半导体基板和半导体元件的制作方法

技术特征：

1.一种半导体基板，具有：

基板；

缓冲层，由所述基板上的含碳的氮化物类半导体构成；

高电阻层，由所述缓冲层上的含碳的氮化物类半导体构成；以及，

沟道层，由所述高电阻层上的氮化物类半导体构成；所述半导体基板的特征在于，

所述高电阻层，具有：

第一区域，所述第一区域的碳浓度比所述缓冲层低；以及，

第二区域，设置于所述第一区域与所述沟道层之间，并且所述第二区域的碳浓度比所述第一区域高。

2.如权利要求1所述的半导体基板，其中，所述第一区域包含过渡金属，所述第一区域的过渡金属浓度比所述第二区域的过渡金属浓度高。

3.如权利要求2所述的半导体基板，其中，所述第一区域的过渡金属浓度为1×10¹⁷原子/立方厘米以上且1×10²⁰原子/立方厘米以下。

4.如权利要求3所述的半导体基板，其中，所述第一区域的过渡金属浓度为1×10¹⁸原子/立方厘米以上且1×10¹⁹原子/立方厘米以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体基板，其中，所述第一区域包含过渡金属，所述第一区域的厚度为3nm以上且3000nm以下。

6.如权利要求1所述的半导体基板，其中，所述第一区域不包含过渡金属，所述第一区域的厚度为3nm以上且500nm以下。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体基板，其中，所述第一区域与所述缓冲层相连接。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体基板，其中，所述第一区域的碳浓度为小于1×10¹⁸原子/立方厘米，所述第二区域的碳浓度为1×10¹⁸原子/立方厘米以上且1×10¹⁹原子/立方厘米以下。

9.一种半导体元件，其特征在于，是使用权利要求1至8中任一项所述的半导体基板制作而成，并且在所述沟道层上设置有电极。