技术总结
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，装置包括：衬底和位于衬底上的绝缘层；碳纳米管，位于绝缘层上方，包括导电类型不同的第一部分和第二部分，第一部分的第一端部和第二部分的第一端部相连；在第一部分和第二部分的沟道区和第一端部的表面均包围有叠层结构；分别包围第一部分和第二部分的沟道区的叠层结构的多个第一电极和多个第二电极；分别包围第一部分和第二部分的第二端部的第三电极和第四电极；在第一部分的第一端部和第二部分的第一端部的连接处形成的第五电极；其中，碳纳米管由第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、或第五电极支撑以位于绝缘层上方。本发明实施例增强了浮置栅极对沟道的控制能力。
技术研发人员：肖德元;
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;
文档号码：201410856188
技术研发日：2014.12.29
技术公布日：2016.07.27