半导体封装模块的制作方法

文档序号:12407342阅读:192来源:国知局
半导体封装模块的制作方法与工艺

本实用新型的实施例总体涉及半导体封装,更具体地,涉及包括互连构件的半导体封装模块、包括其的存储卡和电子系统。



背景技术:

随着高性能电子系统逐渐按比例缩小以及对便携式电子系统的需求日益增加,半导体装置在便携式电子系统中占据的空间已经减少,并且需要多功能的电子系统。因此,不断需求紧凑且大容量的半导体存储装置。

另外,随着对便携式和可佩戴式电子设备的兴趣的增加,逐渐需求柔性电子系统,即,电子系统可被弯曲或折叠。能够将基板或设置在基板上的半导体芯片的厚度缩减至足够允许弯曲的厚度。然而,难以使电连接半导体芯片和基板的互连构件具有这种类型的柔性。当互连构件被卷曲或扭曲时,拉应力或压应力可被施加,因此,互连构件可与连接焊盘分开或可被切断。当互连构件与连接焊盘分开或被损坏时,半导体封装将出现性能问题,且进一步的,半导体封装的可靠性被损害。因此,需要一种封装结构,即使当半导体芯片或其基板被卷曲或扭曲时,该封装结构也能够维持其相关互连构件的电连接。



技术实现要素:

根据实施例,可提供一种半导体封装模块。半导体封装模块可包括第一基板、设置为朝向第一基板的第二基板以及将第一基板电连接至第二基板且包括多条导线的互连构件。多条导线的部分可被扭曲并缠绕在一起且可被弯曲以在预定方向延伸。

根据实施例,可提供一种半导体封装模块。半导体封装模块可包括具有表面的电路基板。在表面上可设置键合焊盘。半导体封装模块 可包括包含半导体芯片并可被设置为朝向电路基板的键合焊盘的半导体封装。半导体封装模块可包括将电路基板的键合焊盘电连接至半导体封装且可包括多条导线的互连构件。多条导线的部分可被扭曲并缠绕在一起且可被弯曲以在预定方向延伸。

根据实施例,可提供一种包括半导体封装模块的存储卡。半导体封装模块可包括第一基板和设置为朝向第一基板的第二基板。半导体封装模块可包括互连构件,互连构件将第一基板电连接至第二基板且包括多条导线。多条导线的部分可被扭曲并缠绕在一起且可被弯曲以在预定方向延伸。

根据实施例,可提供一种包括半导体封装模块的存储卡。半导体封装模块可包括电路基板。半导体封装模块可包括包含半导体芯片并被设置为朝向电路基板的键合焊盘的半导体封装。半导体封装模块可包括将电路基板的键合焊盘电连接至半导体封装且可包括多条导线的互连构件。多条导线的部分可被扭曲并缠绕在一起且可被弯曲以在预定方向延伸。

根据实施例,可提供一种包括半导体封装模块的电子系统。半导体封装模块可包括第一基板和设置为朝向第一基板的第二基板。半导体封装模块可包括互连构件,互连构件将第一基板电连接至第二基板且可包括多条导线。多条导线的部分可被扭曲并缠绕在一起且可被弯曲以在预定方向延伸。

根据实施例,可提供一种包括半导体封装模块的电子系统。半导体封装模块可包括具有表面的电路基板。在表面上可设置键合焊盘。半导体封装模块可包括包含半导体芯片并被设置为朝向电路基板的键合焊盘的半导体封装。半导体封装模块可包括将电路基板的键合焊盘电连接至半导体封装的互连构件且可包括多条导线。多条导线的部分可被扭曲并缠绕在一起且可被弯曲以在预定方向延伸。

根据实施例,可提供一种半导体封装模块。半导体封装模块可包 括第一基板、设置为朝向第一基板的第二基板以及互连构件,其中,互连构件将第一基板电连接至第二基板且包括多条导线。多条导线的部分可被扭曲并缠绕在一起以防止多条导线从第二基板断开第一基板。

根据一个实施例,可提供一种半导体封装模块。其包括:电路基板,其具有表面;键合焊盘,其被设置在表面上;半导体封装,其包括半导体芯片并被设置为朝向电路基板的键合焊盘;以及互连构件,其将电路基板的键合焊盘电连接至半导体封装并包括多条导线,其中,多条导线的部分被扭曲并缠绕在一起且被弯曲以在预定方向延伸。

根据一个实施例,每条所述导线均包括多股。

根据一个实施例,所述电路基板包括印刷电路板(PCB)、有机基板或绝缘基板。

根据一个实施例,所述半导体封装包括封装基板,且所述半导体芯片被安装在所述封装基板上;其中,所述封装基板包括第一表面,第一基板焊盘被设置在所述封装基板的所述第一表面上,其中,所述封装基板包括第二表面,连接至所述互连构件的一端的第二基板焊盘被设置在所述封装基板的所述第二表面上,其中,所述第一表面与所述第二表面相对。

根据一个实施例,其中,所述多条导线包括第一导线部分和第二导线部分;其中,所述第一导线部分包括设置为从所述键合焊盘朝向所述第二基板焊盘延伸的第一线部分和在所述预定方向以波形形状弯曲的第一波形部分;其中,所述第二导线部分包括设置为从所述第二基板焊盘朝向所述键合焊盘延伸的第二线部分和在所述预定方向以波形形状弯曲的第二波形部分;以及其中,所述第一波形部分和所述第二波形部分被扭曲并缠绕在一起成为螺旋形状。

根据一个实施例,进一步包括保护构件,所述保护构件覆盖所述第一波形部分的与所述第一线部分相对的一端和所述第二波形部分的 与所述第二线部分相对的一端。

根据一个实施例,所述保护构件包括包含硅树脂的聚合物。

根据一个实施例,其中,所述多条导线包括第一导线部分、第二导线部分、第三导线部分和第四导线部分;其中,所述预定方向是与所述第一基板和所述第二基板的表面平行的第一方向;其中,所述第一导线部分包括从所述第二基板焊盘朝向所述键合焊盘延伸的第一波形部分和在所述第一方向从所述第一波形部分延伸的第二波形部分;其中,所述第二导线部分包括从所述键合焊盘朝向所述第二基板焊盘延伸的第三波形部分和在所述第一方向从所述第三波形部分延伸的第四波形部分;其中,所述第三导线部分包括从所述第二基板焊盘朝向所述键合焊盘延伸的第五波形部分和在与所述第一方向相反的第二方向从所述第五波形部分延伸的第六波形部分;其中,所述第四导线部分包括从所述键合焊盘朝向所述第二基板焊盘延伸的第七波形部分和在所述第二方向从所述第七波形部分延伸的第八波形部分;其中,所述第一波形部分和所述第五波形部分被扭曲并以螺旋形状缠绕在一起以提供所述互连构件的第一端;其中,所述第二波形部分和所述第四波形部分被扭曲并以螺旋形状缠绕在一起以提供所述互连构件的第二端;其中,所述第三波形部分和所述第七波形部分被扭曲并以螺旋形状缠绕在一起以提供所述互连构件的第三端;以及其中,所述第六波形部分和所述第八波形部分被扭曲并以螺旋形状缠绕在一起以提供所述互连构件的第四端。

根据一个实施例,进一步包括分别覆盖所述第二端和所述第四端的保护构件。

根据一个实施例,所述保护构件中的每个均包括包含硅树脂的聚合物。

根据一个实施例,所述互连构件包括金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)。

附图说明

图1是示出根据实施例的半导体封装模块的示例的代表的截面视图。

图2是示出应用在图1的半导体封装模块中的互连结构的示例的代表的部分“X”的放大图。

图3是示出图2的互连构件的示例的代表的截面视图。

图4是示出根据实施例的半导体封装模块的应力释放动作的示例的代表的截面视图。

图5是示出根据实施例的半导体封装模块的示例的代表的截面视图。

图6是示出应用在图5的半导体封装模块中的互连结构的示例的代表的部分“X”的放大图。

图7是示出图6所示的互连结构的示例的代表的截面视图。

图8是示出图5所示的半导体封装模块的应力释放动作的示例的代表的截面视图。

图9是示出根据一些实施例的包括至少一个半导体封装模块的电子系统的示例的代表的框图。

图10是示出根据一些实施例的包括至少一个半导体封装模块的电子系统的示例的代表的框图。

具体实施方式

现在,在下文中将参照附图描述各种实施例;然而,实施例可以不同的形式呈现且不应被解释为限于在本文中提出的实施例。而是,这些实施例被提供使得本公开将是彻底且完整的,并将本公开的范围充分传达给本领域技术人员。

相同的参考数字在整个说明中表示相同的元件。因此,即使参照一个图未提到或描述参考数字,但可参照另一个图提到或描述参考数字。

各种实施例可涉及包括互连构件的半导体封装模块、包括其的存 储卡以及包括其的电子系统。

图1是示出根据实施例的半导体封装模块1000的示例的代表的截面视图。图2是示出图1的部分“X”的截面视图。图3是示出图2所示的互连构件的示例的代表的截面视图。图4是示出根据实施例的半导体封装模块的应力释放动作的示例的代表的截面视图。

参照图1和2,半导体封装模块1000可包括电路基板160、半导体封装100以及将半导体封装100电连接至电路基板160的第一互连构件190。

电路基板160可以是包括彼此相对的前侧表面160a和后侧表面160b的板构件。多个键合焊盘165可被设置在电路基板160的前侧表面160a上并在其上彼此隔开。键合焊盘165可包含铝(Al)或铜(Cu)。

电路基板160可包括,例如但不限于,印刷电路板(PCB)、有机基板或绝缘基板。当电路基板160为PCB时,电路基板160可包括刚性类型的PCB或柔性类型的PCB。当电路基板160为绝缘基板时,电路基板160可包含绝缘材料。在实施例中,绝缘材料可包括在室温下具有约19835.2Mpa至约25244.8Mpa的弹性系数且在200摄氏度以上的温度下具有约313.6Mpa至约1254.4Mpa的弹性系数的硅树脂。当电路基板160为有机基板时,电路基板160可包含有机材料。在实施例中,有机材料可包括在室温下具有约2.93Mpa至约3.73Mpa的弹性系数且在200摄氏度以上的温度下具有约0.82Mpa至约3.27Mpa的弹性系数的环氧树脂。在一些实施例中,电路基板160可以是其中堆叠多个电路基板的多层PCB。尽管未在附图中示出,但其它焊盘可被设置在与前侧表面160a相对的后侧表面160b上且可被电连接至另一个半导体封装模块或电子元件,其中,前侧表面160a上设置有键合焊盘165。

半导体封装100可被设置在电路基板160的前侧表面160a上使得半导体封装100的前侧表面朝向电路基板160的前侧表面160a。半导体封装100可包括安装在封装基板105上的半导体芯片130和设置在半导体 芯片130和封装基板105之间的连接端子135。封装基板105可包括主体部分并可具有彼此相对的第一表面105a和第二表面105b。封装基板105可以是包括PCB、有机基板或绝缘基板的板构件。

第一基板焊盘110可被设置在封装基板105的第一表面105a上。第二基板焊盘115可被设置在封装基板105的第二表面105b上且可被连接至第一互连构件190。第一基板焊盘110可在封装基板105的第一表面105a上以至少两列设置且彼此隔开,但不限于此。第一基板焊盘110或第二基板焊盘115可包括,例如但不限于,Al或Cu。

第一互连图形(pattern)120可被设置在封装基板105中以将第一基板焊盘110电连接至第二基板焊盘115。例如,第一互连图形120的第一端可接触第一基板焊盘110,且第一互连图形120的第二端可接触第二基板焊盘115。第一互连图形120中的每个可包括多个互连层。

半导体芯片130可被设置在封装基板105的第一表面105a上。诸如晶体管的有源器件可形成在半导体芯片130中。在一些实施例中,诸如电容器和/或电阻器的无源器件也可形成在半导体芯片130中。半导体芯片130可包括彼此相对的第一表面130a和第二表面130b。半导体芯片130的有源表面邻近第一表面130a。因此,半导体芯片130的第一表面130a可对应邻近半导体芯片130的有源区域的前侧表面,且半导体芯片130的第二表面130b可对应后侧表面。包括栅极和源极/漏极区域的晶体管(未示出)以及诸如位线的电路图形(未示出)可设置在半导体芯片130的第一表面130a上。连接焊盘133可额外地设置在半导体芯片130的第一表面130a上。连接焊盘133可由例如Al或Cu的导电材料形成以将半导体芯片130电连接至封装基板105。例如,封装基板105和半导体芯片130可通过连接焊盘133和连接端子135彼此电连接。连接端子135可设置在连接焊盘133上且可以是焊锡凸块。连接端子135可附接至封装基板105的第一基板焊盘110。封装基板105和半导体芯片130之间的空间可装满底层填充(under-filling)材料140。

模制构件150可设置在封装基板105的第一表面105a上以覆盖半导体芯片130。模制构件150可包括环氧模塑料(EMC)、硬化剂以及有机或无机填充剂。模制构件150可物理地或化学地保护半导体芯片130和封装基板105免受外部环境的影响。绝缘图形155可设置在封装基板105的第二表面105b上。绝缘图形155可被设置以覆盖封装基板105的第二表面105b上的第二基板焊盘115。绝缘图形155可包括阻焊材料。

电路基板160和半导体封装100可通过第一互连构件190彼此电连接。第一互连构件190中的每个可包括导线170和180。导线170和180可被扭曲在一起。导线170和180中的每个可包括多股。参照图2,第一互连构件190中的每个可包括第一导线部分170和第二导线部分180。第一导线部分170可包括在垂直于或基本垂直于电路基板160的竖直方向延伸的第一线部分170a和在水平方向或基本水平方向从第一线部分170a延伸以具有弯曲的且扭曲的形状的第一波形部分170b。第二导线部分180可包括在垂直于或基本垂直于封装基板105的竖直方向延伸的第二线部分180a和从第二线部分180a水平地延伸或基本上水平地延伸以具有与第一波形部分170b扭曲的弯曲的形状的第二波形部分180b。第一互连构件190中的每个可包含Au、Ag或Cu。

第一导线部分170的第一波形部分170b和第二导线部分180的第二波形部分180b可缠绕在一起成为螺旋形状或大体螺旋形状。在实施例中,第一波形部分170b和第二波形部分180b被示为在一个方向例如X轴(参见图1)弯曲,但不限于此。第一波形部分170b和第二波形部分180b可被扭曲并以螺旋形状缠绕在一起以彼此接触。因此,构成每个第一互连构件190中的第一波形部分170b和第二波形部分180b可彼此电连接。在实施例中,第一波形部分170b和第二波形部分180b可被缠绕以在其端部181不彼此接触。在实施例中,第一波形部分170b和第二波形部分180b可在端部181彼此接触。第一互连构件190的一端可通过第一连接构件157a连接至封装基板105的第二基板焊盘115,且第一互 连构件190的另一端可通过第二连接构件157b连接至电路基板160的键合焊盘165。

在实施例中,如图3所示,第一互连构件190可包括以螺旋形状缠绕在一起的第一波形部分170b和第二波形部分180b,且可进一步包括在端部181处的保护构件195。保护构件195可被设置以覆盖第一互连构件190的端部181的暴露表面。覆盖第一互连构件190的端部181的保护构件195可防止彼此邻近设置的第一互连构件190之间的电连接。另外,保护构件195可固定第一波形部分170b和第二波形部分180b,从而使得第一波形部分170b和第二波形部分180b不彼此分开。在实施例中,保护构件195可具有管状形状或大体管状形状。保护构件195可包括绝缘材料。在实施例中,保护构件195可包括诸如硅树脂的聚合物。

第一互连构件190可包括扭曲在一起的第一导线170(或第一导线部分170)和第二导线180(或第二导线部分180)。第一导线170和第二导线180之间的接触区域可增加以降低第一导线170和第二导线180之间的电接触电阻值。第一互连构件190可不与第二基板焊盘115或键合焊盘165分离,或即使半导体封装模块1000弯曲或卷曲也可以不被损坏。例如,如图4所示,当外力F1被局部施加至半导体封装模块1000的边缘时,被施加外力F1的半导体封装模块1000的边缘处的半导体封装100和电路基板160之间的距离可被减少至第一高度H1。相反地,未被施加外力F1的半导体封装模块1000的另一个边缘处的半导体封装100和电路基板160之间的距离可增加至第二高度H2。第二高度H2可大于第一高度H1。

由于半导体封装100和电路基板160之间的距离根据施加外力F1的位置而变化,拉应力可被施加至第一互连构件190的某一些,且压应力可被施加至第一互连构件190的其它一些上。例如,鉴于压应力可被施加至位于施加外力F1的部分的第一互连构件190,拉应力可被施加至位于未施加外力F1的部分的第一互连构件190。在拉应力被施加至第一互 连构件190的情况中,第一互连构件190的第一波形部分170b和第二波形部分180b可被释放或解开以增加第一互连构件190的总长度。因此,即使半导体封装100和电路基板160之间的距离由于外力F1而增加至第二高度H2,第一互连构件190可不被损坏或可不与第二基板焊盘115或键合焊盘165分开。因此,即使外力F1被施加至半导体封装模块1000的一部分,半导体封装模块1000可在没有任何损坏的情况下吸收外力F1。

图5是示出根据实施例的半导体封装模块2000的示例的代表的截面视图。图6是示出应用在图5的半导体封装模块2000中的互连结构的示例的代表的部分“X”的放大图。图7是示出根据实施例的互连结构的示例的代表的截面视图。图8是示出图5所示的半导体封装模块2000的应力释放动作的示例的代表的截面视图。

参照图5和图6,半导体封装模块2000可包括电路基板300、半导体封装200以及将电路基板300电连接至半导体封装200的第二互连构件330。基板300可以是包括彼此相对的前侧表面300a和后侧表面300b的板构件。多个键合焊盘310可被设置在电路基板300的前侧表面300a上并彼此隔开。多个键合焊盘310可包含Al或Cu。电路基板300可包括PCB、有机基板或绝缘基板。当电路基板300为PCB时,电路基板300可以是刚性类型的PCB或柔性类型的PCB。当电路基板300为绝缘基板时,电路基板300可包含绝缘材料。在实施例中,绝缘材料可包括在室温下具有约19835.2Mpa至25244.8Mpa的弹性系数且在200摄氏度以上的温度下具有约313.6Mpa至1254.4Mpa的弹性系数的硅树脂。当电路基板300为有机基板时,电路基板300可包含有机材料。在实施例中,有机材料可包括在室温下具有约2.93Mpa至3.73Mpa的弹性系数且在200摄氏度以上的温度下具有约0.82Mpa至约3.27Mpa的弹性系数的环氧树脂。

半导体封装200可设置在电路基板300上。半导体封装200可包括安 装在封装基板205上的半导体芯片230和将半导体芯片230电连接至封装基板205的连接端子235。封装基板205可包括彼此相对的第一表面205a和第二表面205b。第一基板焊盘210可设置在封装基板205的第一表面205a上。连接至第二互连构件330的第一端的第二基板焊盘215可设置在第二表面205b上。第一基板焊盘210可在封装基板205的第一表面205a上以至少两列设置且可彼此隔开。第一基板焊盘210或第二基板焊盘215可包括Al或Cu。封装基板205可包括其中的第一互连图形220。第一互连图形220中的每个可将第一基板焊盘210电连接至第二基板焊盘215。

半导体芯片230可设置在封装基板205的第一表面205a上。诸如晶体管的有源器件可形成在半导体芯片230中。在一些实施例中,诸如电容器和/或电阻器的无源器件也可形成在半导体芯片230中。半导体芯片230可包括彼此相对的第一表面230a和第二表面230b。连接焊盘233可额外地设置在半导体芯片230的第一表面230a上。连接焊盘233可由例如Al或Cu的导电材料形成。

封装基板205和半导体芯片230可通过连接焊盘233和连接端子235彼此电连接。连接端子235可以是例如焊锡凸块。连接端子235可附接至封装基板205的第一基板焊盘210。封装基板205和半导体芯片230之间的空间可装满底层填充材料240。

封装基板205的第一表面205a和半导体芯片230可用模制构件250来覆盖。模制构件250可包括环氧模塑料(EMC)、硬化剂以及有机或无机填充剂。模制构件250可物理地或化学地保护封装基板205和半导体芯片230免受外部环境的影响。绝缘图形255可设置在封装基板205的第二表面205b上。绝缘图形255可被设置以覆盖第二基板焊盘215和封装基板205的第二表面205b。绝缘图形255可包括阻焊材料。

电路基板300和半导体封装200可通过第二互连构件330彼此电连接。第二互连构件330中的每个可包括多个导线部分340、350、360和 370。多个导线部分340、350、360和370可被扭曲在一起。参照图6,第二互连构件330中的每个可包括第一导线部分340、第二导线部分350、第三导线部分360和第四导线部分370。第一导线部分340、第二导线部分350、第三导线部分360和第四导线部分370可彼此连接。例如,第一导线部分340可包括具有波形形状的第一波形部分340a和具有波形形状的第二波形部分340b。第二导线部分350可包括具有波形形状的第三波形部分350a和具有波形形状的第四波形部分350b。第三导线部分360可包括具有波形形状的第五波形部分360a和具有在一个方向弯曲的波形形状的第六波形部分360b。第四导线部分370可包括具有波形形状的第七波形部分370a和具有波形形状的第八波形部分370b。

第一导线部分340的第一波形部分340a可被扭曲并与第三导线部分360的第五波形部分360a缠绕成螺旋形状或大体螺旋形状以提供第二互连构件330中的一个的第一端。第一导线部分340的第二波形部分340b可被扭曲并与第二导线部分350的第四波形部分350b缠绕成螺旋形状或大体螺旋形状以提供第二互连构件330中的一个的第二端。第二导线部分350的第三波形部分350a可被扭曲并与第四导线部分370的第七波形部分370a缠绕成螺旋形状或大体螺旋形状以提供第二互连构件330中的一个的第三端。第四导线部分370的第八波形部分370b可被扭曲并与第三导线部分360的第六波形部分360b缠绕成螺旋形状或大体螺旋形状以提供第二互连构件330中的一个的第四端。例如,构成第二互连构件330中的每个的第一导线部分340、第二导线部分350、第三导线部分360和第四导线部分370的波形部分可被扭曲并彼此缠绕成螺旋形状或大体螺旋形状且可彼此连接。构成第二互连构件330中的每个的第一导线部分340、第二导线部分350、第三导线部分360和第四导线部分370的中央部分可彼此连接以提供菱形形状或大体菱形形状。第二互连构件330中的每个可包含Au、Ag或Cu。

第二互连构件330的第一端可通过第一连接构件260电连接至封装 基板205的基板焊盘215。第二互连构件330的第三端可通过第二连接构件320电连接至电路基板300的键合焊盘310。第一导线部分340、第二导线部分350、第三导线部分360和第四导线部分370中的每个可包括多股,被扭曲且缠绕在一起成为螺旋形状或大体螺旋形状并彼此接触。构成第一导线部分340、第二导线部分350、第三导线部分360和第四导线部分370中的每个的多股可彼此电连接。在一些实施例中,第二互连构件330的第二端381b和第四端381a可电浮动。第二互连构件330的第一端可从封装基板205朝向电路基板300延伸,且第二互连构件330的第二端可从电路基板300朝向封装基板205延伸。第二互连构件330的第三端可在与封装基板205和电路基板300的表面平行或大体平行的第一方向延伸。第二互连构件330的第四端381a可在对应于第一方向的反方向或大体反方向的第二方向延伸。

在实施例中,参照图7,第二互连构件330的第二端381b和第四端381a可用保护构件380覆盖或基本覆盖。保护构件380可被设置以仅覆盖构成第二互连构件330的第二端381b和第四端381a的波形部分的表面。在实施例中,每个保护构件380可具有管状形状或大体管状形状。保护构件380可防止相邻的第二互连构件330彼此接触。保护构件380可固定导线部分340、350、360和370,从而使得导线部分340、350、360和370彼此不分开。每个保护构件380可包括绝缘材料。在实施例中,保护构件380可包括诸如硅树脂的聚合物。

第二互连构件330中的每个可包括多个扭曲的导线部分340、350、360和370,且导线部分340、350、360和370中的每个可包括多个扭曲的股。因此,第二互连构件330与第二互连构件330的每个导线部分340、350、360和370都包括单股的示例相比可具有相对高的拉伸强度。具体地,第一波形部分340a和第五波形部分360a被扭曲并缠绕在一起以构成第二互连构件330的第一端且被连接至封装基板205的第二基板焊盘215。第三波形部分350a和第七波形部分370a被扭曲并缠绕在一起以构 成第二互连构件330的第三端且被连接至电路基板300的键合焊盘310。因此,如图8所示,即使外力F1被施加至封装模块2000,电路基板300和半导体封装200之间的电连接也可在没有任何故障的情况下被正常地保持,这是因为存在第二互连构件330。

上述半导体封装模块可应用于各种电子系统。

参照图9,根据实施例的半导体封装模块可应用于电子系统1710。电子系统1710可包括控制器1711、输入/输出单元1712和存储器1713。控制器1711、输入/输出单元1712和存储器1713可通过提供数据传输路径的总线1715彼此连接。

例如但不限于,控制器1711可包括至少一个微处理器、至少一个数字信号处理器、至少一个微控制器和能够执行与这些元件相同功能的逻辑器件中的至少任何一个。控制器1711和存储器1713中的至少一个可包括根据本公开的实施例的半导体封装模块中的至少任何一个。输入/输出单元1712可包括选自小键盘、键盘、显示装置、触摸屏等的至少一个。存储器1713为用于存储数据的装置。存储器1713可存储数据和/或待由控制器1711执行的命令等。

存储器1713可包括诸如DRAM的易失性存储装置和/或诸如闪速存储器的非易失性存储装置。例如,闪速存储器可被安装至诸如移动端或台式计算机的信息处理系统。闪速存储器可构成固态硬盘(SSD)。在该示例中,电子系统1710可稳定地将大量数据存储在闪速存储器系统中。

电子系统1710可进一步包括被配置为传输数据至通信网络并从通信网络接收数据的接口1714。接口1714可以是有线或无线类型的。例如,接口1714可包括天线或有线或无线收发器。

电子系统1710可被实现为移动系统、个人计算机、工业计算机或执行各种功能的逻辑系统。例如,移动系统可以是下列中的任何一种:个人数字助理(PDA)、便携式电脑、平板电脑、移动手机、智能手机、 无线手机、手提式电脑、存储卡、数字音乐系统以及信息传输/接收系统等。

在电子系统1710为能够执行无线通信的设备的实施例中,电子系统1710可用于通信系统,如,例如但不限于,CDMA(码分多址)、GSM(全球移动通信系统)、NADC(北美数字蜂窝)、E-TDMA(增强分时多址)、WCDMA(宽带码分多址移动通信系统)、CDMA2000、LTE(长期演进)以及Wibro(无线宽带上网)。

参照图10,根据实施例的半导体封装模块可以存储卡1800的形式设置。例如,存储卡1800可包括诸如非易失性存储装置的存储器1810和存储控制器1820。存储器1810和存储控制器1820可存储数据或读取存储的数据。存储器1810可包括应用本公开的实施例的封装技术的非易失性存储装置中的至少任何一个。存储控制器1820可以响应于来自主机1830的读取/写入请求控制存储器1810使得存储的数据被读出或数据被存储。

为了说明的目的,上文已经公开了本公开的实施例。本领域技术人员将理解的是,在不脱离如权利要求中所公开的本公开的范围和精神的情况下,各种变型、添加和替换是可能的。

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