支撑腿3f与管芯焊盘3a —起一体地形成。相比之下，第一支撑腿31、第二支撑腿3j和第三支撑腿3k与管芯焊盘3h —起一体地形成。
[0083]另外，管芯焊盘3a的上表面3aa包括第一边3ac、第二边3ad、第三边3ae和第四边3af，并且第一支撑腿3d耦合到第一边3ac并且第二支撑腿3e耦合到与第一边3ac相反的第二边3ad。此外，第三支撑腿3f连接到与连接第一支撑腿3d的第一边3ac和连接第二支撑腿3e的第二边3ad都不同的第三边3ae。
[0084]相比之下，以与管芯焊盘3a相同的方式，管芯焊盘3h的上表面3ha包括第一边3hc、第二边3hd、第三边3he和第四边3hf，并且第一支撑腿3i连接到第一边3hc并且第二支撑腿3j连接到与第一边3hc相反的第二边3hd。此外，第三支撑腿3f连接到与连接第一支撑腿3i的第一边3hc和连接第二支撑腿3j的第二边3hd都不同的第三边3he。
[0085]注意的是，没有支撑腿连接到管芯焊盘3a的第四边3af和管芯焊盘3h的第四边3hf,并且管芯焊盘3a和管芯焊盘3h被布置成使得第四边3af和第四边3hf彼此面对。
[0086]这里，通过由例如铜合金、铁-镍合金等形成的薄板构件形成包括内部引线3b、夕卜部引线3c、支撑腿、管芯焊盘3a和3h、联结杆3g、框架部分3q等的引线框架3。
[0087]如上所述，在本实施例的弓|线框架3中，两个管芯焊盘3a和3h中的每一个具有由三个支撑腿形成的三点支撑构造，并且如图8中的A部分中所示，两对各三个支撑腿中包括的第二支撑腿3e和3j中的每一个布置在彼此相邻的两个内部引线3b之间并且与联结杆3g耦合。此外，这两对各三个支撑腿分别与管芯焊盘3a和3h —起一体地形成。
[0088]这里，将参照图9描述本实施例的引线框架3中的两个管芯焊盘3a和3h的支撑形式的平衡(稳定程度)。图9示出在本实施例的引线框架3中管芯焊盘3a和3h的支撑位置之间的平衡，管芯焊盘3a和3h中的每一个被三个点支撑。在管芯焊盘3a和3h中的每一个中，通过使用支撑位置作为点，形成三角形，并且评价三角形的形状是否很好地平衡(三角形的形状是否具有极其尖锐的角)。
[0089]如图9中所示，管芯焊盘3a的三角形A和管芯焊盘3h的三角形B两者的三角形形状很好地平衡，因此可以发现，管芯焊盘3a和3h处于高稳定程度的支撑状态。
[0090]在设置引线框架之后，执行图4和图5中的步骤S2中示出的管芯接合。在管芯接合过程中，首先，执行图5中的S2-1中示出的管芯接合膏涂布。也就是说，用焊料膏即管芯接合膏5涂布引线框架3的管芯焊盘3a和3h。此外，执行图5中的S2-2中示出的芯片安装。
[0091]这里，如图3中所示，经由管芯接合膏5将半导体芯片1安装在管芯焊盘3a的上表面3aa上，并且经由管芯接合膏5将半导体芯片2安装在管芯焊盘3h的上表面3ha上。注意的是，如图1中所示，在半导体芯片1的前表面la上形成电极焊盘lc并且在半导体芯片2的前表面2a上形成电极焊盘2c。
[0092]当安装芯片时，向半导体芯片1和2施加预定负载。然而，由于本实施例的引线框架3的管芯焊盘3a和3h中的每一个被三个支撑腿高稳定性地支撑于三个点，因此可以减小管芯焊盘3a和3h的垂直移动(震动)。
[0093]在完成管芯接合之后，执行图4和图6中的步骤S3中示出的导线接合。在导线接合过程中，如图1中所示，半导体芯片1的电极焊盘lc和半导体芯片2的电极焊盘2c经由导线6电耦合到与每个电极焊盘对应的内部引线3b。
[0094]即使在导线接合时，向半导体芯片1和2施加预定的负载或超声波。然而，由于本实施例的引线框架3的管芯焊盘3a和3h中的每一个被三个支撑腿高稳定性地支撑于三个点，因此可以减小导线接合时管芯焊盘3a和3h的垂直移动(震动)。
[0095]在完成导线接合之后，执行图4和图6中的步骤S4中示出的树脂密封(树脂模制)。也就是说，用图6中示出的密封树脂8密封支撑腿、半导体芯片1和2、管芯焊盘3a和3h、内部引线3b和导线6，并且形成密封体4。
[0096]此时，导线接合到的引线框架3被作为工件布置在树脂模制模具9的下模制模具9a上，然后由下模制模具9a和上模制模具9b夹住引线框架3，此外，通过将密封树脂8注入到由下模制模具9a和上模制模具9b形成的腔体9c中，执行树脂密封。
[0097]即使在树脂密封过程中注入树脂时，由于注入树脂导致的压力被施加到半导体芯片1和2及管芯焊盘3a和3h。然而，由于本实施例的引线框架3的管芯焊盘3a和3h中的每一个被三个支撑腿高度稳定地支撑于三个点，因此可以减小注入树脂时管芯焊盘3a和3h的垂直移动(震动)。
[0098]在完成树脂密封之后，执行图4和图7中的步骤S5中示出的后期固化。也就是说，在树脂密封过程等中形成的密封体4被加热处理和固化。
[0099]在完成后期固化之后，执行图4中的步骤S6中示出的修边/外部镀覆(deburring/external plating)。也就是说,去除在树脂密封过程等中形成的树脂毛边等，并且向外部引线3c等应用外部镀覆。
[0100]在完成修边/外部镀覆之后，执行图4和图7中的步骤S7中示出的封装分离/引线修整成形(trim and form)。也就是说，如图7中所示，夕卜部引线3C中的每一个被切断并且与引线框架3分离，并且将每个外部引线3c弯曲和成形。在本实施例中，每个外部引线3c弯曲并且形成为鸥翼形状。
[0101]在封装分离过程中，如图10中所示，首先，通过联结杆剪切冲头10切断彼此相邻的外部引线3C之间的联结杆3g (A部分)，同时，通过联结杆剪切冲头10切断第二支撑腿3e和3j (B部分和C部分)。
[0102]g卩，由于第二支撑腿3e和3j都连接到联结杆3g，因此可以通过联结杆剪切冲头10将第二支撑腿3e和3j连同联结杆3g —起切断。也就是说，在联结杆切断过程中，第二支撑腿3e和3j可以容易地被切断而不被留下。
[0103]在封装分离/引线修整成形之后，执行图4中的步骤S8中示出的特性筛选。也就是说，对组装后的S0P7执行电特性测试并且确定缺陷产品或非缺陷产品。
[0104]在特性筛选之后，对被确定为非缺陷产品的S0P7执行步骤S9中示出的打标(marking)。这里，例如，在密封体4的前表面上标记诸如产品的型号等的信息。
[0105]在打标之后,执行图4中的步骤S10中示出的编带(taping)并且进一步地执行步骤S11中示出的包装/运输。
[0106]根据本实施例的半导体装置的制造方法和半导体装置，两对支撑管芯焊盘3a和3h的三个支撑腿包括第一支撑腿3d和31、第二支撑腿3e和3j及第三支撑腿3f和3k，此夕卜，第一支撑腿3d和31、第二支撑腿3e和3j及第三支撑腿3f和3k中的每一个与两个管芯焊盘3a和3h中的每一个一起一体地形成。由此，管芯焊盘3a和3h中的每一个被支撑于三个点，因此可以减小组装过程中管芯焊盘3a和3h中的每一个的垂直移动(震动)。
[0107]也就是说，管芯焊盘3a和3h中的每一个被以平衡方式支撑于三个点，因此可以在管芯接合过程、导线接合过程等中减小管芯焊盘3a和3h中的每一个的垂直移动(震动)。由此，可以施加足够的负载以用于接合，因此可以抑制出现接合失效。
[0108]由于管芯焊盘被以平衡方式支撑于三个点，因此可以减小在树脂密封过程中注入树脂时管芯焊盘的垂直移动(震动)。结果，在注入树脂时，可以减小对半导体芯片和导线的损害，因此可以抑制出现诸如导线断开的缺陷。
[0109]结果，可以增强半导体装置的可靠性。
[0110]通过将第二支撑腿3e和3j布置在内部引线之间，可以增加半导体装置的引脚的数量，而不改变半导体装置主体的尺寸(外观尺寸)，因此也可以应对半导体装置的功能增强。也就是说，通过将布置在内部引线3b之间的第二支撑腿3e和3j中的每一个连接到联结杆3g，可以在不使用信号引脚的情况下支撑管芯焊盘3a和3h。[0111]由此，可以增加信号引脚的数量，从而可以增强半导体装置的功能。
[0112]此外，通过将第二支撑腿3e和3 j中的每一个布置在内部引线3b之间，可以确保彼此相邻的内部引线3b之间的距离，因此可以防止内部引线3b之间产生迁移。
[0113]注意的是，当半导体装置是小半导体装置时，在内部引线3b的第二接合部分(针脚式接合部分)中需要用于执行导线接合的区域，因此不可以让管芯焊盘3a和3h的外围靠近密封体4的外围。也就是说，不可以将管芯焊盘3a和3h中的每一个形成为比半导体芯片1和2大得多。因此，就支撑腿和管芯焊盘被形成为不同部分并且此后将它们耦合在一起的框架结构而言，需要在管芯焊盘中设置针对支撑腿的耦合部分。然而，不可以将管芯焊盘形成为比半导体芯片1和2大得多，结果，在管芯焊盘中没有用于提供耦合部分的空间，从而难以采用以上的框架结构。
[0114]然而，在本实施例的半导体装置中，两对各三个支撑腿分别与管芯焊盘3a和3h —起一体地形成，因此不需要设置耦合部分。因此，管芯焊盘3a和3h可以与芯片尺寸一样小。结果，可以应对半导体装置(S0P7)的尺寸减小。
[0115]此外，在支撑腿和管芯焊盘被形成为不同部分的框架结构中，引线框架由两种类型的材料形成。因此,成本高并且还需要将支撑腿和管芯焊盘彼此耦合的加工成本,从而半导体装置的成本进一步增加。
[0116]此外，也在将支撑腿和管芯焊盘彼此耦合时确保耦合精度时，管芯焊盘的尺寸需要比芯片尺寸大得多，因此以上的框架结构不能应用于小半导体装置。
[0117]接下来，将描述本实施例的修改形式。
[0118]图11是示出在组装图1中示出的半导体装置时(在注入树脂之前)分离第二支撑腿的方法的第一修改形式的局部平面图。图12是示出图11中的D部分的结构的放大局部平面图。图13是示出在组装图1中示出的半导体装置时(在注入树脂之后)分离第二支撑腿的方法的第一修改形式的局部平面图。图14是示出图13中的G部分的结构的放大局部平面图。图15是示出图14的详细结构的放大局部平面图。
[0119]图11至图15中示出的第一修改形式示出布置在彼此相邻的内部引线3b之间的第二支撑腿3e和3j的分离方法的修改形式，第一修改形式不同于在如图10中所示的树脂密封之后在联结杆切断过程中将支撑腿连同联结杆3g —起切断的方法，并且第一修改形式是通过利用树脂密封过程中的树脂注入压力扯断支撑腿来分离支撑腿的方法。也就是说，在树脂密封过程中，用图13中示出的密封树脂8填充联结杆3g的内部，因此使用密封树脂8作用到联结杆3g上的压力。当注入树脂时，联结杆3g受密封树脂8的压力而受压并变形，并且通过联结杆3g变形而扯断与联结杆3g连接的第二支撑腿3e和3 j。
[0120]具体地讲，首先，如图11和图12中所示，在将图13的密封树脂8注入图6中的设置模制模具9之前，将块构件11布置在联结杆3g的外部，使其间设置距离联结杆3g的距离为E的间隙12。此时，如图12中所示，当因密封树脂8的压力而变形的联结杆3g的可容许变形量被定义为E时，可以通过块构件11和联结杆3g之间的间隙12的距离E，设置联结杆3g的变形量。
[0121]另外，通过将距离E设置为等于或大于第二支撑腿3e和3j的图11中的扯断部分3r和通过树脂密封形成的图12中的密封体4的外围(模制件的轮廓)之间的距离F(E>=F)，可以从密封体4的外围内部扯断支撑腿。[0122]此外，由于联结杆3g的最大变形量是距离E，因此可以防止联结杆3g的变形大于必须量。
[0123]注意的是，如图12中的Η部分中所示，没有连接支撑腿的联结杆3g不需要变形，因此块构件11布置在略微接触联结杆3g的位置，而与联结杆3g没有形成间隙。
[0124]此外，如图12中的部分I中所示，优选的是，在靠近第二支撑腿3e和3j顶端的图11中示出的扯断部分3r中，形成凹槽部分3p (例如，V形凹槽)、台阶部分或切口，使得切断部分3r的横截面面积减小。通过在靠近第二支撑腿3e和3j顶端的扯断部分3r中形成凹槽部分3p、台阶部分或切口，当扯断第二支撑腿3e和3j时，可以容易地扯断支撑腿并且可以减小施加到支撑腿3e和3j的应力。
[0125]优选的是，第二支撑腿3e和3j的扯断部分3r形成在将形成的密封体4的外围内部的位置处。由此，可以密封包括在密封体4内部的顶端的第二支撑腿3e和3j。
[0126]此外，如图13和图14中所示，出现联结杆3g变形和第二支撑腿3e和3j破裂(扯断)时的时刻是在经由树脂模制模具9 (参见图6)的门(gate) 9d注入密封树脂8并且树脂流8a填充树脂模制模具9内部之后的树脂密封过程的最后阶段，也就是说，基本上完成填充密封树脂8并且施加设定的最终压力的时刻。此时，密封树脂8是还没有固化的流体，密封树脂8的压力P被施加到如图14中所示的联结杆3g，联结杆3g如图14中的部分I周围的区域中所示地因压力P而变形，并且如图15中的部分I中所示，通过联结杆3g的变形力，第二支撑腿3e和3j在其扯断部分3r处被扯断。
[0127]注意的是，第二支撑腿3e和3j破裂并且密封树脂8流入破裂的支撑腿之间的间隙，但是流入间隙的密封树脂8的量与密封体4的量相比是非常小的，因此即使由于支撑腿的破裂导致失去管芯焊盘3a和3h的保持力，管芯焊盘3a和3h也没有垂直地震动(移动)并且没有变形。
[0128]在扯断第二支撑腿3e和3j之后，由密封树脂8覆盖第二支撑腿3e和3j的顶端。也就是说，利用密封树脂8填充内部破裂的第二支撑腿3e和3j与密封体4的外围之间的间隙(图15中的部分I中示出的扯断销之间的间隙)，因此使第二支撑腿3e和3j被扯断的顶端成为掩埋在密封体4中的状态。
[0129]在完成密封之后，在扯断部分3r处被扯断的第二支撑腿3e和3j被掩埋在密封体4中并且不能从外部看到，因此S0P7的外观没有受损。
[0130]另外，可以防止由于液体从密封体4外部渗入导致防潮性能降低，防止绝缘电阻减小，并且防止支撑腿和与支撑腿相邻的引线之间产生迁移，因此可以增强S0P7的可靠性。
[0131]此外，在第二支撑腿3e和3j因联结杆3g变形而被扯断之后，联结杆3g的变形冲击到块构件11并且停止，因此联结杆3g不再变形，使得可以防止与联结杆3g连接的各个内部引线3b变形。
[0132]注意的是，如图12中的J部分中所示，在位于各个内部引线3b的密封体4的外围内部的位置，形成诸如V形凹槽、台阶部分等的凹槽部分3p，因此可以防止由于液体从外部渗入导致防潮性能降低、绝缘电阻减小等，并且可以增强S0P7的可靠性。
[0133]接下来，将描述第二至第四修改形式。
[0134]图16是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第二修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图。图17是示出图16中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图，并且图18是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第三修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图。此外，图19是示出图18中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图。图20是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第四修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图，并且图21是示出图20中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图。
[0135]在图16和图17中示出的第二修改形式中，在并排设置两个管芯焊盘3a和3h的引线框架3中，如图16中的A部分中所示，与两个管芯焊盘3a和3h中的每一个连接的两个第二支撑腿3e和3j彼此相邻地布置，并且管芯焊盘3a和3h是均具有被三个支撑腿支撑于三个点的三点支撑构造的焊盘。
[0136]此外，三个支撑腿中的每一个的第二支撑腿3e和3j连接到联结杆3g。
[0137]另外在图16和图17中示出的第二修改形式的引线框架3中，如图17中所示，管芯焊盘3a的三角形A和管芯焊盘3h的三角形B的三角形形状都很好地平衡，因此可以发现，管芯焊盘3a和3h处于高度稳定的支撑状态。
[0138]另外，在图18和图19中示出的第三修改形式中，在并排设置两个管芯焊盘3a和3h的引线框架3中，如图18中的部分A中所示，与两个管芯焊盘3a和3h中的每一个连接的两个第二支撑腿3e和3j彼此相邻地布置，并且第二支撑腿3e和3j中的每一个连接到联结杆3g。
[0139]因此，管芯焊盘3a和3h都具有被三个支撑腿支撑的三点支撑构造。
[0140]另外在图18和图19中示出的第三修改形式的引线框架3中，如图19中所示，管芯焊盘3a的三角形A和管芯焊盘3h的三角形B的三角形形状都很好地平衡，因此可以发现，管芯焊盘3a和3h处于高度稳定的支撑状态。
[0141]另外，在图20和图21中示出的第四修改形式中，在并排设置两个管芯焊盘3a和3h的引线框架3中，与两个管芯焊盘3a和3h分别连接的两个第二支撑腿3e和3j中的每一个被布置在内部引线3b之间并且连接到联结杆3g，如图20中的部分A中所示。此外，一个管芯焊盘3a还由图20中的B部分中示出的、与联结杆3g连接的第四支撑腿3m支撑。
[0142]也就是说，管芯焊盘3a具有被四个支撑腿支撑的四点支撑构造并且管芯焊盘3h具有被三个支撑腿支撑的三点支撑构造。
[0143]图20和图21中示出的第四修改形式的引线框架3还包括具有四点支撑构造的管芯焊盘3a和具有三点支撑构造的管芯焊盘3h，并且如图21中所示，管芯焊盘3a的四边形A的四边形形状和管芯焊盘3h的三角形B的三角形形状很好地平衡，因此可以发现，管芯焊盘3a和3h处于高度稳定的支撑状态。
[0144]另外在通过使用上述的第二至第四修改形式的引线框架3组装的S0P7中，可以得到与通过图1至图3中示出的S0P7以及通过组装S0P7而得到的效果相同的效果。
[0145]接下来，将描述第五至第七修改形式。
[0146]图22是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第五修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图和局部剖视图。图23是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第六修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图。图24是示出沿着图23中的A-A线截取的结构的剖视图。另外，图25是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第七修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图和局部剖视图。
[0147]图22中示出的第五修改形式是具有以下形状的引线框架3:以与图8中示出的引线框架3的管芯焊盘3a和3h相同的方式，两个管芯焊盘3a和3h并排设置，并且分别与两个管芯焊盘3a和3h连接的两个第二支撑腿3e和3j中的每一个布置在内部引线3b之间并且连接到联结杆3g。
[0148]此外，在一个管芯焊盘3a中，在支撑管芯焊盘3a的支撑腿的一些(这里，第一支撑腿3d和第三支撑腿3f)中和管芯焊盘3a的边缘部分中，形成弯曲部分3n。
[0149]也就是说，如图22中的A部分和B部分中所示，弯曲部分3n沿着支撑腿的延伸方向形成在第一支撑腿3d和第三支撑腿3f中，并且与以上的弯曲部分3n连接的另一个弯曲部分3n形成在管芯焊盘3a的边缘部分(末端部分)的一部分中。注意的是，弯曲部分3n可以如A部分和B部分中所示地被形成为使得支撑腿的横截面具有倒V形，或者可以被形成为使得横截面具有V形。
[0150]通过在管芯焊盘3a的边缘部分(末端部分)和支撑腿中形成弯曲部分3n，可以减小管芯接合过程、导线接合过程等中管芯焊盘3a的垂直移动(震动)。
[0151]此外，致使当执行树脂密封时图6中示出的树脂模制模具9的下模制模具9a和上模制模具％的接触表面的形状对应于支撑腿的弯曲部分3n的形状，因此可以减小当在树脂密封过程中注入树脂时管芯焊盘的垂直移动(震动)。结果，可以提高半导体装置的可靠性。
[0152]注意的是，管芯焊盘的边缘部分(末端部分)中和支撑腿中的弯曲部分3n可以形成在管芯焊盘的任何一个或支撑腿的任何一个中，或者可以形成在多个管芯焊盘或支撑腿中。
[0153]接下来，以与图8中示出的引线框架3的管芯焊盘3a和3h相同的方式，图23和图24中示出的第六修改形式是具有如下形状的引线框架3:两个管芯焊盘3a和3h并排布置，并且分别与两个管芯焊盘3a和3h连接的两个第二支撑腿3e和3j中的每一个布置在内部引线3b之间并且连接到联结杆3g。
[0154]在第六修改形式的引线框架3中，如图23中的Q部分和R部分中所不，在与管芯焊盘3a和3h中的每一个的四个边中的一个对应的至少一个边缘部分(末端部分)中形成折叠部分3ag。这里，如图24中所示，折叠部分3ag被形成为朝向下表面3ab和3hb折叠。
[0155]以此方式，通过将折叠部分3ag形成为朝向下表面3ab和3hb折叠,可以不妨碍半导体芯片1和2的安装。
[0156]注意的是，折叠部分3ag可以对应于管芯焊盘中的一个管芯焊盘的至少任一边形成。
[0157]如上所述，通过在管芯焊盘3a和管芯焊盘3h中形成折叠部分3ag，可以增强管芯焊盘3a和3h自身的硬度。结果，可以减小在管芯接合过程、导线接合过程和进一步的树脂密封过程中管芯焊盘3a和3h中的每一个的垂直移动(震动)。因此，可以增强半导体装置的可靠性。
[0158]此外，以与图8中示出的引线框架3的管芯焊盘3a和3h相同的方式，图25中示出的第七修改形式是具有如下形成的引线框架3:两个管芯焊盘3a和3h并排设置，并且分别与两个管芯焊盘3a和3h连接的两个第二支撑腿3e和3j中的每一个布置在内部引线3b之间并且连接到联结杆3g。
[0159]此外，图25中的引线框架3的形状是图22中的支撑腿和管芯焊盘的边缘部分(末端部分)中的弯曲部分3n (A部分和B部分)以及图23中的管芯焊盘的另一个边缘部分(另一个末端部分)中的折叠部分3ag (Q部分和R部分)的组合形状。
[0160]由此，管芯焊盘本身的硬度可以增强，同时，支撑腿的硬度也可以增强。
[0161]结果，可以减小在管芯接合过程、导线接合过程等中管芯焊盘3a的垂直移动(震动)。此外，致使当执行树脂密封时图6中示出的树脂模制模具9的下模制模具9a和上模制模具％的接触表面的形状对应于支撑腿的弯曲部分3n的形状，因此可以减小当在树脂密封过程中注入树脂时管芯焊盘的垂直移动(震动)。
[0162]结果，可以增强半导体装置的可靠性。
[0163]注意的是，管芯焊盘的边缘部分(末端部分)中的折叠部分3ag和弯曲部分3n和支撑腿中的弯曲部分3n可以形成在管芯焊盘的任何一个或支撑腿的任何一个中，或者可以形成在多个管芯焊盘或支撑腿中。
[0164]尽管已经基于实施例具体描述了发明人做出的发明，但不用说，本发明不限于以上的实施例，并且可以在不脱离本发明要旨的范围内进行各种修改。
[0165]例如，在上述实施例中，虽然采用S0P并且将S0P描述为半导体装置的例子，但半导体装置可以是其它半导体装置，只要半导体装置包括管芯焊盘和支撑管芯焊盘的支撑腿。也就是说，半导体装置可以是除了 S0P之外的离散器件，并且进一步地，可以是诸如QFN(四侧无引脚扁平封装)或QFP (四侧引脚扁平封装)。
【权利要求】
1.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括以下步骤:(a)设置引线框架，所述引线框架包括:多个管芯焊盘，所述多个管芯焊盘的上表面在平面图中形成矩形形状；多个支撑腿，所述多个支撑腿支撑所述管芯焊盘中的每一个；多个内部引线，所述多个内部引线布置在所述管芯焊盘周围；多个外部引线，所述多个外部引线连接到所述内部引线中的每一个；和联结杆，所述联结杆将所述外部引线彼此耦合。(b)在步骤(a)之后，在所述管芯焊盘的所述上表面上安装半导体芯片，所述半导体芯片包括:主表面、形成在所述主表面中的多个电极焊盘，和与所述主表面相反的后表面；(c)在步骤(b)之后，经由多个导线将所述半导体芯片的所述电极焊盘分别电耦合到所述内部引线；以及(d)在步骤(c)之后，形成密封体，所述密封体密封所述支撑腿、所述内部引线、所述半导体芯片和所述导线，其中，所述管芯焊盘中的每一个并排布置，所述支撑腿包括:第一支撑腿，所述第一支撑腿连接到所述外部引线；第二支撑腿，所述第二支撑腿布置在所述内部引线中的两个之间并且连接到所述联结杆；和第三支撑腿，所述第三支撑腿连接到所述管芯焊盘的与所述第一支撑腿和所述第二支撑腿分别连接到的边不同的边，并且其中，所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和第三支撑腿与所述管芯焊盘中的每一个一起一体地形成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在步骤(d)之后，当 切断所述联结杆时，同时切断所述第二支撑腿。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在步骤(d)中，通过由形成所述密封体的密封树脂向树脂模制模具的注入压力对所述联结杆施压，来扯断所述第二支撑腿，并且此后通过所述密封树脂覆盖所述第二支撑腿的顶端。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，在将所述密封树脂注入所述树脂模制模具之前，在设置与所述联结杆的间隙的情况下布置块构件，并且此后，注入所述密封树脂。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第二支撑腿中形成凹槽部分或台阶部分。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，设置两个管芯焊盘，并且分别连接到所述两个管芯焊盘的两个第二支撑腿被布置成彼此相邻。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述两个管芯焊盘彼此面对，并且具有所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和所述第三支撑腿中的任何一个没有连接到的边。
8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体器件包括第四支撑腿，所述第四支撑腿支撑所述管芯焊盘中的任何一个并且连接到所述联结杆。
9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述管芯焊盘中的每一个的边缘部分中形成折叠部分。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和所述第三支撑腿中的至少任何一个中形成弯曲部分。
11.一种半导体装置，包括: 多个管芯焊盘，所述多个管芯焊盘中的每一个包括上表面和与所述上表面相反的下表面，所述上表面在平面图中形成矩形形状；多个支撑腿，所述多个支撑腿支撑所述管芯焊盘中的每一个；多个内部引线，所述多个内部引线布置在所述管芯焊盘周围；多个外部引线，所述多个外部引线连接到所述内部引线中的每一个；半导体芯片，所述半导体芯片包括主表面和与所述主表面相反的后表面，并且在所述半导体芯片中，在所述主表面中形成有多个电极焊盘，所述半导体芯片安装在所述管芯焊盘上，使得所述后表面面对所述管芯焊盘的上表面；多个导线，所述多个导线将所述半导体芯片的所述电极焊盘分别电耦合到所述内部引线；以及密封体，所述密封体密封所述支撑腿、所述内部引线、所述半导体芯片和所述导线，其中，所述管芯焊盘中的每一个并排布置，所述支撑腿包括:第一支撑腿，所述第一支撑腿连接到所述外部引线；第二支撑腿，所述第二支撑腿布置在所述内部引线中的任何两个之间；和第三支撑腿，所述第三支撑腿连接到所述管芯焊盘的与所述第一支撑腿和所述第二支撑腿连接到的边不同的边，并且其中，所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和第三支撑腿与所述管芯焊盘中的每一个一起一体地形成。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第二支撑腿被终止在所述密封体内部。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述第二支撑腿的顶端被掩埋在所述密封体内部。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，在所述管芯焊盘中的每一个的边缘部分中形成折叠部分。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，在所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和所述第三支撑腿中的至少任何一个中形成弯曲部分。
【文档编号】H01L23/31GK103681379SQ201310403642
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月6日 优先权日:2012年9月7日
【发明者】金田芳晴, 谷口直子 申请人:瑞萨电子株式会社
【专利摘要】本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。为了增强半导体装置的可靠性，半导体装置包括：管芯焊盘，第一半导体芯片和第二半导体芯片分别安装在其上；多个支撑腿，其支撑管芯焊盘中的每一个；多个内部引线和外部引线，其布置在管芯焊盘周围；多个导线，其将半导体芯片电耦合到内部引线；以及密封体，其密封半导体芯片、内部引线和导线。管芯焊盘中的每一个被与管芯焊盘一起一体地形成的三个支撑腿支撑，并且每对三个支撑腿中的第二支撑腿中的每一个被布置在彼此相邻的内部引线之间。
【专利说明】半导体装置的制造方法和半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]将2012年9月7日提交的日本专利申请N0.2012-197142的公开，包括说明书、附图和摘要，以其整体通过引用方式并入本文。
【技术领域】
[0003]本发明涉及半导体装置和该半导体装置的制造方法，并且涉及(例如)包括支撑管芯焊盘(die pad)的支撑腿(support pin)的半导体装置和被应用于组装该半导体装置的有效技术。
【背景技术】
[0004]例如，作为引线框架装置，日本未审查专利申请公开(PCT申请的译文)N0.2002-505523 (专利文献1)公开了一种包括由第一材料制成的引线框架、许多引线和由第二材料制成的管芯焊盘的结构。
【发明内容】
[0005]在包括支撑上面安装有半导体芯片的管芯焊盘(也被称作“岛”)的支撑腿(也被称作“支撑引线”)的半导体装置(半导体封装)中，支撑腿被布置在(例如)管芯焊盘的角部处或相对边上并且适当地支撑管芯焊盘。
[0006]另外，在具有为了安装多个半导体芯片而按行布置多个管芯焊盘的结构的半导体装置中，通过使用与外部引线连接的引线作为管芯焊盘的支撑腿，每个管芯焊盘可以由三个支撑腿支撑(被三个点支撑)，因此确保了管芯接合(die bonding)、导线接合(wirebonding)等的可靠性。
[0007]然而，当为了半导体装置的功能增强而在不改变半导体装置主体的尺寸(外观尺寸)的情况下尝试增加引脚数量时，必须通过减少支撑管芯焊盘的支撑腿的数量来提供用于信号的独立引线，因此支撑腿的数量减少并且管芯焊盘被两个点支撑。
[0008]结果，管芯焊盘的支撑状态变得不稳定。因此，如果在半导体器件的组装过程中向管芯焊盘施加外部负载，则管芯焊盘变形或者在垂直方向上震动，因此可能在该过程中出现麻烦，或者半导体芯片和导线受损。
[0009]也就是说，在管芯接合过程和导线接合过程中，可能因为管芯焊盘垂直地移动(震动)并且没有向管芯焊盘施加充分负载而出现接合失效，或者在树脂模制过程中，管芯焊盘垂直地移动(震动)，因此半导体芯片和导线受损，从而导致导线断开等失效。
[0010]注意的是，在专利文献1中公开的引线框架装置中，粘合杆(binding bar)(支撑腿)由第一材料制造，并且管芯焊盘由第二材料制造。因此，引线框架装置具有如下的框架结构:支撑腿和管芯焊盘由不同材料形成，此后将支撑腿和管芯焊盘彼此耦合。
[0011]在这种框架结构中，在管芯焊盘中需要针对支撑腿的耦合部分，因此管芯焊盘不得不比芯片尺寸大得多。也就是说，管芯焊盘不能减小至与芯片一样小的尺寸，因此不可以采用以上的框架结构，即，在小半导体装置中，支撑腿和管芯焊盘被形成为不同部分，此后将它们彼此耦合。
[0012]本申请中公开的实施例的目的在于提供一种能够增强半导体装置可靠性的技术。
[0013]从本说明书的描述和附图，其它问题和新特征将变得清楚。
[0014]根据实施例的一种半导体装置的制造方法包括以下步骤:设置引线框架，该引线框架包括多个管芯焊盘和多个支撑腿；将半导体芯片安装在管芯焊盘上；通过导线将半导体芯片的电极焊盘电耦合到内部引线；以及形成密封支撑腿、半导体芯片和导线的密封体。此外，在该半导体装置的制造方法中，支撑腿包括第一支撑腿、第二支撑腿和第三支撑腿，该第一支撑腿与该外部引线连接，该第二支撑腿布置在该内部引线中的两个之间并且与联结杆(tie bar)连接，该第三支撑腿连接到该管芯焊盘的与连接该第一支撑腿和该第二支撑腿的边不同的边。该第一支撑腿、该第二支撑腿和第三支撑腿与该管芯焊盘中的每一个一起一体地形成。
[0015]根据上述的实施例，可以增强半导体装置的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是示出透过密封体看到的实施例的半导体装置结构的例子的平面图；
[0017]图2是示出沿着图1中的A-A线截取的结构的例子的剖视图；
[0018]图3是示出沿着图1中的B-B线截取的结构的例子的剖视图；
[0019]图4是示出图1中示出的半导体装置的组装工序的例子的流程图；
[0020]图5是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图；
[0021]图6是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图；
[0022]图7是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图；
[0023]图8是示出在组装图1中示出的半导体装置时使用的引线框架的结构的例子的放大局部平面图；
[0024]图9是示出图8中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；
[0025]图10是示出在组装图1中示出的半导体装置时的封装分离过程中分离第二支撑腿的方法的例子的放大局部平面图；
[0026]图11是示出在组装图1中示出的半导体装置时(在注入树脂之前)分离第二支撑腿的方法的第一修改形式的局部平面图；
[0027]图12是示出图11中的D部分的结构的放大局部平面图；
[0028]图13是示出在组装图1中示出的半导体装置时(在注入树脂之后)分离第二支撑腿的方法的第一修改形式的局部平面图；
[0029]图14是示出图13中的G部分的结构的放大局部平面图；
[0030]图15是示出图14的详细结构的放大局部平面图；
[0031]图16是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第二修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；
[0032]图17是示出图16中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；
[0033]图18是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第三修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；[0034]图19是示出图18中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；
[0035]图20是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第四修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；
[0036]图21是示出图20中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图；
[0037]图22是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第五修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图和局部剖视图；
[0038]图23是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第六修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图；
[0039]图24是示出沿着图23中的A_A线截取的结构的剖视图；以及
[0040]图25是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第七修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图和局部剖视图。
【具体实施方式】
[0041]在下述的实施例中，除非特别要求，否则不再重复对相同或类似部分的描述。
[0042]此外，如果必要的话，为了方便起见，将把下面的实施例分成多个部分或实施例来说明。除了特别清楚示出的情况之外，这些部分或实施例是相互不相关的并且具有一个是诸如另一个的部分或全部的修改形式、细节和补充说明的关系。
[0043]在下面的实施例中，当引用要素等的数量(包括数量、数值、量、范围等)时，它们可以不限于特定数量，而是可以大于或小于特定数量，除了特别清楚指出和理论上明显限于特定数量的情况之外。
[0044]此外，在下面的实施例中，不用说，要素(包括要素步骤等)不一定是不可缺少的，除了具体地清楚指出和从理论观点看明显不可缺少的情况之外。
[0045]在下面的实施例中，关于要素等，不用说，“包含A”、“由A组成”、“具有A”以及“包括A”不排除除了 A之外的要素，除了清楚指出要素只是A的情况之外。类似地，在下面的实施例中，当引用要素等的形状、位置关系等时，应该包括与该形状基本上相似或类似的形状，除了特别清楚指出和从理论观点看明显被视为不正确的情况之外。这种陈述还应用于上述的数值和范围。
[0046]下文中，将基于【专利附图】
【附图说明】实施例。在所有用于说明实施例的附图中，为相同的构件赋予相同的符号并且省略其重复说明。为了使附图易于理解，即使是平面图，也可以附带阴影。
[0047](实施例)
[0048]图1是示出透过密封体看到的实施例的半导体装置结构的例子的平面图。图2是示出沿着图1中的A-A线截取的结构的例子的剖视图。图3是示出沿着图1中的B-B线截取的结构的例子的剖视图。
[0049]图1至图3中示出的实施例的半导体装置是通过使用下述图8中示出的双岛型引线框架3组装的框架型半导体封装。在本实施例中，作为以上提及的半导体装置的例子，采用树脂密封型8引脚SOP (Small Outline Package:小外形封装)7并且将描述S0P7的制造方法。也就是说，本实施例的半导体装置包括多个管芯焊盘(岛、突出部(tab))，并且在本实施例中，将采用并描述包括两个管芯焊盘的S0P7。[0050]首先，将参照图1至图3描述S0P7的结构。S0P7包括:半导体芯片1，其中形成有半导体元件(半导体集成电路)Id ;半导体芯片2，其中形成有半导体元件2d ;管芯焊盘3a，其上安装半导体芯片1 ;以及管芯焊盘3h，其上安装半导体芯片2。
[0051]也就是说，作为两个芯片安装部分的管芯焊盘3a和管芯焊盘3h并排布置，并且经由由焊料膏形成的管芯接合膏5将半导体芯片1安装在管芯焊盘3a的上表面3aa上。相比之下，经由由焊料膏形成的相同管芯接合膏5将半导体芯片2安装在管芯焊盘3h的上表面3ha上。
[0052]此外，S0P7包括布置在管芯焊盘3a和3h周围的多个(六个)内部引线3b、与内部引线3b —起一体形成的多个(八个)外部引线3c和将半导体芯片1和2电耦合到内部引线3b的多个导线6。
[0053]也就是说，在本实施例的S0P7中，经由导线6电耦合到电极焊盘lc和2c的引线被定义为内部引线3b，并且存在与导线6耦合的六个内部引线3b，并且六个内部引线3b连接到外部引线3c。
[0054]另外，支撑芯片3a或3h的三个支撑腿中的第一支撑腿3d和3i分别耦合到外部引线3c。因此，存在总共八个外部引线3c，包括与内部引线3b耦合的六个外部引线3c和与第一支撑腿3d和3i耦合的两个外部引线3c。
[0055]注意的是，外部引线3c没有连接到第二支撑腿3e、第三支撑腿3f、第二支撑腿3j和第三支撑腿3k。
[0056]另外，如图1和图2中所示，形成在半导体芯片1的前表面(主表面)la上的多个电极焊盘lc分别通过多个导线6电耦合到与电极焊盘lc对应的多个内部引线3b。相比之下，形成在半导体芯片2的前表面(主表面)2a上的多个电极焊盘2c分别通过多个导线6电耦合到与电极焊盘2c对应的多个内部引线3b。
[0057]注意的是，由于S0P7是导线接合型，因此半导体芯片1在主表面(前表面)la面朝上的情况下被面朝上安装在管芯焊盘3a的上表面3aa上。
[0058]也就是说，经由管芯接合膏5将管芯焊盘3a的上表面3aa和被布置成面对上表面3aa的半导体芯片1的后表面lb彼此f禹合。
[0059]相比之下，半导体芯片2在主表面(前表面)2a面朝上的情况下被面朝上安装在管芯焊盘3h的上表面3ha上。也就是说，经由管芯接合膏5将管芯焊盘3h的上表面3ha和被布置成面对上表面3ha的半导体芯片2的后表面2b彼此f禹合。
[0060]此外，形成在半导体芯片1的前表面la上的电极焊盘lc经由导线6分别电耦合到内部引线3b。由此，半导体芯片1、内部引线3b和用作外部端子的外部引线3c彼此电耦
八
口 ο
[0061]也就是说，导线6的每个的一端电耦合到半导体芯片1的电极焊盘lc。相比之下，导线6的每个的另一端电耦合到与每个导线6对应的内部引线3b。以相同方式，形成在半导体芯片2的前表面2a上的电极焊盘2c也经由导线6分别电耦合到内部引线3b。由此，半导体芯片2、内部引线3b和用作外部端子的外部引线3c彼此电耦合。
[0062]另外，导线6的每个的一端电耦合到半导体芯片2的电极焊盘2c。相比之下，导线6的每个的另一端电耦合到与每个导线6对应的内部引线3b。
[0063]此外，管芯焊盘3a和3h分别具有平面图是大致矩形的上表面3aa和3ha，并且分别具有与上表面3aa和3ha相对的下表面3ab和3hb，管芯焊盘3a和3h中的每一个由三个支撑腿支撑。
[0064]也就是说，管芯焊盘3a由与外部引线3c连接的第一支撑腿3d、布置在彼此相邻的两个内部引线3b之间的第二支撑腿3e和另一个第三支撑腿3f支撑。以相同方式，管芯焊盘3h也由与外部引线3c连接的第一支撑腿31、布置在彼此相邻的两个内部引线3b之间的第二支撑腿3j和另一个第三支撑腿3k支撑。
[0065]注意的是，管芯焊盘3a的上表面3aa包括第一边3ac、第二边3ad、第三边3ae和第四边3af，并且第一支撑腿3d连接到第一边3ac并且第二支撑腿3e连接到与第一边3ac相反的第二边3ad。此外，第三支撑腿3f耦合到与第一支撑腿3d连接到的第一边3ac和第二支撑腿3e连接到的第二边3ad都不同的第三边3ae。
[0066]相比之下，以与管芯焊盘3a中相同的方式，管芯焊盘3h的上表面3ha包括第一边3hc、第二边3hd、第三边3he和第四边3hf，并且第一支撑腿3d连接到第一边3hc并且第二支撑腿3 j连接到与第一边3hc相反的第二边3hd。此外，第三支撑腿3k连接到与第一支撑腿3i连接到的第一边3ac和第二支撑腿3j连接到的第二边3hd都不同的第三边3he。
[0067]此外，第一支撑腿3d、第二支撑腿3e和第三支撑腿3f与管芯焊盘3a —起一体地形成。相比之下，第一支撑腿31、第二支撑腿3j和第三支撑腿3k与管芯焊盘3h —起一体地形成。
[0068]注意的是，没有支撑腿连接到管芯焊盘3a的第四边3af和管芯焊盘3h的第四边3hf,并且管芯焊盘3a和管芯焊盘3h被布置成使得第四边3af和第四边3hf彼此面对。
[0069]另外，本实施例的S0P7由随后描述的图6中示出的密封树脂8形成并且包括半导体芯片1和2、管芯焊盘3a和3h、导线6、内部引线3b和密封每个支撑腿(3d、3e、3f、31、3j和3k)的密封体4。
[0070]同时，优选的是，支撑管芯焊盘3a的第二支撑腿3e和支撑管芯焊盘3h的第二支撑腿3j被终止在密封体内部。这是因为，在随后描述的半导体装置的组装过程中的将支撑腿与引线框架3分离的过程中，采用了通过密封过程中的树脂注入压力扯断第二支撑腿3e和3j并且此后通过树脂覆盖第二支撑腿3e和3j的顶端的组装方法。
[0071]因此，在S0P7中，各个第二支撑腿3e和3j的顶端被掩埋在密封体4内部。然而，第三支撑腿3f和3k略微暴露于密封体4的外部，如图3中所示，因为在组装过程中将支撑腿与引线框架3分离的过程中，采用了在树脂密封过程之后切断第三支撑腿3f和3k的组装方法。
[0072]注意的是，至于将第二支撑腿3e和3j与引线框架3分离的方法，可以采用以与第三支撑腿3f和3k相同的方式，在树脂密封过程之后切断第二支撑腿3e和3j的方法，并且在这种情况下，第二支撑腿3e和3j以与第三支撑腿3f和3k相同的方式略微暴露于密封体4的外部。
[0073]这里，内部引线3b、外部引线3c、支撑腿和管芯焊盘3a和3h由薄板构件形成，该薄板构件由例如铜合金、铁-镍合金等形成。另外，密封体4包括例如热固性环氧树脂并且在树脂密封过程中形成。
[0074]例如，导线6是金(Au)导线或铜(Cu)导线。
[0075]此外，由于如图2中所示半导体装置是S0P7，所以分别与内部引线3b —起一体形成的外部引线3c在彼此相反的两个方向上从密封体4的侧表面向外突出，并且外部引线3c中的每一个弯曲并且形成为鸥翼形状。
[0076]接下来，将参照图4中示出的流程图，描述本实施例的半导体装置(S0P7)的组装。也就是说，在本实施例中，作为半导体装置的例子，将描述8引脚双岛型S0P7的组装。
[0077]图4是示出图1中示出的半导体装置的组装工序的例子的流程图。图5是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图。图6是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图，并且图7是示出图4中示出的局部组装工序的例子的工艺流程图。另夕卜，图8是示出在组装图1中示出的半导体装置时使用的引线框架的结构的例子的放大局部平面图。图9是示出图8中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图。图10是示出在组装图1中示出的半导体装置时的封装分离过程中分离第二支撑腿的方法的例子的放大局部平面图。
[0078]首先，执行图4和图5中的步骤S1中示出的设置引线框架。在本实施例中，如图8中所示，设置引线框架3，在引线框架3中，设置两个管芯焊盘(岛)3a和3h以及分别支撑两个管芯焊盘3a和3h的两对各三个支撑腿。此外，引线框架3设置有布置在两个管芯焊盘3a和3h周围的内部引线3b、分别与内部引线3b连接的外部引线3c和将外部引线彼此率禹合的联结杆(tie bar) 3g。
[0079]布置在外部引线阵列的末端部分的每个外部引线3c通过联结杆3g连接到框架部分3q。
[0080]这里，管芯焊盘3a和管芯焊盘3h并排布置，并且分别具有平面图是大致矩形的上表面3aa和3ha，并且分别具有与上表面3aa和3ha相反的下表面3ab和3hb (参见图3)。管芯焊盘3a和3h中的每一个由三个支撑腿支撑。也就是说，管芯焊盘3a和3h中的每一个被支撑腿支撑于三个点。
[0081]具体地讲，如图8中所示，管芯焊盘3a由与外部引线3c连接的第一支撑腿3d、布置在彼此相邻的两个内部引线3b之间并且与联结杆3g连接的第二支撑腿3e和与框架部分3q连接的第三支撑腿3f支撑。以相同方式，管芯焊盘3h也由与外部引线3c连接的第一支撑腿31、布置在彼此相邻的两个内部引线3b之间并且与联结杆3g连接的第二支撑腿3j和与框架部分3q连接的第三支撑腿3k支撑。
[0082]注意的是，第一支撑腿3d、第二支撑腿3e和第三支撑腿3f与管芯焊盘3a —起一体地形成。相比之下，第一支撑腿31、第二支撑腿3j和第三支撑腿3k与管芯焊盘3h —起一体地形成。
[0083]另外，管芯焊盘3a的上表面3aa包括第一边3ac、第二边3ad、第三边3ae和第四边3af，并且第一支撑腿3d耦合到第一边3ac并且第二支撑腿3e耦合到与第一边3ac相反的第二边3ad。此外，第三支撑腿3f连接到与连接第一支撑腿3d的第一边3ac和连接第二支撑腿3e的第二边3ad都不同的第三边3ae。
[0084]相比之下，以与管芯焊盘3a相同的方式，管芯焊盘3h的上表面3ha包括第一边3hc、第二边3hd、第三边3he和第四边3hf，并且第一支撑腿3i连接到第一边3hc并且第二支撑腿3j连接到与第一边3hc相反的第二边3hd。此外，第三支撑腿3f连接到与连接第一支撑腿3i的第一边3hc和连接第二支撑腿3j的第二边3hd都不同的第三边3he。
[0085]注意的是，没有支撑腿连接到管芯焊盘3a的第四边3af和管芯焊盘3h的第四边3hf,并且管芯焊盘3a和管芯焊盘3h被布置成使得第四边3af和第四边3hf彼此面对。
[0086]这里，通过由例如铜合金、铁-镍合金等形成的薄板构件形成包括内部引线3b、夕卜部引线3c、支撑腿、管芯焊盘3a和3h、联结杆3g、框架部分3q等的引线框架3。
[0087]如上所述，在本实施例的弓|线框架3中，两个管芯焊盘3a和3h中的每一个具有由三个支撑腿形成的三点支撑构造，并且如图8中的A部分中所示，两对各三个支撑腿中包括的第二支撑腿3e和3j中的每一个布置在彼此相邻的两个内部引线3b之间并且与联结杆3g耦合。此外，这两对各三个支撑腿分别与管芯焊盘3a和3h —起一体地形成。
[0088]这里，将参照图9描述本实施例的引线框架3中的两个管芯焊盘3a和3h的支撑形式的平衡(稳定程度)。图9示出在本实施例的引线框架3中管芯焊盘3a和3h的支撑位置之间的平衡，管芯焊盘3a和3h中的每一个被三个点支撑。在管芯焊盘3a和3h中的每一个中，通过使用支撑位置作为点，形成三角形，并且评价三角形的形状是否很好地平衡(三角形的形状是否具有极其尖锐的角)。
[0089]如图9中所示，管芯焊盘3a的三角形A和管芯焊盘3h的三角形B两者的三角形形状很好地平衡，因此可以发现，管芯焊盘3a和3h处于高稳定程度的支撑状态。
[0090]在设置引线框架之后，执行图4和图5中的步骤S2中示出的管芯接合。在管芯接合过程中，首先，执行图5中的S2-1中示出的管芯接合膏涂布。也就是说，用焊料膏即管芯接合膏5涂布引线框架3的管芯焊盘3a和3h。此外，执行图5中的S2-2中示出的芯片安装。
[0091]这里，如图3中所示，经由管芯接合膏5将半导体芯片1安装在管芯焊盘3a的上表面3aa上，并且经由管芯接合膏5将半导体芯片2安装在管芯焊盘3h的上表面3ha上。注意的是，如图1中所示，在半导体芯片1的前表面la上形成电极焊盘lc并且在半导体芯片2的前表面2a上形成电极焊盘2c。
[0092]当安装芯片时，向半导体芯片1和2施加预定负载。然而，由于本实施例的引线框架3的管芯焊盘3a和3h中的每一个被三个支撑腿高稳定性地支撑于三个点，因此可以减小管芯焊盘3a和3h的垂直移动(震动)。
[0093]在完成管芯接合之后，执行图4和图6中的步骤S3中示出的导线接合。在导线接合过程中，如图1中所示，半导体芯片1的电极焊盘lc和半导体芯片2的电极焊盘2c经由导线6电耦合到与每个电极焊盘对应的内部引线3b。
[0094]即使在导线接合时，向半导体芯片1和2施加预定的负载或超声波。然而，由于本实施例的引线框架3的管芯焊盘3a和3h中的每一个被三个支撑腿高稳定性地支撑于三个点，因此可以减小导线接合时管芯焊盘3a和3h的垂直移动(震动)。
[0095]在完成导线接合之后，执行图4和图6中的步骤S4中示出的树脂密封(树脂模制)。也就是说，用图6中示出的密封树脂8密封支撑腿、半导体芯片1和2、管芯焊盘3a和3h、内部引线3b和导线6，并且形成密封体4。
[0096]此时，导线接合到的引线框架3被作为工件布置在树脂模制模具9的下模制模具9a上，然后由下模制模具9a和上模制模具9b夹住引线框架3，此外，通过将密封树脂8注入到由下模制模具9a和上模制模具9b形成的腔体9c中，执行树脂密封。
[0097]即使在树脂密封过程中注入树脂时，由于注入树脂导致的压力被施加到半导体芯片1和2及管芯焊盘3a和3h。然而，由于本实施例的引线框架3的管芯焊盘3a和3h中的每一个被三个支撑腿高度稳定地支撑于三个点，因此可以减小注入树脂时管芯焊盘3a和3h的垂直移动(震动)。
[0098]在完成树脂密封之后，执行图4和图7中的步骤S5中示出的后期固化。也就是说，在树脂密封过程等中形成的密封体4被加热处理和固化。
[0099]在完成后期固化之后，执行图4中的步骤S6中示出的修边/外部镀覆(deburring/external plating)。也就是说,去除在树脂密封过程等中形成的树脂毛边等，并且向外部引线3c等应用外部镀覆。
[0100]在完成修边/外部镀覆之后，执行图4和图7中的步骤S7中示出的封装分离/引线修整成形(trim and form)。也就是说，如图7中所示，夕卜部引线3C中的每一个被切断并且与引线框架3分离，并且将每个外部引线3c弯曲和成形。在本实施例中，每个外部引线3c弯曲并且形成为鸥翼形状。
[0101]在封装分离过程中，如图10中所示，首先，通过联结杆剪切冲头10切断彼此相邻的外部引线3C之间的联结杆3g (A部分)，同时，通过联结杆剪切冲头10切断第二支撑腿3e和3j (B部分和C部分)。
[0102]g卩，由于第二支撑腿3e和3j都连接到联结杆3g，因此可以通过联结杆剪切冲头10将第二支撑腿3e和3j连同联结杆3g —起切断。也就是说，在联结杆切断过程中，第二支撑腿3e和3j可以容易地被切断而不被留下。
[0103]在封装分离/引线修整成形之后，执行图4中的步骤S8中示出的特性筛选。也就是说，对组装后的S0P7执行电特性测试并且确定缺陷产品或非缺陷产品。
[0104]在特性筛选之后，对被确定为非缺陷产品的S0P7执行步骤S9中示出的打标(marking)。这里，例如，在密封体4的前表面上标记诸如产品的型号等的信息。
[0105]在打标之后,执行图4中的步骤S10中示出的编带(taping)并且进一步地执行步骤S11中示出的包装/运输。
[0106]根据本实施例的半导体装置的制造方法和半导体装置，两对支撑管芯焊盘3a和3h的三个支撑腿包括第一支撑腿3d和31、第二支撑腿3e和3j及第三支撑腿3f和3k，此夕卜，第一支撑腿3d和31、第二支撑腿3e和3j及第三支撑腿3f和3k中的每一个与两个管芯焊盘3a和3h中的每一个一起一体地形成。由此，管芯焊盘3a和3h中的每一个被支撑于三个点，因此可以减小组装过程中管芯焊盘3a和3h中的每一个的垂直移动(震动)。
[0107]也就是说，管芯焊盘3a和3h中的每一个被以平衡方式支撑于三个点，因此可以在管芯接合过程、导线接合过程等中减小管芯焊盘3a和3h中的每一个的垂直移动(震动)。由此，可以施加足够的负载以用于接合，因此可以抑制出现接合失效。
[0108]由于管芯焊盘被以平衡方式支撑于三个点，因此可以减小在树脂密封过程中注入树脂时管芯焊盘的垂直移动(震动)。结果，在注入树脂时，可以减小对半导体芯片和导线的损害，因此可以抑制出现诸如导线断开的缺陷。
[0109]结果，可以增强半导体装置的可靠性。
[0110]通过将第二支撑腿3e和3j布置在内部引线之间，可以增加半导体装置的引脚的数量，而不改变半导体装置主体的尺寸(外观尺寸)，因此也可以应对半导体装置的功能增强。也就是说，通过将布置在内部引线3b之间的第二支撑腿3e和3j中的每一个连接到联结杆3g，可以在不使用信号引脚的情况下支撑管芯焊盘3a和3h。[0111]由此，可以增加信号引脚的数量，从而可以增强半导体装置的功能。
[0112]此外，通过将第二支撑腿3e和3 j中的每一个布置在内部引线3b之间，可以确保彼此相邻的内部引线3b之间的距离，因此可以防止内部引线3b之间产生迁移。
[0113]注意的是，当半导体装置是小半导体装置时，在内部引线3b的第二接合部分(针脚式接合部分)中需要用于执行导线接合的区域，因此不可以让管芯焊盘3a和3h的外围靠近密封体4的外围。也就是说，不可以将管芯焊盘3a和3h中的每一个形成为比半导体芯片1和2大得多。因此，就支撑腿和管芯焊盘被形成为不同部分并且此后将它们耦合在一起的框架结构而言，需要在管芯焊盘中设置针对支撑腿的耦合部分。然而，不可以将管芯焊盘形成为比半导体芯片1和2大得多，结果，在管芯焊盘中没有用于提供耦合部分的空间，从而难以采用以上的框架结构。
[0114]然而，在本实施例的半导体装置中，两对各三个支撑腿分别与管芯焊盘3a和3h —起一体地形成，因此不需要设置耦合部分。因此，管芯焊盘3a和3h可以与芯片尺寸一样小。结果，可以应对半导体装置(S0P7)的尺寸减小。
[0115]此外，在支撑腿和管芯焊盘被形成为不同部分的框架结构中，引线框架由两种类型的材料形成。因此,成本高并且还需要将支撑腿和管芯焊盘彼此耦合的加工成本,从而半导体装置的成本进一步增加。
[0116]此外，也在将支撑腿和管芯焊盘彼此耦合时确保耦合精度时，管芯焊盘的尺寸需要比芯片尺寸大得多，因此以上的框架结构不能应用于小半导体装置。
[0117]接下来，将描述本实施例的修改形式。
[0118]图11是示出在组装图1中示出的半导体装置时(在注入树脂之前)分离第二支撑腿的方法的第一修改形式的局部平面图。图12是示出图11中的D部分的结构的放大局部平面图。图13是示出在组装图1中示出的半导体装置时(在注入树脂之后)分离第二支撑腿的方法的第一修改形式的局部平面图。图14是示出图13中的G部分的结构的放大局部平面图。图15是示出图14的详细结构的放大局部平面图。
[0119]图11至图15中示出的第一修改形式示出布置在彼此相邻的内部引线3b之间的第二支撑腿3e和3j的分离方法的修改形式，第一修改形式不同于在如图10中所示的树脂密封之后在联结杆切断过程中将支撑腿连同联结杆3g —起切断的方法，并且第一修改形式是通过利用树脂密封过程中的树脂注入压力扯断支撑腿来分离支撑腿的方法。也就是说，在树脂密封过程中，用图13中示出的密封树脂8填充联结杆3g的内部，因此使用密封树脂8作用到联结杆3g上的压力。当注入树脂时，联结杆3g受密封树脂8的压力而受压并变形，并且通过联结杆3g变形而扯断与联结杆3g连接的第二支撑腿3e和3 j。
[0120]具体地讲，首先，如图11和图12中所示，在将图13的密封树脂8注入图6中的设置模制模具9之前，将块构件11布置在联结杆3g的外部，使其间设置距离联结杆3g的距离为E的间隙12。此时，如图12中所示，当因密封树脂8的压力而变形的联结杆3g的可容许变形量被定义为E时，可以通过块构件11和联结杆3g之间的间隙12的距离E，设置联结杆3g的变形量。
[0121]另外，通过将距离E设置为等于或大于第二支撑腿3e和3j的图11中的扯断部分3r和通过树脂密封形成的图12中的密封体4的外围(模制件的轮廓)之间的距离F(E>=F)，可以从密封体4的外围内部扯断支撑腿。[0122]此外，由于联结杆3g的最大变形量是距离E，因此可以防止联结杆3g的变形大于必须量。
[0123]注意的是，如图12中的Η部分中所示，没有连接支撑腿的联结杆3g不需要变形，因此块构件11布置在略微接触联结杆3g的位置，而与联结杆3g没有形成间隙。
[0124]此外，如图12中的部分I中所示，优选的是，在靠近第二支撑腿3e和3j顶端的图11中示出的扯断部分3r中，形成凹槽部分3p (例如，V形凹槽)、台阶部分或切口，使得切断部分3r的横截面面积减小。通过在靠近第二支撑腿3e和3j顶端的扯断部分3r中形成凹槽部分3p、台阶部分或切口，当扯断第二支撑腿3e和3j时，可以容易地扯断支撑腿并且可以减小施加到支撑腿3e和3j的应力。
[0125]优选的是，第二支撑腿3e和3j的扯断部分3r形成在将形成的密封体4的外围内部的位置处。由此，可以密封包括在密封体4内部的顶端的第二支撑腿3e和3j。
[0126]此外，如图13和图14中所示，出现联结杆3g变形和第二支撑腿3e和3j破裂(扯断)时的时刻是在经由树脂模制模具9 (参见图6)的门(gate) 9d注入密封树脂8并且树脂流8a填充树脂模制模具9内部之后的树脂密封过程的最后阶段，也就是说，基本上完成填充密封树脂8并且施加设定的最终压力的时刻。此时，密封树脂8是还没有固化的流体，密封树脂8的压力P被施加到如图14中所示的联结杆3g，联结杆3g如图14中的部分I周围的区域中所示地因压力P而变形，并且如图15中的部分I中所示，通过联结杆3g的变形力，第二支撑腿3e和3j在其扯断部分3r处被扯断。
[0127]注意的是，第二支撑腿3e和3j破裂并且密封树脂8流入破裂的支撑腿之间的间隙，但是流入间隙的密封树脂8的量与密封体4的量相比是非常小的，因此即使由于支撑腿的破裂导致失去管芯焊盘3a和3h的保持力，管芯焊盘3a和3h也没有垂直地震动(移动)并且没有变形。
[0128]在扯断第二支撑腿3e和3j之后，由密封树脂8覆盖第二支撑腿3e和3j的顶端。也就是说，利用密封树脂8填充内部破裂的第二支撑腿3e和3j与密封体4的外围之间的间隙(图15中的部分I中示出的扯断销之间的间隙)，因此使第二支撑腿3e和3j被扯断的顶端成为掩埋在密封体4中的状态。
[0129]在完成密封之后，在扯断部分3r处被扯断的第二支撑腿3e和3j被掩埋在密封体4中并且不能从外部看到，因此S0P7的外观没有受损。
[0130]另外，可以防止由于液体从密封体4外部渗入导致防潮性能降低，防止绝缘电阻减小，并且防止支撑腿和与支撑腿相邻的引线之间产生迁移，因此可以增强S0P7的可靠性。
[0131]此外，在第二支撑腿3e和3j因联结杆3g变形而被扯断之后，联结杆3g的变形冲击到块构件11并且停止，因此联结杆3g不再变形，使得可以防止与联结杆3g连接的各个内部引线3b变形。
[0132]注意的是，如图12中的J部分中所示，在位于各个内部引线3b的密封体4的外围内部的位置，形成诸如V形凹槽、台阶部分等的凹槽部分3p，因此可以防止由于液体从外部渗入导致防潮性能降低、绝缘电阻减小等，并且可以增强S0P7的可靠性。
[0133]接下来，将描述第二至第四修改形式。
[0134]图16是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第二修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图。图17是示出图16中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图，并且图18是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第三修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图。此外，图19是示出图18中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图。图20是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第四修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图，并且图21是示出图20中示出的引线框架的管芯焊盘的稳定性的局部平面图。
[0135]在图16和图17中示出的第二修改形式中，在并排设置两个管芯焊盘3a和3h的引线框架3中，如图16中的A部分中所示，与两个管芯焊盘3a和3h中的每一个连接的两个第二支撑腿3e和3j彼此相邻地布置，并且管芯焊盘3a和3h是均具有被三个支撑腿支撑于三个点的三点支撑构造的焊盘。
[0136]此外，三个支撑腿中的每一个的第二支撑腿3e和3j连接到联结杆3g。
[0137]另外在图16和图17中示出的第二修改形式的引线框架3中，如图17中所示，管芯焊盘3a的三角形A和管芯焊盘3h的三角形B的三角形形状都很好地平衡，因此可以发现，管芯焊盘3a和3h处于高度稳定的支撑状态。
[0138]另外，在图18和图19中示出的第三修改形式中，在并排设置两个管芯焊盘3a和3h的引线框架3中，如图18中的部分A中所示，与两个管芯焊盘3a和3h中的每一个连接的两个第二支撑腿3e和3j彼此相邻地布置，并且第二支撑腿3e和3j中的每一个连接到联结杆3g。
[0139]因此，管芯焊盘3a和3h都具有被三个支撑腿支撑的三点支撑构造。
[0140]另外在图18和图19中示出的第三修改形式的引线框架3中，如图19中所示，管芯焊盘3a的三角形A和管芯焊盘3h的三角形B的三角形形状都很好地平衡，因此可以发现，管芯焊盘3a和3h处于高度稳定的支撑状态。
[0141]另外，在图20和图21中示出的第四修改形式中，在并排设置两个管芯焊盘3a和3h的引线框架3中，与两个管芯焊盘3a和3h分别连接的两个第二支撑腿3e和3j中的每一个被布置在内部引线3b之间并且连接到联结杆3g，如图20中的部分A中所示。此外，一个管芯焊盘3a还由图20中的B部分中示出的、与联结杆3g连接的第四支撑腿3m支撑。
[0142]也就是说，管芯焊盘3a具有被四个支撑腿支撑的四点支撑构造并且管芯焊盘3h具有被三个支撑腿支撑的三点支撑构造。
[0143]图20和图21中示出的第四修改形式的引线框架3还包括具有四点支撑构造的管芯焊盘3a和具有三点支撑构造的管芯焊盘3h，并且如图21中所示，管芯焊盘3a的四边形A的四边形形状和管芯焊盘3h的三角形B的三角形形状很好地平衡，因此可以发现，管芯焊盘3a和3h处于高度稳定的支撑状态。
[0144]另外在通过使用上述的第二至第四修改形式的引线框架3组装的S0P7中，可以得到与通过图1至图3中示出的S0P7以及通过组装S0P7而得到的效果相同的效果。
[0145]接下来，将描述第五至第七修改形式。
[0146]图22是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第五修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图和局部剖视图。图23是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第六修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图。图24是示出沿着图23中的A-A线截取的结构的剖视图。另外，图25是示出在组装实施例的半导体装置时使用的第七修改形式的引线框架的结构的放大局部平面图和局部剖视图。
[0147]图22中示出的第五修改形式是具有以下形状的引线框架3:以与图8中示出的引线框架3的管芯焊盘3a和3h相同的方式，两个管芯焊盘3a和3h并排设置，并且分别与两个管芯焊盘3a和3h连接的两个第二支撑腿3e和3j中的每一个布置在内部引线3b之间并且连接到联结杆3g。
[0148]此外，在一个管芯焊盘3a中，在支撑管芯焊盘3a的支撑腿的一些(这里，第一支撑腿3d和第三支撑腿3f)中和管芯焊盘3a的边缘部分中，形成弯曲部分3n。
[0149]也就是说，如图22中的A部分和B部分中所示，弯曲部分3n沿着支撑腿的延伸方向形成在第一支撑腿3d和第三支撑腿3f中，并且与以上的弯曲部分3n连接的另一个弯曲部分3n形成在管芯焊盘3a的边缘部分(末端部分)的一部分中。注意的是，弯曲部分3n可以如A部分和B部分中所示地被形成为使得支撑腿的横截面具有倒V形，或者可以被形成为使得横截面具有V形。
[0150]通过在管芯焊盘3a的边缘部分(末端部分)和支撑腿中形成弯曲部分3n，可以减小管芯接合过程、导线接合过程等中管芯焊盘3a的垂直移动(震动)。
[0151]此外，致使当执行树脂密封时图6中示出的树脂模制模具9的下模制模具9a和上模制模具％的接触表面的形状对应于支撑腿的弯曲部分3n的形状，因此可以减小当在树脂密封过程中注入树脂时管芯焊盘的垂直移动(震动)。结果，可以提高半导体装置的可靠性。
[0152]注意的是，管芯焊盘的边缘部分(末端部分)中和支撑腿中的弯曲部分3n可以形成在管芯焊盘的任何一个或支撑腿的任何一个中，或者可以形成在多个管芯焊盘或支撑腿中。
[0153]接下来，以与图8中示出的引线框架3的管芯焊盘3a和3h相同的方式，图23和图24中示出的第六修改形式是具有如下形状的引线框架3:两个管芯焊盘3a和3h并排布置，并且分别与两个管芯焊盘3a和3h连接的两个第二支撑腿3e和3j中的每一个布置在内部引线3b之间并且连接到联结杆3g。
[0154]在第六修改形式的引线框架3中，如图23中的Q部分和R部分中所不，在与管芯焊盘3a和3h中的每一个的四个边中的一个对应的至少一个边缘部分(末端部分)中形成折叠部分3ag。这里，如图24中所示，折叠部分3ag被形成为朝向下表面3ab和3hb折叠。
[0155]以此方式，通过将折叠部分3ag形成为朝向下表面3ab和3hb折叠,可以不妨碍半导体芯片1和2的安装。
[0156]注意的是，折叠部分3ag可以对应于管芯焊盘中的一个管芯焊盘的至少任一边形成。
[0157]如上所述，通过在管芯焊盘3a和管芯焊盘3h中形成折叠部分3ag，可以增强管芯焊盘3a和3h自身的硬度。结果，可以减小在管芯接合过程、导线接合过程和进一步的树脂密封过程中管芯焊盘3a和3h中的每一个的垂直移动(震动)。因此，可以增强半导体装置的可靠性。
[0158]此外，以与图8中示出的引线框架3的管芯焊盘3a和3h相同的方式，图25中示出的第七修改形式是具有如下形成的引线框架3:两个管芯焊盘3a和3h并排设置，并且分别与两个管芯焊盘3a和3h连接的两个第二支撑腿3e和3j中的每一个布置在内部引线3b之间并且连接到联结杆3g。
[0159]此外，图25中的引线框架3的形状是图22中的支撑腿和管芯焊盘的边缘部分(末端部分)中的弯曲部分3n (A部分和B部分)以及图23中的管芯焊盘的另一个边缘部分(另一个末端部分)中的折叠部分3ag (Q部分和R部分)的组合形状。
[0160]由此，管芯焊盘本身的硬度可以增强，同时，支撑腿的硬度也可以增强。
[0161]结果，可以减小在管芯接合过程、导线接合过程等中管芯焊盘3a的垂直移动(震动)。此外，致使当执行树脂密封时图6中示出的树脂模制模具9的下模制模具9a和上模制模具％的接触表面的形状对应于支撑腿的弯曲部分3n的形状，因此可以减小当在树脂密封过程中注入树脂时管芯焊盘的垂直移动(震动)。
[0162]结果，可以增强半导体装置的可靠性。
[0163]注意的是，管芯焊盘的边缘部分(末端部分)中的折叠部分3ag和弯曲部分3n和支撑腿中的弯曲部分3n可以形成在管芯焊盘的任何一个或支撑腿的任何一个中，或者可以形成在多个管芯焊盘或支撑腿中。
[0164]尽管已经基于实施例具体描述了发明人做出的发明，但不用说，本发明不限于以上的实施例，并且可以在不脱离本发明要旨的范围内进行各种修改。
[0165]例如，在上述实施例中，虽然采用S0P并且将S0P描述为半导体装置的例子，但半导体装置可以是其它半导体装置，只要半导体装置包括管芯焊盘和支撑管芯焊盘的支撑腿。也就是说，半导体装置可以是除了 S0P之外的离散器件，并且进一步地，可以是诸如QFN(四侧无引脚扁平封装)或QFP (四侧引脚扁平封装)。
【权利要求】
1.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括以下步骤:(a)设置引线框架，所述引线框架包括:多个管芯焊盘，所述多个管芯焊盘的上表面在平面图中形成矩形形状；多个支撑腿，所述多个支撑腿支撑所述管芯焊盘中的每一个；多个内部引线，所述多个内部引线布置在所述管芯焊盘周围；多个外部引线，所述多个外部引线连接到所述内部引线中的每一个；和联结杆，所述联结杆将所述外部引线彼此耦合。(b)在步骤(a)之后，在所述管芯焊盘的所述上表面上安装半导体芯片，所述半导体芯片包括:主表面、形成在所述主表面中的多个电极焊盘，和与所述主表面相反的后表面；(c)在步骤(b)之后，经由多个导线将所述半导体芯片的所述电极焊盘分别电耦合到所述内部引线；以及(d)在步骤(c)之后，形成密封体，所述密封体密封所述支撑腿、所述内部引线、所述半导体芯片和所述导线，其中，所述管芯焊盘中的每一个并排布置，所述支撑腿包括:第一支撑腿，所述第一支撑腿连接到所述外部引线；第二支撑腿，所述第二支撑腿布置在所述内部引线中的两个之间并且连接到所述联结杆；和第三支撑腿，所述第三支撑腿连接到所述管芯焊盘的与所述第一支撑腿和所述第二支撑腿分别连接到的边不同的边，并且其中，所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和第三支撑腿与所述管芯焊盘中的每一个一起一体地形成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在步骤(d)之后，当 切断所述联结杆时，同时切断所述第二支撑腿。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在步骤(d)中，通过由形成所述密封体的密封树脂向树脂模制模具的注入压力对所述联结杆施压，来扯断所述第二支撑腿，并且此后通过所述密封树脂覆盖所述第二支撑腿的顶端。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，在将所述密封树脂注入所述树脂模制模具之前，在设置与所述联结杆的间隙的情况下布置块构件，并且此后，注入所述密封树脂。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第二支撑腿中形成凹槽部分或台阶部分。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，设置两个管芯焊盘，并且分别连接到所述两个管芯焊盘的两个第二支撑腿被布置成彼此相邻。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述两个管芯焊盘彼此面对，并且具有所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和所述第三支撑腿中的任何一个没有连接到的边。
8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体器件包括第四支撑腿，所述第四支撑腿支撑所述管芯焊盘中的任何一个并且连接到所述联结杆。
9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述管芯焊盘中的每一个的边缘部分中形成折叠部分。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和所述第三支撑腿中的至少任何一个中形成弯曲部分。
11.一种半导体装置，包括: 多个管芯焊盘，所述多个管芯焊盘中的每一个包括上表面和与所述上表面相反的下表面，所述上表面在平面图中形成矩形形状；多个支撑腿，所述多个支撑腿支撑所述管芯焊盘中的每一个；多个内部引线，所述多个内部引线布置在所述管芯焊盘周围；多个外部引线，所述多个外部引线连接到所述内部引线中的每一个；半导体芯片，所述半导体芯片包括主表面和与所述主表面相反的后表面，并且在所述半导体芯片中，在所述主表面中形成有多个电极焊盘，所述半导体芯片安装在所述管芯焊盘上，使得所述后表面面对所述管芯焊盘的上表面；多个导线，所述多个导线将所述半导体芯片的所述电极焊盘分别电耦合到所述内部引线；以及密封体，所述密封体密封所述支撑腿、所述内部引线、所述半导体芯片和所述导线，其中，所述管芯焊盘中的每一个并排布置，所述支撑腿包括:第一支撑腿，所述第一支撑腿连接到所述外部引线；第二支撑腿，所述第二支撑腿布置在所述内部引线中的任何两个之间；和第三支撑腿，所述第三支撑腿连接到所述管芯焊盘的与所述第一支撑腿和所述第二支撑腿连接到的边不同的边，并且其中，所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和第三支撑腿与所述管芯焊盘中的每一个一起一体地形成。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第二支撑腿被终止在所述密封体内部。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述第二支撑腿的顶端被掩埋在所述密封体内部。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，在所述管芯焊盘中的每一个的边缘部分中形成折叠部分。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，在所述第一支撑腿、所述第二支撑腿和所述第三支撑腿中的至少任何一个中形成弯曲部分。
【文档编号】H01L23/31GK103681379SQ201310403642
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月6日 优先权日:2012年9月7日
【发明者】金田芳晴, 谷口直子 申请人:瑞萨电子株式会社
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