一种led封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种LED封装结构，包括：一支架，其具有凹槽；第一导电层，其位于所述凹槽的底部的中央；第二导电层，其位于所述第一导电层的周边且不与第一导电层连接；LED芯片，其位于所述第一导电层上；封装胶层，其容纳于所述支架的凹槽内并覆盖所述LED芯片；高密度硅胶层，其覆盖于所述封装胶层的表面，所述高密度硅胶层与所述支架将所述封装胶层、LED芯片及导电层密封于所述凹槽内。本实用新型的LED封装结构，在封装胶层涂布一层高密度硅胶层，该高密度硅胶层气密性好，其能够隔离S(硫)元素，使得S元素不会进入到支架内，从而达到很好的抗硫化效果，大大延长了LED灯的寿命。
【专利说明】一种LED封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及照明领域，尤其涉及一种LED封装结构。
【背景技术】
[0002]—直以来,半导体照明、显不市场对于白光LED的高光效、高可靠性、低光衰、长寿命、高性价比的要求从未间断过。早期的LED主要以直插式为主，由于结构的限制，采用环氧树脂进行封装，因而无法有效突破散热问题，来达到降低光衰提高使用寿命。TOP LED(顶部发光LED)封装的出现解决了这个技术难题。由于其尺寸小，对封装胶的选择更自由，行业内通过选用高分子有机硅胶(俗称硅胶)取代传统的环氧树脂来作为照明显示领域LED的外封胶，基本解决了光衰过快的问题。
[0003]现有的LED封装结构含有一个支架，为了提高晶片的反射效率，支架底部采用镀银工艺处理。晶片的固定在支架上，固定后，使用金线连接到支架的正、负两极。然后荧光粉和封装胶混合灌在支架内。现有的LED封装使用硅胶封装来提升LED产品的寿命，解决了光衰的问题，但由于硅胶本身具有的透湿透氧的特性，使空气中的硫分子可以透过硅胶渗透到LED支架的镀银层，与银反应变成黑色的硫化银。
[0004]因此，有必要对现有技术中的缺陷做进一步改进。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于提供一种LED封装结构，其能够隔离S(硫)元素，使得S元素不会进入到支架内，从而达到很好的抗硫化效果，大大延长了 LED灯的寿命。
[0006]为达成前述目的，本实用新型一种LED封装结构，其包括:
[0007]一支架，其具有凹槽；
[0008]第一导电层，其位于所述凹槽的底部的中央；
[0009]第二导电层，其位于所述第一导电层的周边且不与第一导电层连接；
[0010]LED芯片,其位于所述第一导电层上；
[0011]封装胶层，其容纳于所述支架的凹槽内并覆盖所述LED芯片；
[0012]高密度硅胶层，其覆盖于所述封装胶层的表面，
[0013]所述高密度硅胶层与所述支架将所述封装胶层、LED芯片及导电层密封于所述凹槽内。
[0014]作为本实用新型一个优选的实施例，其还包括导电线，通过所述导电线将所述LED芯片上的正负极连接，通过所述导电线将所述LED芯片与第二导电层连接。
[0015]作为本实用新型一个优选的实施例，所述第二导电层为镀银层。
[0016]作为本实用新型一个优选的实施例，所述第一导电层为镀银层。
[0017]作为本实用新型一个优选的实施例，所述高密度硅胶层与所述支架的顶部平齐。
[0018]作为本实用新型一个优选的实施例，所述高密度硅胶层的厚度为封装胶层厚度的五分之一至四分之一倍。
[0019]作为本实用新型一个优选的实施例，所述支架凹槽的顶部为LED封装结构的出光面。
[0020]作为本实用新型一个优选的实施例，所述凹槽的形状为倒梯形形状。
[0021]作为本实用新型一个优选的实施例，所述LED芯片的数量为若干个。
[0022]本实用新型的有益效果:与现有技术相比，本实用新型的LED封装结构，在封装胶层涂布一层高密度硅胶层，该高密度硅胶层气密性好，其能够隔离硫元素，使得硫元素不会进入到支架内，从而达到很好的抗硫化效果，大大延长了 LED灯的寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1是本实用新型LED封装结构的结构示意图。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
[0025]此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本实用新型至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
[0026]请参阅图1，其为本实用新型LED封装结构的结构示意图。所述LED封装结构包括一支架1、第一导电层21、第二导电层22、LED芯片3、导电线4、封装胶层5及高密度硅胶层6。
[0027]所述支架1，其具有凹槽11。所述凹槽11的形状为倒梯形形状。所述LED芯片3位于凹槽11的底部(即倒梯形的短边)，所述支架I凹槽11的顶部(即倒梯形的长边)为LED封装结构的出光面。本实用新型的倒梯形形状的凹槽11可以保证LED芯片的最大发光角度，提高了光效的利用率。
[0028]所述第一导电层21，其位于所述凹槽11的底部的中央。所述第一导电层21为导电性能好的镀银层。
[0029]所述第二导电层22，其位于所述第一导电层21的周边的凹槽11的底部，所述第二导电层22不与第一导电层21连接。所述第二导电层22为导电性能好的镀银层。
[0030]所述LED芯片3，其位于所述第一导电层21上。通过所述导电线4将所述LED芯片3上的正负极连接，通过所述导电线4将所述LED芯片3与第二导电层22连接。通过第二导电层22对所述LED芯片3提供电源以供发光。本实用新型中，所述LED芯片3的数量为一个或多个，该一个LED芯片3是封装在一个支架I内的，或者该多个LED芯片3是同时封装在一个支架I内的。
[0031]所述封装胶层5，其容纳于所述支架I的凹槽11内并覆盖所述LED芯片3。在一个实施例中，所述封装胶层5为荧光层。
[0032]所述高密度硅胶层6，其覆盖于所述封装胶层5的表面。为了保证所述高密度硅胶层6的封闭性能，所述高密度硅胶层6与所述支架I的顶部平齐。所述高密度硅胶层6与所述支架I将所述封装胶层5、LED芯片3及导电层2密封于所述凹槽11内。由于所述高密度硅胶层6的气密性好，可以很好的隔离空气中的硫元素，使得硫元素不会通过高密度硅胶层6进入到所述支架I内，从而达到了很好的抗硫化效果，大大延长了 LED封装结构的使用寿命。在该实施例中，为了保证所述LED芯片3的光效，所述高密度硅胶层6的厚度为封装胶层5厚度的五分之一至四分之一倍。在其他实施例中，可根据实际情况具体设置所述高密度硅胶层6的厚度。
[0033]本实用新型的LED封装结构，在封装胶层涂布一层高密度硅胶层，该高密度硅胶层气密性好，其能够隔离硫(S)元素，使得硫元素不会进入到支架内，从而达到很好的抗硫化效果，大大延长了 LED灯的寿命。
[0034]上述说明已经充分揭露了本实用新型的【具体实施方式】。需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本实用新型的【具体实施方式】所做的任何改动均不脱离本实用新型的权利要求书的范围。相应地，本实用新型的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述【具体实施方式】。
【权利要求】
1.一种LED封装结构，其特征在于:其包括: 一支架，其具有凹槽； 第一导电层，其位于所述凹槽的底部的中央； 第二导电层，其位于所述第一导电层的周边且不与所述第一导电层连接； LED芯片，其位于所述第一导电层上； 封装胶层，其容纳于所述支架的凹槽内并覆盖所述LED芯片； 高密度硅胶层，其覆盖于所述封装胶层的表面， 所述高密度硅胶层与所述支架将所述封装胶层、LED芯片及导电层密封于所述凹槽内。
2.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于:其还包括导电线，通过所述导电线将所述LED芯片上的正负极连接，通过所述导电线将所述LED芯片与第二导电层连接。
3.根据权利要求2所述的LED封装结构，其特征在于:所述第二导电层为镀银层。
4.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于:所述第一导电层为镀银层。
5.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于:所述高密度硅胶层与所述支架的顶部平齐。
6.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于:所述高密度硅胶层的厚度为封装胶层厚度的五分之一至四分之一倍。
7.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于:所述支架凹槽的顶部为LED封装结构的出光面。
8.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于:所述凹槽的形状为倒梯形形状。
9.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于:所述LED芯片的数量为若干个。
【文档编号】H01L33/56GK203967125SQ201420423370
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年7月29日 优先权日:2014年7月29日
【发明者】郝广宁, 李秀富, 郝寿建 申请人:苏州东山精密制造股份有限公司