1.一种选择性发射极元件，其特征在于，包括：
半导体基板；
发射极层，包括位于上述基板上方并具有一定的周期的第1区域和位于上述第1区域之间的第2区域，其中上述第1区域的上表面的高度大于或等于第2区域的上表面的高度；以及
透明导电层，形成于上述发射基层上方。
2.根据权利要求1所述的选择性发射极元件，其特征在于：
上述第1区域的掺杂浓度大于或等于上述第2区域的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的选择性发射极元件，其特征在于：
上述发射极层的掺杂浓度从上述发射极层的表面向深度方向逐渐减小。
4.根据权利要求3所述的选择性发射极元件，其特征在于：
上述第1区域的上表面的掺杂浓度等于上述第2区域的表面的掺杂浓度。
5.根据权利要求1所述的选择性发射极元件，其特征在于：
上述第1区域采取向上凸起的形状。
6.根据权利要求5所述的选择性发射极元件，其特征在于：
上述第1区域包括与上述半导体基板的上表面呈锐角的倾斜部。
7.根据权利要求1所述的选择性发射极元件，其特征在于：
上述透明导电体图案包括铟锡氧化物、铝锌氧化物、氧化锡、氧化铟、Pt、Au或铟锌氧化物中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的选择性发射极元件，其特征在于，还包括：
正面电极，位于上述透明电极层的上方并包括第1导电体；以及背面电极，位于上述半导体基板的下方并包括第2导电体。
9.根据权利要求8所述的选择性发射极元件，其特征在于：
上述正面电极包括Al、W、Co、Ni、Cu、Ru、Pd、Ag、Pt、Au、In、Sn、CoW、CoWP以及NiB中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的选择性发射极元件，其特征在于：
上述半导体基板包括Si、Ge或GaAs中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的选择性发射极元件，其特征在于，还包括：
第1反射防止层，位于上述发射极层和上述透明导电层之间，用于减少入射光的反射。
12.根据权利要求1所述的选择性发射极元件，其特征在于，还包括：
第2反射防止层，位于上述导电层的上方，用于减少入射光的反射。
13.根据权利要求11或权利要求12所述的选择性发射极元件，其特征在于：
上述第1或第2反射防止层包括SiNX或TiOX中的至少一种，
其中，x为自然数。
14.一种选择性发射极元件的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体基板的上方形成以特定周期反复的虚拟图案的步骤；
在上述半导体基板以及上述虚拟图案上方形成遮罩的步骤；
通过移除上述虚拟图案以及上述虚拟图案上方的遮罩使上述半导体基板中的一部分裸露的步骤；
对上述裸露的半导体基板进行蚀刻的步骤；以及
在上述蚀刻后的半导体基板上方形成透明导电层的步骤。
15.根据权利要求14所述的选择性发射极元件的制造方法，其特征在于：
上述蚀刻包括湿法蚀刻。
16.根据权利要求14所述的选择性发射极元件的制造方法，其特征在于：
在上述形成虚拟图案的步骤之前，还包括对上述半导体基板进行掺杂的步骤。
17.根据权利要求14所述的选择性发射极元件的制造方法，其特征在于：
在上述对半导体基板进行蚀刻的步骤之后，还包括对上述半导体基板进行掺杂的步骤。