1.一种薄膜电池，包含：
基板，包含基板表面；
第一集电器(FCC)层，形成在所述基板表面上，所述FCC层具有第一FCC表面和第二FCC表面，并且其中所述第一FCC表面与所述基板接触，而且所述第二FCC表面为第一三维表面；
第一电极层，沉积在所述第一集电器上；以及
电解质层，沉积在所述第一电极层上；
其中所述第一电极层与所述电解质层之间的界面为第二三维表面，所述第二三维表面大致与所述第一三维表面一致。
2.如权利要求1所述的薄膜电池，其中所述第一三维表面包含图案化形状的阵列。
3.如权利要求1所述的薄膜电池，其中所述基板表面为第三三维表面，而且所述第一三维表面大致与所述第三三维表面一致。
4.如权利要求1所述的薄膜电池，进一步包含：
第二电极层，沉积在所述电解质层上；以及
第二集电器(SCC)层，沉积在所述第二电极层上；
其中所述电解质层沉积在所述第一电极层上，并且其中所述第二电极层与所述电解质层之间的界面为第四三维表面，所述第四三维表面大致与所述第一三维表面一致。
5.如权利要求4所述的薄膜电池，其中所述第二电极层与所述SCC层之间的界面为第五三维表面，所述第五三维表面大致与所述第四三维表面一致。
6.如权利要求1所述的薄膜电池，其中所述FCC层为阴极集电器层，并且所述第一电极层为阴极层。
7.如权利要求1所述的薄膜电池，其中所述FCC层为阳极集电器层，并且所述第一电极层为阳极层。
8.如权利要求4所述的薄膜电池，其中所述FCC层为阴极集电器层，并且所述第一电极层为阴极层，而且其中所述第二电极层为阳极，并且所述SCC层为阳极集电器层。
9.如权利要求4所述的薄膜电池，其中所述FCC层为阳极集电器层并且所述第一电极层为阳极层，而且其中所述第二电极层为阴极并且所述SCC层为阴极集电器层。
10.一种制造薄膜电池的方法，包含：
提供基板；
三维重建所述基板的表面以形成重建基板表面；
在所述重建基板表面上沉积第一集电器(FCC)层；
在所述FCC层上沉积电极层；以及
在所述电极层上沉积电解质层；
其中所述电极层与所述电解质层之间的界面为第一三维表面，所述第一三维表面大致与所述重建基板表面一致。
11.如权利要求10所述的方法，进一步包含：
在所述电解质层上沉积第二电极层；
其中所述电解质层与所述第二电极层之间的界面为第二三维表面，所述第二三维表面大致与所述重建基板表面一致。
12.一种制造薄膜电池的方法，包含以下步骤：
提供基板；
在所述基板的表面上沉积第一集电器(FCC)层；
三维重建所述FCC层的表面以形成重建FCC表面；
在所述重建FCC表面上沉积第一电极层；以及
在所述第一电极层上沉积电解质层；
其中所述第一电极层与所述电解质层之间的界面为第一三维表面，所述第一三维表面大致与所述重建FCC表面一致。
13.如权利要求10或12所述的方法，其中所述三维重建包含激光剥蚀图案化工艺。
14.如权利要求12所述的方法，其中所述三维重建包含机械粗糙化工艺。
15.如权利要求12所述的方法，进一步包含：
在所述电解质层上沉积第二电极层；
其中所述电解质层与所述第二电极层之间的界面为第二三维表面，所述第二三维表面大致与所述重建第一集电器表面一致。