技术总结
本发明是一种半导体基板，具有：基板；缓冲层，由所述基板上的含碳的氮化物类半导体构成；高电阻层，由所述缓冲层上的含碳的氮化物类半导体构成；以及，沟道层，由所述高电阻层上的氮化物类半导体构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层，具有：第一区域，所述第一区域的碳浓度比所述缓冲层低；以及，第二区域，设置于所述第一区域和所述沟道层之间，并且所述第二区域的碳浓度比所述第一区域高。从而，提供一种半导体基板，能够一边维持高电阻层的高电阻一边提高结晶性，从而来降低漏泄电流，并且也提高被形成在所述半导体基板上的沟道层的结晶性，因而能够抑制沟道层中的电子迁移率的降低和电流坍塌的发生等。
技术研发人员：佐藤宪;鹿内洋志;后藤博一;篠宫胜;萩本和德;土屋庆太郎
受保护的技术使用者：三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司
文档号码：201580020389
技术研发日：2015.03.12
技术公布日：2016.12.14