技术总结
本发明公开了一种SiC基器件的栅介质层的形成方法，该形成方法包括以下步骤：提供SiC衬底；在所述SiC衬底之上形成氧化硅层；在所述氧化硅层之上形成金属层；对所述金属层进行热处理以形成金属氧化物层；以及在所述金属氧化层之上形成栅电极。本发明的SiC基器件的栅介质层的形成方法，可以提高SiC基器件的抗击穿能力和稳定性，提高电子迁移率，降低漏电流，提高制备效率。本发明还提出一种采用该方法形成的SiC基器件的栅介质层结构。
技术研发人员：姚金才;朱超群;陈宇
受保护的技术使用者：比亚迪股份有限公司
文档号码：201510135975
技术研发日：2015.03.26
技术公布日：2016.11.23